專為主流市場打造

金邦千禧DDR2 800 2GB內存是一款面向主流市場的產品。可以看到，與我們之前介紹的金邦中、高端內存相比，由于定位主流，這款金邦千禧DDR2 800內存在外觀上顯得比較普通，沒有配備散熱片。但該內存在“基礎設計”上仍達到了較高的水準，采用全尺寸的墨綠色6層PCB電路板制作，而現在市場上很多品牌的主流產品大多采用了窄版設計。該內存正反兩面采用大面積覆銅設計可以減小地線阻抗，提高電源效率，減少高頻干擾，為產品的穩定工作打下了基礎。

這款2GB內存采用了雙面16顆粒設計，從內存表面的標識顯示，該顆粒的默認工作電壓為1 8V，額定cL(CAS Latency)列地址選通脈沖延遲可以設定為5或6。其它方面，這款內存在內存顆粒與金手指之間還配有大量的排阻與貼片電容，可以幫助內存起到穩壓作用，進一步增強內存的工作穩定性。內存金手指則采用成熟的化學鍍金工藝制造，雖然在硬度與耐磨性上與電鍍鍍金工藝相比略羞，但其鍍層厚度更均勻，表面更平整。通過cPU-z檢測發現，金邦千禧DDR2800內存在DDR2 800下的默認延遲實測為6(c L)-6(IRC D)-60RP)-150RAS)@2T。那么它的實際性能如何呢?接下來我們采用目前在市面上常見的金士頓DDR2 800窄版內存與金邦千禧DDR2 800進行了對比測試。窄版內存的主要延遲設定同樣為6-6-6-15@2T，不過從測試成績來看，其性能與金邦千禧DDR2 800相比，不論是內存性能還是處理器性能均略有差距，我們認為這主要是因為該內存的其它延遲設定較高所致。

下面我們還對這兩款內存的超頻性能進行了測試。考慮到大部分主流用戶只會進行簡單，安全的超頻。因此在這里我們只通過默認電壓對各內存進行超頻。超頻方法很簡單，調高Intel Core 2 Duo E8200處理器外頻，將外頻與內存頻率比例設定為5：6，令內存頻率隨動提升。最終，金邦千禧DDR2 800在處理器外頻達到381MHz、處理器頻率為381MHzx8=3，048GHz時，內存可以穩定工作在DDR2 914，并可通過Memtest86內存品質測試的所有測試。而矮版內存最高頻率則只能達到DDR2 866(處理器頻率2，88GHz)，且在Memtest86測試中運行9分鐘后就出現死機。究其原因還是金邦干禧DDR2 800采用了標準的全尺寸PCB設計，布線較PCB面積大幅縮減的窄版內存更加寬松，彼此之間的電磁干擾更小，因此它在高頻率下的工作也就更加穩定。

從測試可以看到，超頻到DDR2 914后的金邦千禧DDR2 800內存較其默認性能有了明顯的提升。因此，這款內存不論是默認性能還是超頻性能都能滿足主流用戶的需求，值得大家考慮。(馬宇川)