廠商動態

瑞薩與技松開發45nm CMOS SRAM制造技術

瑞薩科技與松下電器產業有限公司近日宣布，共同開發出一種新技術，可以使45nm工藝傳統CMOS的SRAM(靜態隨機存取存儲器)穩定工作。這種SRAM可嵌入在soc(系統(集成)芯片)器件和微處理器(MPu)當中。經測試證實，采用該技術的512Kb SRAM的實驗芯片，可以在寬泛的溫度條件下(-40℃-125℃)穩定工作．而且在工藝發生變化時具有較大的工作電壓范圍裕量。用于實驗的SRAM芯片采用45nm CMOS工藝生產，集成了兩種不同的存儲單元設計，一個元件面積僅有O.327μm2，另一個元件面積為0.245μm2，更小的存儲單元是利用減少處理尺寸裕量實現的。

FlexRay聯盟發布一致性測試

FlexRay聯盟目前發布FlexRayV2.1協議和物理層一致性測試。自2000年年底系統標準開發工作啟動以來，FlexRay聯盟(核心成員包括寶馬、戴姆勒·克萊斯勒、飛思卡爾半導體、通用汽車、恩智浦半導體(NXP semiconductors)、博世和大眾)已經在標準化、市場應用和量產方面取得了長足進展。這兩項一致性測試完善了2005年發布的FlexRay V2.]規范。隨著這兩項測試的發布，半導體供應商可向一致性測試合作伙伴提交通信控制器和物理層器件等芯片解決方案。一旦成功通過測試，這些設備將符合FleXRay V2.1標準。

synopsys DFM產品解決45納米工藝變異

EDA軟件廠商Synopsys推出了具備工藝識別功能的可制造性設計(DFM)新系列產品PA-DFM，用于分析45納米及以下工藝定制／模擬設計階段的工藝變異的影響。SynopSys PA-DFM系列的核心產品Seismos和Paramos可將制造變異信息反標回設計階段，幫助定制IC(IP、標準單元、存儲器和模擬線路)的設計人員優化布局并最大限度提高成品率。為了確保與原有設計架構的無縫整合，最新PA-DFM產品被設計為可以輕松嵌入客戶現有設計流程和方法，在滿足客戶減少工藝變異問題需求和提高電路性能的前提下保護客戶投資。PA-DFM產品有助于IC設計人員在實現45納米及以下技術的全部潛能的同時，最大限度地提高成品率。

RS與TMC合作wi-Fi設備OTA測試

經過近三個月的試運行，2007年2月，羅德與施瓦茨公司(R＆S)與信息產業部通信計量中心(TMC)的技術專家組通過了對Wi-Fi設備進行OTA(空中)接口測試的系統R＆S TS8991的最終驗收。該系統在2006年10月底由R＆S與TMC共同開發。為保證手機穩定的數據傳輸，制造商在模擬網絡中進行發射和接收測試。RsT5899 1通過測試Wi-Fi設備的輻射功率和靈敏度，產生三維方向圖，并進行分析。2006年11月，通過RS與TMC的合作，該測試系統獲得了順利實施。新的測試系統基于R＆S TS9970。R＆S TS9970是對于移動通信標準和藍牙設備進行OTA測試的標準系統。

Maxim高集成高壓LED驅動器

Maxim推出高壓、3通道、線性高亮度LED驅動器MAX16823，內置LED開路檢測，適合汽車外部和內部照明應用。該器件工作在5.5V至40v輸入電壓范圍，確保滿足冷啟動和用負載(高達45V)要求。MAX16823的每個通道可為一串或多串高亮度LED(HB LED)提供高達70mA的電流，當驅動電流超過70mA時只需額外增加一個廉價的雙極型晶體管即可實現。器件還具有高電平有效、漏極開路LEDGOOD輸出，用于LED開路