更 正
2010-08-15 00:51:01
電子與封裝 2010年4期
關(guān)鍵詞：研究進(jìn)展
《電子與封裝》2009年12月（第9卷第12期，總第80期）刊登文章《0.13μm GGNMOS管的ESD特性研究》（第11頁(yè)），第二作者王東的單位地址應(yīng)為“巴州電力公司塔什店火電廠，新疆 庫(kù)爾勒 841000”，特此更正。
《電子與封裝》2010年3月（第10卷第3期，總第83期）刊登文章《金屬氧化物氣敏元件的研究進(jìn)展》（第2 3頁(yè)），作者申小丹、程?hào)|明、吳京京、楊光鯤的單位地址應(yīng)為“鄭州大學(xué)物理工程學(xué)院，鄭州 450001”，特此更正。
同時(shí)對(duì)由于我們工作失誤給作者和讀者帶來(lái)的不便深表歉意！
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