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行業快訊

2011年全球LED照明市場規模將達154億美元整體照明市場滲透率首度突破10%

繼LED TV后，LED照明將成為帶動LED產業高度成長的應用產品。根據DIGITIMES Research最新統計，高亮度LED市場規模將由2010年82.5億美元，成長至2011年的126億美元，年增長率將高達53%，其中，LED照明使用顆數由2010年48億顆，將增至2011年124億顆，主因為2011年LED燈炮取代傳統白熾燈效應開始顯現。

雖然2010年LED照明占總照明市場比重尚不高，以產值來看僅3.2%，然而在節能減碳意識高漲下，世界主要國家已訂定LED照明政策，積極推動LED照明產業發展。DIGITIMES Research分析師兼項目經理林芬卉分析，全球LED燈炮需求量將由2011年5.96億顆，大幅增長至2013年的25億顆；路燈方面，由于大陸、美國、歐洲于各主要城市已推動示范工程，預估LED路燈將由2011年220萬盞，增至2013年980萬盞，將再帶動未來數年LED照明滲透率提升。

在全球主要國家LED照明政策推動、LED發光效率顯著提升及預估LED照明價格每年將有20%～30%下跌空間等影響下，林芬卉預估，照明用LED需求量2009年至2013年CAGR將達97.4%，高于大尺寸LCD用LED背光CAGR的62.6%，且LED照明市場規模至于2011年將達154億美元，于整體照明市場滲透率首度突破10%，達10.6%。

大中華地區前4大晶圓代工廠2011年總營收將增長9.4%

根據DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析，2010年全球前10大晶圓代工廠商排名中，臺積電、聯電以全年營收132.3億美元與38.6億美元，分別拿下第1名與第2名，中芯則以15.5億美元全年營收，位居第4名。至于臺積電旗下轉投資公司世界先進則以5億美元全年營收，亦擠身于全球前10大晶圓代工廠商之列。

柴煥欣說明，2010年全球前10大晶圓代工廠排名中，大中華地區即占4席，而大中華地區前4大晶圓代工廠2010年全球晶圓代工產業合計市占率高達73%，亦突顯出大中華地區在晶圓代工產業地位之重要性。

然而，Global Foundries挾中東阿布達比先進技術投資公司(Advanced Technology Investment Co.；ATIC)雄厚資金，除購并全球第3大晶圓代工廠特許半導體(Chartered)外，還于美國紐約興建第3座12英寸晶圓廠Fab-8，生產制程更從28 nm起跳，目標就是希望超越臺積電，成為全球最大晶圓代工廠。Global Foundries加入競爭，亦掀起晶圓代工產業新一波12英寸晶圓廠產能擴充競賽。

包括臺積電、聯電、中芯等晶圓代工廠于2010年皆相繼調高資本支出金額，柴煥欣分析，除加快12英寸晶圓產能擴充腳步外，為爭取更廣大訂單機會，亦為掌握整合組件廠(Integrated Devicd Manufacturer，IDM)訂單擴大委外代工的趨勢，提高45/40 nm及其以下先進制程產出比重，購置浸潤式機臺亦是資本支出另一個重要方向。

在大中華地區主要晶圓代工廠投入12英寸晶圓與先進制程產能擴充的同時，展望2011年半導體產業景氣，在2010年下半年客戶端庫存調整后，預期2011年依然會延續景氣成長的方向前進，但歷經2009年下半年以來高成長期后，2011年將會成長趨緩，回歸至穩定成長的軌跡。

需求成長幅度預估供給相當，柴煥欣預估2011年大中華地區前4大晶圓代工業者營收年成長率將達9.4%，但在12英寸晶圓產能與45/40 nm及其以下先進制程良率與研發進度擁有優勢的臺積電，全球市占率版圖將會進一步擴張。

2011年全球DRAM產能位成長率達58.8%制程升級成產能成長的最關鍵因素

2009年第2季全球景氣在歷經金融海嘯沖擊后自谷底逐季攀升，DRAM價格亦伴隨景氣回復同步自谷底走揚。

DIGITIMES Research分析師柴煥欣說明，2006年以來，包括中國臺灣地區、美國、日本等DRAM廠即因DRAM價格持續下跌而處于長期虧損窘境；在金融海嘯期間，更因不耐景氣嚴寒，除削減資本支出，停止原先擴廠計劃外，亦先后采取減產、裁員、關廠等策略應對，為的就是保有手中現金部位。

至2009年第4季前，DRAM廠商對景氣展望仍相當保守，加上缺乏足夠現金部位提供購料投片，即使面對來自PC市場需求逐季升溫，DRAM供給增加亦相對有限，這也是DRAM價格自2009年第2季至2010年第2季得以維持將近5季榮景的重要原因。

然而，2010年第2季以來，先有三星電子(Samsung Electronics)宣布26兆韓元的投資計劃，率先將30 nm制程導入量產，并大幅擴充內存產能；加上歐債風暴影響，來自PC市場對DRAM的需求頓時減弱，兩大因素亦使得DRAM價格加速下滑，1Gb DDR3現貨價從2010年第2季3.08美元跌至2010年第4季1.16美元，跌幅達62%，且至12月都尚未見到止跌回穩的跡象。

柴煥欣分析：事實上，除三星以外的主要DRAM廠，在產能擴充的腳步都顯得相當保守，但隨先進制程占產出比重提高，產能依然出現明顯增長，以65 nm制程升級至50 nm制程，產能即可增加50%，從50 nm制程轉換至40 nm制程，產能將更進一步增長45%。

依據各DRAM廠所開出產能分析，柴煥欣預估，2010年全球DRAM供給量將達20.4億Gb，較2009年的13.6億Gb增長49.4%。2011年全球DRAM供給量將達32.3億Gb，較2010年的20.4億Gb更進一步增長58.8%，2011年DRAM供給量大幅增長的原因則來自于先進制程的升級，其次才是來自于產能擴增。

包括美光、南科、華亞科、瑞晶、爾必達等DRAM大廠，45/40 nm制程產能將于2011年大量開出，且先進制程占營收比重將會逐季提高，柴煥欣認為：這意味著2008年下半以來DRAM控制產能擴張的時期將告一段落，轉而進入透過制程升級來擴張產能的新時期，這也將會是影響2011年全球DRAM市場景氣榮枯的最關鍵因素。