2024年高考物理模擬試題(四)參考答案與提示

1.D 提示:根據(jù)電荷數(shù)和質(zhì)量數(shù)守恒可知,X 為電子,因此9038Sr發(fā)生的是β衰變,選項(xiàng)A 錯(cuò)誤。環(huán)境溫度變化,不會(huì)改變放射性元素的半衰期,選項(xiàng)B 錯(cuò)誤。半衰期是一個(gè)統(tǒng)計(jì)規(guī)律,只在針對(duì)大量原子核時(shí)才有意義,100個(gè)9038Sr原子核衰變具有隨機(jī)性,選項(xiàng)C錯(cuò)誤。9038Sr衰變?yōu)?039Y 放出β粒子,發(fā)生了質(zhì)量虧損,而核子數(shù)不變,所以平均核子質(zhì)量變小,比結(jié)合能變大,選項(xiàng)D 正確。

7.C 提示:當(dāng)傳感器勻速向上運(yùn)動(dòng)時(shí),多晶硅懸臂梁相對(duì)于頂層多晶硅和底層多晶硅的位置不變,C1、C2不變,選項(xiàng)A 錯(cuò)誤。當(dāng)傳感器保持加速度恒定向上運(yùn)動(dòng)時(shí),與加速度為零時(shí)相比,多晶硅懸臂梁的右側(cè)雖發(fā)生彎曲形變,但多晶硅懸臂梁相對(duì)于頂層多晶硅和底層多晶硅的位置不變,C1、C2不變,選項(xiàng)B錯(cuò)誤。當(dāng)傳感器由靜止突然加速向上運(yùn)動(dòng)時(shí),多晶硅懸臂梁與頂層多晶硅間的距離變大,與底層多晶硅間的距離變小,根據(jù)C=可知,C1減小,C2增大,選項(xiàng)C 正確。當(dāng)正在勻速向上運(yùn)動(dòng)的傳感器突然停止運(yùn)動(dòng)時(shí),多晶硅懸臂梁與頂層多晶硅間的距離變小,與底層多晶硅間的距離變大,C1增大,C2減小,選項(xiàng)D 錯(cuò)誤。

9.BD 提示:根據(jù)題圖可知,小球運(yùn)動(dòng)到最低點(diǎn)時(shí),高度下降0.6 m,則重力勢(shì)能減少量ΔEp2=mghmax=6 J,結(jié)合Ep2-y圖像得6=10-a,解得a=4,選項(xiàng)A 錯(cuò)誤。小球的重力勢(shì)能轉(zhuǎn)化為內(nèi)能和彈簧的彈性勢(shì)能,根據(jù)Q=fhmax=ΔEp2-ΔEp1,解得f=2 N。小球高度下降0.5 m 的過(guò)程中,根據(jù)mgh-fh=,解得小球剛接觸彈簧時(shí)的速率v1=2 2 m/s,選項(xiàng)B正確,C錯(cuò)誤。當(dāng)小球高度下降0.6 m 時(shí),彈簧的壓縮量y1=0.1 m,此時(shí),解得k=960 N/m。當(dāng)小球速度最大時(shí),小球的加速度為零,根據(jù)平衡條件得F彈+f=mg,解得F彈=8 N,又有F彈=kΔy,解得m,選項(xiàng)D正確。

10.CD 提示:若C→D→A是絕熱收縮過(guò)程,則不發(fā)生熱傳遞,外界對(duì)氣體做功,內(nèi)能增加,而實(shí)際上C、A狀態(tài)下的內(nèi)能(溫度)相同,因此該循環(huán)過(guò)程違反了熱力學(xué)第一定律,選項(xiàng)A 錯(cuò)誤。若C→D→A是導(dǎo)熱收縮過(guò)程,則外界對(duì)氣體做功,又有C、A狀態(tài)下的內(nèi)能相同,根據(jù)熱力學(xué)第一定律可知,該過(guò)程中氣體一定向外界放出熱量,選項(xiàng)B 錯(cuò)誤,C正確。因?yàn)锳→B→C是等溫過(guò)程,內(nèi)能不變,而C→D→A過(guò)程(除了C、A狀態(tài))中內(nèi)能都比前一狀態(tài)下的內(nèi)能小,且兩個(gè)圖像相距越遠(yuǎn),內(nèi)能相差越大,則該過(guò)程中氣體內(nèi)能一定先減小后增大,選項(xiàng)D 正確。

12.(1)如圖2所示。(2) 2.95 (3)C(4)偏小 電壓表具有分流作用,使得干路電流的測(cè)量值偏小

圖3

提示:(2)設(shè)黑盒的等效內(nèi)阻為r,根據(jù)閉合電路歐姆定律得E0=U+Ir,變形得U=-rI+E0,結(jié)合U-I圖像得E0=2.95 V。(4)按題圖所示電路采用伏安法測(cè)電源電動(dòng)勢(shì)時(shí),路端電壓測(cè)量準(zhǔn)確,而由于電壓表的分流作用,導(dǎo)致干路電流的測(cè)量值偏小,且電壓表的示數(shù)越大,電壓表的分流作用就越明顯。