真空中絕緣子閃絡前表面電荷分布的二維仿真
2008-04-12 00:00:00于開坤張冠軍鄭楠趙文彬秋實
西安交通大學學報 2008年4期
摘要：基于真空閃絡的二次電子發(fā)射雪崩(SEEA)模型，針對片式有機玻璃PMMA和氧化鋁陶瓷兩種典型絕緣材料，利用蒙特卡羅法仿真研究了平面圓形及矩形對稱電極系統(tǒng)中絕緣子表面電荷的二維分布。仿真結果表明：在靠近陰極處的絕緣子表面存在小范圍的負電荷區(qū)，而后變?yōu)檩^大范圍的正電荷區(qū)；隨外施電壓的提高，絕緣子表面的正電荷區(qū)域及密度增大，而負電荷區(qū)域及密度減小；二次電子發(fā)射系數(shù)較小的PMMA絕緣子表面正電荷密度較低；由于圓形電極表面電場分布較矩形電極系統(tǒng)不均勻，其電荷密度分布更不均勻。將仿真結果與他人的實驗結果進行了分析對比，發(fā)現(xiàn)兩者比較接近。
關鍵詞：真空；絕緣材料；蒙特卡羅法；二次電子發(fā)射
中圖分類號：TP301 文獻標志碼：A 文章編號：0253—987X(2008)04—0476—05
