基于故障樹法的電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片故障分析與改進(jìn)

摘" 要：在高負(fù)載狀態(tài)下，電機(jī)重復(fù)出現(xiàn)異常停機(jī)情況，且每次異常的工況和反饋數(shù)據(jù)均一致。電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片為MSK4322HD，測量發(fā)現(xiàn)該芯片某PWM信號管腳對地阻抗由高阻態(tài)變?yōu)榈妥钁B(tài)，開帽后，在相應(yīng)PWM信號對應(yīng)的MOS管處發(fā)現(xiàn)燒蝕痕跡，判斷為芯片內(nèi)部MOS管損傷。針對該故障展開分析。首先，采用故障樹分析法列出相關(guān)底事件，根據(jù)電路遠(yuǎn)離開展測試，逐一排查，最終定位故障為異常相序信號導(dǎo)致的過流損傷；其次，進(jìn)行機(jī)理分析，發(fā)現(xiàn)異常相序信號是由電機(jī)實(shí)時(shí)換相、換相導(dǎo)致PWM低電平信號持續(xù)特定時(shí)間及高負(fù)載3種正常條件耦合引起的，對三者任一解耦即可解決。在此基礎(chǔ)上，進(jìn)行故障復(fù)現(xiàn)，證明定位準(zhǔn)確無誤；最后，對嵌入式軟件制定相應(yīng)的改進(jìn)措施，并通過試驗(yàn)驗(yàn)證其有效性。

關(guān)鍵詞：電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片；故障樹法；MOS管；PWM信號；過流損傷

中圖分類號：V243" " " 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A" " " " " 文章編號：2095-2945（2023）14-0160-06

Abstract： In the high load condition， the motor repeatedly had abnormal stopping situation， and each abnormal working condition and feedback data are consistent. The motor driver chip is MSK4322HD. It was found that the impedance between a PWM signal pin and GND of the MSK4322HD chip is abnormal， changing from a high resistance state to a low resistance state. After opening the chip， ablation traces were found at the MOSFET location， which was judged to be the MOSFET damage inside the driver chip. In the light of the fault， analyses were conducted. First of all， the fault tree analysis method is used to list the relevant bottom events， and according to the circuit far away from testing and checking one by one， the fault is finally located as the over-current damage caused by the abnormal phase sequence signal; secondly， through the mechanism analysis， it is found that the abnormal phase sequence signal is caused by the coupling of the motor real-time commutation and commutation leading to the PWM low-level signal lasting for a specific time and high load， which can be solved by decoupling any of the three. On this basis， the fault recurrence is carried out to prove that the location is accurate; finally， the corresponding improvement measures are made for the embedded software， and its effectiveness is verified by experiments.

Keywords： motor driver chip; fault tree analysis; MOSFET; PWM signal; overcurrent damage

直流無刷電機(jī)具有結(jié)構(gòu)簡單、調(diào)整性能優(yōu)良、運(yùn)行可靠及易于維護(hù)等優(yōu)點(diǎn)，因此用途廣泛[1-2]。時(shí)至今日，使用單片機(jī)、DSP和FPGA等芯片，通過電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片控制電機(jī)運(yùn)動(dòng)已十分成熟[3-7]。

本文所研究的設(shè)備采用FPGA和MSK公司的專用驅(qū)動(dòng)芯片MSK4322HD電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)直流無刷電機(jī)。某次試驗(yàn)中，電機(jī)在帶載工作時(shí)突然停機(jī)，控制界面未報(bào)錯(cuò)，但無論是手動(dòng)下發(fā)指令還是重新加電，都無法使電機(jī)恢復(fù)工作。

將控制回路切換至備份，工作正常，因此判斷為電機(jī)控制回路故障；隨后該故障又出現(xiàn)2次，形式、反饋數(shù)據(jù)和負(fù)載情況與首次基本一致，判斷為同一故障。

針對該故障，采用故障樹分析法進(jìn)行了故障定位，通過故障復(fù)現(xiàn)驗(yàn)證了定位的準(zhǔn)確性，最后制定了改進(jìn)措施，并驗(yàn)證了改進(jìn)措施準(zhǔn)確、有效。

