電子束直寫(xiě)模版電沉積制備圖案化磁記錄介質(zhì)

鈔書(shū)哲　丁玉成　葉向東　李滌塵

摘要：以電子束直寫(xiě)光刻圖形為模版，采用直流電沉積和數(shù)值模擬的方法，研究了鎳納米柱陣列圖案化磁記錄介質(zhì)的制備工藝和模版電沉積過(guò)程中的沉積不均勻問(wèn)題，研究結(jié)果表明，在加速電壓、曝光電流確定的條件下，電子束直寫(xiě)光刻模版孔徑由曝光時(shí)間決定，模版的孔徑和孔距在10nm量級(jí)精確可調(diào)，在納米孔陣列模版中進(jìn)行電沉積時(shí)，適當(dāng)增大孔距，降低陰極電解電勢(shì)，可以減小電沉積過(guò)程中相鄰孔之間的相互干擾，提高電沉積的均勻性，從而為圖案化磁記錄介質(zhì)的電沉積制備提供了一種新的方法。