研究人員首創高遷移率非晶P型半導體器件

楊晨

近日，電子科技大學研究團隊首創高遷移率、穩定的非晶P型（空穴）半導體器件，突破該領域20余年的研究瓶頸，進一步推動現代信息電子學和大規模互補金屬氧化物半導體技術的發展。相關成果在線發表于《自然》。