美國(guó)“電子復(fù)興計(jì)劃”總體情況

在摩爾定律放緩的情況下，美國(guó)實(shí)施“電子復(fù)興計(jì)劃”（ERI）意在突破摩爾定律極限，引領(lǐng)技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展，鞏固并擴(kuò)大美國(guó)在微電子領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

基本情況

“電子復(fù)興計(jì)劃”于2017年正式啟動(dòng)，2023年宣布進(jìn)入2.0時(shí)代，由美國(guó)防高級(jí)研究計(jì)劃局（DARPA）微系統(tǒng)辦公室牽頭，工業(yè)界和高校共同參與。

戰(zhàn)略背景 自20世紀(jì)60年代 起，半導(dǎo)體發(fā)展經(jīng)歷了3次浪潮（幾何縮微、后道工藝縮微、三維晶體管）。美國(guó)作為半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)源地，緊緊抓住了信息技術(shù)與全球化機(jī)遇，一方面超前謀劃、體系布局，加大技術(shù)探索和攻關(guān)力度；另一方面大力圍堵打擊競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，確保其電子技術(shù)發(fā)展占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，目前已持續(xù)主導(dǎo)全球半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)超30年。

微電子是美國(guó)長(zhǎng)期高度重視的戰(zhàn)略性技術(shù)。DARPA將其作為實(shí)現(xiàn)“防止對(duì)手技術(shù)突襲和給對(duì)手制造技術(shù)突襲”使命的重要手段，曾組織研發(fā)了硅先進(jìn)制程、砷化鎵和氮化鎵單片集成電路，為集成電路發(fā)展做出創(chuàng)新性貢獻(xiàn)。在微電子技術(shù)邁入后摩爾時(shí)代的歷史拐點(diǎn)上，DARPA策劃實(shí)施“電子復(fù)興計(jì)劃”，意在搶占半導(dǎo)體發(fā)展第4次浪潮的制高點(diǎn)，鞏固美國(guó)電子技術(shù)跨越發(fā)展及其在軍民應(yīng)用中的絕對(duì)主導(dǎo)地位。

戰(zhàn)略目的 DARPA采用“電子復(fù)興計(jì)劃”的名稱，彰顯其支撐美國(guó)鞏固并擴(kuò)大微電子技術(shù)全球絕對(duì)領(lǐng)先地位的戰(zhàn)略圖謀。2017年該計(jì)劃啟動(dòng)之時(shí)，DARPA提出，通過(guò)基礎(chǔ)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展相結(jié)合，聯(lián)合商業(yè)界、高?？蒲性核c美政府開展前瞻性研究，為美國(guó)未來(lái)電子技術(shù)創(chuàng)新和能力提升奠定長(zhǎng)期基礎(chǔ)?！?br>