1" 概述

1.1" 故障描述

對電機(jī)控制回路進(jìn)行測試，發(fā)現(xiàn)故障來自于電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片MSK4322HD，其A相信號引腳對地阻抗為13.6 Ω（正常阻抗應(yīng)大于40 MΩ），A相信號引腳對COM端二極管電壓為0 V（正常應(yīng)為0.4 V），說明電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片MSK4322HD的A相下橋MOS管漏源極出現(xiàn)低阻通路。將芯片進(jìn)行開帽檢查，發(fā)現(xiàn)A相的下橋GDS燒毀，如圖1所示。

1.2" 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路原理

電機(jī)為直流無刷電機(jī)，供電電壓范圍為57±9 V，內(nèi)阻為2.7 Ω，電感為8.5 mH。MSK4322HD的最大驅(qū)動(dòng)電壓為200 V，最大穩(wěn)態(tài)輸出電流為20 A，瞬時(shí)最大電流為44 A，內(nèi)置MOSFET驅(qū)動(dòng)電路、濾波電路和低電壓鎖定電路，最大開關(guān)頻率25 kHz，內(nèi)部示意圖如圖 2所示。電機(jī)的負(fù)載不大于3 000 N，對應(yīng)電機(jī)相電流不大于7.5 A，PWM開關(guān)頻率為20 kHz，電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路原理如圖3所示。

2" 故障定位

以“電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部MOS管損傷”為頂事件進(jìn)行了故障樹分析，針對可能的因素羅列底事件，故障樹如圖4所示，共包括9個(gè)底層事件。

根據(jù)圖4中的故障樹，對引起頂事件的所有可能性進(jìn)行排查和定位。

2.1" 芯片功率供電異常

將驅(qū)動(dòng)芯片的功率供電信號引出，通過高速數(shù)據(jù)采集設(shè)備對信號進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測，輸出正常，因此可排除底事件X1。

2.2" 芯片邏輯供電異常

MSK4322HD直接使用內(nèi)部DC/DC轉(zhuǎn)換后的邏輯+12 V供電，根據(jù)手冊，若邏輯供電低于8.65 V，內(nèi)部三相橋的6個(gè)MOS管就會(huì)關(guān)閉，不會(huì)對芯片造成物理損傷；且該12 V還為力傳感器等設(shè)備供電，相關(guān)設(shè)備均工作正常，因此可排除底事件X2。

2.3" 外部系統(tǒng)環(huán)境引入高壓

將三相電機(jī)繞組電壓信號引出，通過高速數(shù)據(jù)采集設(shè)備對信號進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測，輸出正常，因此可排除底事件X3。

2.4 電機(jī)瞬時(shí)換向產(chǎn)生高壓

電機(jī)運(yùn)動(dòng)過程中若出現(xiàn)瞬時(shí)反轉(zhuǎn)，等效電機(jī)反接制動(dòng)工況，此時(shí)電機(jī)會(huì)產(chǎn)生反電動(dòng)勢，疊加在電機(jī)供電電壓上，使電機(jī)繞組電壓和母線供電電壓均升高。反電動(dòng)勢大小與電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)速度相關(guān)。

分別在空載和帶載條件下對電機(jī)進(jìn)行200 rpm和400 rpm的跑合測試。經(jīng)測試，繞組和母線電壓最高分別升高至80 V和95 V，均未超過MSK4322HD的200 V額定電壓。實(shí)際運(yùn)行過程中電機(jī)的轉(zhuǎn)速為200 rpm，因此可排除底事件X4。

2.5 過載堵轉(zhuǎn)產(chǎn)生高壓

電機(jī)在運(yùn)轉(zhuǎn)過程中如遇到較大阻力，可能發(fā)生堵轉(zhuǎn)或轉(zhuǎn)速突降至0 rpm的情況，此時(shí)電機(jī)的相電流很大，電機(jī)上的電感能量會(huì)通過三相橋驅(qū)動(dòng)MOS管的體二極管對儲(chǔ)能電容充電，使母線電壓升高。將電機(jī)過流閾值設(shè)置為7 A，在轉(zhuǎn)速為200 rpm時(shí)，調(diào)整過流保護(hù)時(shí)間進(jìn)行測試，時(shí)間范圍為30～100 ms。結(jié)果表明，繞組和母線電壓最高升至125 V，仍未超過MSK4322HD的供電電壓范圍，因此可排除底事件X5。

