國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)推出全新HEXFET功率MOSFET系列。該器件采用業界標準SOT-23封裝,具有超低導通電阻(RDS(on),適用于電池充電及放電開關、系統和負載開關、輕載電機驅動,以及電信設備等應用。
新款SOT-23 MOSFET器件采用IR最新的中壓硅技術,通過大幅降低90%RDS(on)顯著改善了電流處理能力,為客戶的特定應用優化了性能及價格。
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:“這個全新的SOT-23 MOSFET系列支持從-30 V至100 V的寬電壓范圍,并提供不同水平的 RDS(on)和柵極電荷(Qg),從而為追求緊湊、高效率及低成本解決方案的客戶帶來更佳、更廣泛的設計選擇?!毙缕骷_到第一級潮濕敏感度(MSL1)業界標準,所采用的材料不含鉛,并符合電子產品有害物質管制規定(RoHS)。