淋釉凹坑的影響因素分析

摘 要：淋釉凹坑是陶瓷磚生產中的常見缺陷，釉漿氣泡、釉漿陳腐時間、添加劑失效是影響凹坑產生的表觀因素，本文從釉用的原料、原料pH值及CMC進行分析實驗，對淋釉凹坑的影響因素提出了新的觀點，為解決凹坑缺陷尋找更多方法。

關鍵詞：陶瓷磚；淋釉凹坑；氣泡； pH值

1 引言

無論是內墻磚、外墻磚，還是仿古磚、拋釉磚，淋釉凹坑都是令人頭疼的問題，產生凹坑的原因是多種多樣的。特別是在夏季氣溫升高的情況下，釉漿性能容易變差，淋釉凹坑缺陷容易增多，近期清遠某陶瓷廠生產淋釉產品因凹坑缺陷導致產品下線，在排除了坯體及生產操作帶來的凹坑影響因素后，從淋釉效果入手，通過對釉漿性能進行分析，從中發現引起淋釉凹坑的原因，為生產提供技術指導。

2 實驗

2.1實驗儀器及主要材料

（1）粒徑分析儀，數顯pH計，100mL金屬比重杯，LND-1涂4粘度計（流速杯），實驗玻璃刻度燒杯，25cm玻璃攪拌棒。

（2）1#面釉， 2#面釉及其兩種釉料的原料，水泡（CMC：水=1：20），自來水。

釉料配方見表1。

（3）鹽酸、氫氧化鈉。

2.2釉漿制備

按表1配方配制釉料，按照料：球：水 =1：2：0.4比例球磨釉漿，細度控制為325目篩余0.4%-0.6%。為確保后續實驗準確性，兩種面釉各球磨釉漿1噸。

2.3實驗過程及結果

2.3.1釉漿性能比較：

取1#、2#面釉漿各500g分別置于玻璃燒杯中，在25℃室溫環境下靜止48h，觀察并記錄第24h、48h釉漿狀態，同時測取靜止48h后的釉漿性能。記錄結果見表2、表3。

從表3中可以看到1#面釉堿性較強，2#面釉呈弱堿性；1#面釉流速、粘度均較2#面釉大，1#釉漿的流動性差，容易造成凹坑缺陷[1-2]。

為了進一步了解釉漿性能，測試細度對釉漿性能的影響，用粒徑分析儀進行粒徑分析，測試結果如圖1。由粒度分布圖可見1#、2#面釉漿的粒徑特征很接近，差異不大，由此可確定1#凹坑缺陷不是由釉漿粒徑不均勻引起的。

2.3.2 配方原料影響比較

通過對1#、2#面釉配方進行調整，在1#配方中加入10個點A熔塊，去除2#配方中10個點A熔塊，調整后的配方分別稱取300g原料用快速球磨機球磨30min，為防止實驗出現誤差，分別按表1釉料配方同等稱取300g原料用快速球磨機球磨30分鐘作為對比方案，球磨后釉漿放置玻璃燒杯中靜置48h，觀察釉漿狀態，結果見表4。" " " 從表4可知，加入A熔塊的釉漿表層沒有出現凝固現象。在加入一定量的煅燒原料和熔塊后，會使釉漿懸浮性和保水性變差，釉漿出現分層現象，上層清液避免了釉漿與空氣直接接觸，減少了因水分蒸發所產生的表層凝固現象。因此在加入一定量的A熔塊后有利于延緩釉漿表層出現凝固現象，但釉漿懸浮性和保水性會變差。為進一步探尋1#釉漿粘度比2#釉漿大的問題，對不同原料物化性質進行檢測并分析其影響。

2.3.3不同原料物化性質檢測

（1）配方中原料雜質與氣泡影響

分別取100g配方中所用原料放于玻璃燒杯中，緩慢加入自來水200g，同時勻速攪拌水和料的混合物，觀察玻璃燒杯中氣泡和雜質情況，發現鉀長石、鈉長石、鉀長石A、中鋁粉的水漿中均出現氣泡，同時鉀長石、鈉長石、鉀長石A、中鋁粉中均有雜質出現，結果如表5。

從表5中可以看出1#面釉配方中大量應用了含氣泡和雜質的原料，而2#面釉配方中則應用得相對較少，因此1#面釉較容易產生凹坑缺陷，同時1#釉漿在高溫環境下表面發生觸變出現凝固狀態，釉漿中封閉了較多的氣泡不易逸出，這也是造成凹坑缺陷的原因之一。

（2）原料pH值影響

為分析配方中各原料pH值對釉漿性能影響，稱取各原料300g按球石：料：水=2：1：1的比例加入到球磨罐中用快速球磨機球磨，取球磨后的漿料于玻璃燒杯中靜置16h，用pH值數顯計進行測試其pH值，結果可見表6。

從上表可以看出鈉長石、煅燒中鋁粉及燒氧化鋁漿料的pH值較高，而在 1#面釉配方中鈉長石、煅燒中鋁粉應用較多，這是導致1#比2#面釉pH值偏高的原因，釉漿的強堿性導致添加劑CMC失去粘結性能，引發釉漿觸變產生淋釉凹坑。

2.3.4" CMC的穩定性影響

（1）酸堿性對CMC性能的影響：

取3杯相同質量的現磨水泡溶液（CMC：水=1：20），其中一杯水泡溶液作為標準樣，另外兩杯水泡溶液分別滴入鹽酸、氫氧化鈉溶液，直至將水泡溶液的pH值分別調到1和12，與標準樣（pH值約為7）進行對比觀察溶液狀態：在加入鹽酸后，水泡溶液迅速固化成膠體狀態；而加入氫氧化鈉溶液后，水泡溶液并無明顯變化。三杯水泡溶液靜置24h、48h，用涂四粘度杯分別測試其流速，結果見表7。

根據上表結果可知在中性環境下，標準樣隨著時間的推移逐漸變質，流速減小，在強堿性環境下水泡隨著時間的推移加速了變質速度，較快失去粘結能力，而在酸性環境下水泡溶液固化成膠體，無懸浮性能[3]。

（2） 防腐劑對CMC性能影響

取3杯相同質量的現磨水泡溶液（CMC：水=1：20），其中一杯水泡溶液作為標準樣，另外兩杯水泡溶液分別滴入0.05%的防腐劑A和0.05%防腐劑B溶液，三杯水泡溶液靜置48h、96h，用涂四粘度杯分別測試其流速，試驗結果見表8。

由上表結果可知，在靜置48h后添加劑CMC開始失效，其粘聚性能逐漸減弱，對比三杯水泡溶液可發現：防腐劑A對延緩CMC的變質效果較好，防腐劑B在一定時間內對CMC的變質有延緩作用，但過一段時間后，防腐劑B可使CMC加速失效。

3 結論

（1） 配方中加入一定量的煅燒原料有利于改善淋釉凹坑缺陷。

（2）使用雜質和氣泡含量高的原料容易使釉漿性能變差，淋釉時容易產生凹坑。

（3） 原料pH值對CMC性能有影響，當使用pH值偏高的原料過多時，釉漿PH值跟著升高，會破壞CMC在釉中的作用，使釉漿觸變產生凹坑缺陷。

（4）防腐劑能夠有效延緩CMC的變質。

參考文獻

[1] 毛旭瓊.添加劑對釉漿性能的影響[J]. 佛山陶瓷.2013（7）：16-18.

[2] 王凡. 釉面磚凹坑缺陷的產生原因和處理方法探討[J].

[3] 徐建華，邱永斌，張留生.陶瓷花釉與裝飾技術[M].北京：中國輕工業出版社.2011.