2.6 芯片控制異常產(chǎn)生高壓

若電機(jī)控制方式異常，同樣可能產(chǎn)生高壓。但在電機(jī)出現(xiàn)異常的時(shí)刻，高速數(shù)據(jù)采集設(shè)備采集的三相繞組以及功率供電信號，均未出現(xiàn)超過200 V的高壓，因此可排除底事件X6。

2.7 負(fù)載變化產(chǎn)生大電流

隨著試驗(yàn)次數(shù)增多，負(fù)載也會(huì)出現(xiàn)較大變化，進(jìn)而引起電機(jī)電流的快速波動(dòng)。

電機(jī)采用60 V供電，相內(nèi)阻為2.7 Ω，外部導(dǎo)線阻抗約為0.3 Ω，COM端采樣電阻0.1 Ω，PMOS管內(nèi)阻為0.07 Ω，驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部MOS管內(nèi)阻也為0.07 Ω，因此若發(fā)生電機(jī)堵轉(zhuǎn)，產(chǎn)生的最大電流為18.52 A，仍小于芯片最大通流20 A。

同時(shí)，電路中設(shè)計(jì)了過流保護(hù)功能，過流閾值設(shè)置為7 A，過流保護(hù)時(shí)間為30 ms，觸發(fā)過流保護(hù)后會(huì)立即停機(jī)。該功能已經(jīng)過多次驗(yàn)證，包括2.5節(jié)的試驗(yàn)驗(yàn)證，能夠有效保護(hù)電路安全，因此可排除底事件X7。

2.8 邏輯控制信號幅值不足

電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片MSK4322HD手冊要求，PWM信號可以使用5 V CMOS或者TTL邏輯電平，PWM的高電平不低于2.2 V，低電平不高于0.8 V。設(shè)備內(nèi)部的6相PWM控制信號由FPGA輸出，轉(zhuǎn)換為5 V電平然后輸入給MSK4322HD。信號實(shí)測波形如圖5所示，可見PWM信號高電平為5 V，低電平為0 V，滿足設(shè)計(jì)要求。因此可排除底事件X8。

2.9 相序控制異常導(dǎo)致大電流產(chǎn)生

電機(jī)運(yùn)動(dòng)控制需要按照指定的相序進(jìn)行開通控制，F(xiàn)PGA軟件則按照電機(jī)運(yùn)動(dòng)方向分別選擇了相應(yīng)的開通相序。如相序控制異常，同樣可能產(chǎn)生大電流，燒毀MOS管。

經(jīng)復(fù)核，當(dāng)電機(jī)運(yùn)動(dòng)相序?yàn)锳+C-→A+B-→C+B-→C+A-→B+A-→B+C-時(shí)，對應(yīng)電機(jī)反向運(yùn)動(dòng)，帶動(dòng)負(fù)載。FPGA內(nèi)部軟件設(shè)計(jì)與電機(jī)實(shí)際運(yùn)動(dòng)需求相同，控制相序無錯(cuò)誤。

將控制器及電機(jī)置于加載測試臺(tái)進(jìn)行等效試驗(yàn)驗(yàn)證，加載范圍按照負(fù)載和電機(jī)轉(zhuǎn)矩的對應(yīng)關(guān)系進(jìn)行等效控制（負(fù)載0～3 500 N對應(yīng)電機(jī)0～4 Nm），功率電源設(shè)置為60 V/8 A。使用離散模式控制電機(jī)按實(shí)際工作方向運(yùn)行，轉(zhuǎn)速設(shè)定為200 rpm，通過示波器采集功率母線電流及三相繞組電壓，如圖6所示。

由圖6可見，電機(jī)運(yùn)動(dòng)相序符合要求，單相繞組處于斬波狀態(tài)時(shí)對應(yīng)上橋打開，處于低電平時(shí)對應(yīng)下橋關(guān)斷，其余狀態(tài)對應(yīng)上下橋均關(guān)斷。

