英特爾相變內(nèi)存技術(shù)呼之欲出

本報(bào)綜合消息 3月7日，芯片巨頭英特爾表示，將把第一塊相變內(nèi)存（Phase-Change Memory）芯片樣本送交設(shè)備制造商，這標(biāo)志著下一代內(nèi)存芯片技術(shù)呼之欲出。

新一代相變內(nèi)存是一種非易失性的內(nèi)存產(chǎn)品，它集DRAM內(nèi)存的高速存取以及閃存在關(guān)閉電源后保留數(shù)據(jù)的特性為一體，因此其很有可能徹底取代傳統(tǒng)的DRAM和閃存技術(shù)。對(duì)于移動(dòng)設(shè)備來說，能夠在斷電之后保存信息極為重要，與此同時(shí)數(shù)據(jù)的傳輸速度也必須達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)。

英特爾發(fā)言人表示，新一代相變內(nèi)存技術(shù)在速度方面將超過目前閃存1000倍之多，而能耗只有當(dāng)前閃存的一半。與此同時(shí)，芯片還可以在現(xiàn)有的數(shù)據(jù)上覆蓋寫入新數(shù)據(jù)，而傳統(tǒng)的閃存則必須在刪除原有數(shù)據(jù)的基礎(chǔ)上才能寫入新數(shù)據(jù)。

雖然目前該技術(shù)的成本還遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)的DRAM和閃存，不過英特爾預(yù)測(cè)隨著批量生產(chǎn)，其價(jià)格將最終接近如今市場(chǎng)上的內(nèi)存產(chǎn)品。

目前，英特爾正在與意法半導(dǎo)體攜手開發(fā)相變內(nèi)存。去年9月，三星制造出了512MB的相變內(nèi)存原型，而該產(chǎn)品將在明年正式投入生產(chǎn)；去年12月時(shí)，IBM發(fā)布了一項(xiàng)研究報(bào)告，也表示將投入相變內(nèi)存市場(chǎng)。