砷化銦可替代硅制造未來電子設備

據美國物理學家組織網報道，美國能源部勞倫斯伯克利國家實驗室和加州大學伯克利分校的科學家成功地將厚度僅為10納米的超薄半導體砷化銦層集成在一個硅襯底上，制造出一塊納米晶體管，其電學性能優異，在電流密度和跨導方面也表現突出，可與同樣尺寸的硅晶體管相媲美。該研究結果發表在最新一期《自然》雜志上。

盡管硅擁有很多令人驚奇的電子特性，但這些特性已經快被利用到極限，科學家一直在尋找能替代硅的半導體材料，以制造未來的電子設備。伯克利實驗室材料科學分部的首席科學家、加州大學伯克利分校電子工程和計算機科學教授艾里·杰維表示，最新的研究證明，半導體家族Ⅲ—Ⅴ族化合物中的一個成員砷化銦具有超強的電子遷移率和電子遷移速度，可以成為性能優異的“硅替身”，用于制造未來低能耗、高速率的電子設備。