運(yùn)動(dòng)過程中通過加載測試臺(tái)逐漸增加負(fù)載，當(dāng)負(fù)載增大至超過3.5 Nm時(shí)，發(fā)現(xiàn)三相繞組會(huì)隨機(jī)出現(xiàn)一相輸出異常，異常信號如圖7所示。

由圖7可見，當(dāng)電機(jī)相序由“A相-gt;B相”轉(zhuǎn)換至“C相-gt;B相”時(shí)，A相繞組輸出應(yīng)處于關(guān)閉狀態(tài)（低電平），C相繞組輸出應(yīng)處于開通狀態(tài)（高電平），但實(shí)際A相和C相均輸出高電平，導(dǎo)致A相上橋MOS管無法關(guān)閉，功率母線電流增大，超過穩(wěn)壓電源保護(hù)閾值，造成功率母線電壓跌落。

直接采集A相上橋MOS管G極電壓，再將異常時(shí)刻信號展開，如圖8所示。

由圖8可見，PWMA+信號在斬波結(jié)束（換相）時(shí)出現(xiàn)了約400 ns的低脈沖信號，A相繞組及A相上橋MOS管G極電壓均仍為高電平，MOS管未關(guān)斷。經(jīng)過多次反復(fù)驗(yàn)證，三相繞組任一相都可能出現(xiàn)異常，且異常相的PWM+信號都出現(xiàn)約400 ns脈寬的低脈沖信號，導(dǎo)致所對應(yīng)的相上橋MOS管無法關(guān)閉。

因此，PWM相序控制異常會(huì)導(dǎo)致大電流產(chǎn)生，底事件X9不可排除。

3" 機(jī)理分析

3.1" 驅(qū)動(dòng)芯片控制說明

MSK4322HD內(nèi)部采用三相橋驅(qū)動(dòng)方式，通過3對共6相PWM信號分別控制內(nèi)部6個(gè)MOS管的通斷，PWM信號高對應(yīng)關(guān)斷，低對應(yīng)開啟；三相上橋PWM+斬波，三相下橋PWM-常開，同一時(shí)間只有1個(gè)上橋MOS管和1個(gè)下橋MOS管開通，6個(gè)MOS管開通的順序依據(jù)電機(jī)旋轉(zhuǎn)變壓器的位置信息確定，運(yùn)動(dòng)過程中不允許出現(xiàn)一次更換兩相。

FPGA內(nèi)部設(shè)置斬波頻率為20 kHz，占空比最大開通至98%，采用通用的實(shí)時(shí)換相控制方式，即采集到旋變位置角度滿足換相要求時(shí)，立即控制6相PWM信號輸出變換，以滿足電機(jī)實(shí)時(shí)響應(yīng)特性要求。

3.2" 故障說明

以A+B-→C+B-換相為例，正常情況下，轉(zhuǎn)入一相后，A相上橋MOS管關(guān)斷，C相上橋MOS管開通，但若異常發(fā)生，A相上橋MOS管無法關(guān)斷，也未進(jìn)行斬波，就會(huì)導(dǎo)致B相下橋MOS管電流迅速增大。

試驗(yàn)時(shí)，外部功率供電電源能力為60 V、100 A，不斬波情況下，A相功率電流會(huì)迅速增大至18.52 A（2.7節(jié)），C相電流為工作正常值，約為1～2 A。電機(jī)每一拍的持續(xù)時(shí)間t為

t=360°/（n×m）/ω" ，" " " " " " "（1）

式中：n為電機(jī)極對數(shù)5，m為PWM信號數(shù)6，ω為角速度，電機(jī)運(yùn)動(dòng)時(shí)轉(zhuǎn)速為200 rpm，因此角速度為1 200 °/s。

持續(xù)0.01 s的約20 A電流不足以損害B相的下橋MOS管，但當(dāng)電機(jī)旋變角度運(yùn)動(dòng)至C+B-的下一拍C+A-時(shí)，由于此時(shí)A相上橋未關(guān)斷，而A相下橋已經(jīng)開啟，便會(huì)出現(xiàn)A相上下橋直通現(xiàn)象。單個(gè)MOS管的GS電阻為70 mΩ，采樣電阻為0.1 Ω，導(dǎo)線阻抗不大于0.1 Ω，在直通時(shí)近似短路，因此電流會(huì)在瞬間達(dá)到外部功率電源上限100 A，使COM端的電壓迅速升高，A相下橋MOS管的柵源電壓快速降低，導(dǎo)通內(nèi)阻增大，熱量迅速提升，最終造成過熱擊穿，使MOS管短路。

3.3" 400 ns低脈沖產(chǎn)生機(jī)理

PWM信號斬波頻率為20 kHz，對應(yīng)周期為50 ？滋s，根據(jù)電機(jī)速度大小進(jìn)行占空比調(diào)節(jié)；電機(jī)旋變位置采集周期為8 ？滋s；FPGA的晶振頻率為20 MHz，對應(yīng)周期為50 ns。

PWM信號根據(jù)電機(jī)速度大小進(jìn)行占空比調(diào)節(jié)，由于單個(gè)PWM控制周期內(nèi)沒有對換相的相序進(jìn)行鎖定，因此電機(jī)可以在單個(gè)PWM周期內(nèi)多次換相，換相時(shí)刻可以出現(xiàn)在PWM周期內(nèi)的任意時(shí)刻，且該時(shí)刻為FPGA晶振周期50 ns的整數(shù)倍，因此若在PWM+信號變低并經(jīng)過8個(gè)FPGA晶振周期后，電機(jī)發(fā)生換相，就會(huì)產(chǎn)生寬度為400 ns的低脈沖信號。

該信號會(huì)引起MSK4322HD內(nèi)部邏輯控制異常，無法關(guān)閉對應(yīng)的相上橋MOS管，導(dǎo)致電機(jī)運(yùn)行中出現(xiàn)單橋的上下管直通，并最終造成過熱擊穿。

4" 故障復(fù)現(xiàn)

定位故障后，從兩方面進(jìn)行了故障復(fù)現(xiàn)。

1）在約束外部供電總功率的情況下，使用試驗(yàn)設(shè)備及模擬負(fù)載進(jìn)行測試。將功率電源設(shè)置為60 V/8 A，電機(jī)轉(zhuǎn)速設(shè)置為200 rpm，通過測試臺(tái)逐步增加負(fù)載。當(dāng)負(fù)載大于3 Nm（等效推力大于2 500 N）并持續(xù)運(yùn)行一段時(shí)間后，芯片就會(huì)出現(xiàn)異常，功率電源進(jìn)入保護(hù)模式。經(jīng)多次測試，發(fā)現(xiàn)三相繞組隨機(jī)有一相出現(xiàn)故障，故障現(xiàn)象均相同，且異常時(shí)刻上橋的PWM均出現(xiàn)400 ns的低脈沖，其中一次C相異常如圖9所示。

2）人為控制低脈沖信號脈寬，觀察故障是否與脈寬有關(guān)。通過修改FPGA系統(tǒng)控制軟件，模擬制造異常現(xiàn)象。將A+B-→C+B-換相時(shí)刻設(shè)為觸發(fā)點(diǎn)，在A相的PWM+信號由高電平變低電平后，人為設(shè)置延遲時(shí)間t（如3.3節(jié)所述，按照50 ns的倍數(shù)進(jìn)行設(shè)定），之后再按照正常相序開通，t分別設(shè)置為350、400、450 和500 ns，經(jīng)多次驗(yàn)證，發(fā)現(xiàn)僅在脈寬為400 ns且負(fù)載超過2.5 Nm（等效推力大于2 200 N）時(shí)，該故障才會(huì)出現(xiàn)，且必然出現(xiàn)，其他情況時(shí)工作均正常。

綜上所述，該故障為三者共同作用：①高負(fù)載；②電機(jī)實(shí)時(shí)換相；③換相時(shí)會(huì)使PWM信號產(chǎn)生脈寬恰好為400 ns的低脈沖信號。

上述三者均為正常情況，但耦合后會(huì)造成MSK4322HD內(nèi)部邏輯控制異常，無法關(guān)閉對應(yīng)的相上橋MOS管。該芯片特性未在芯片手冊上說明。

5" 改進(jìn)措施及驗(yàn)證

5.1" 改進(jìn)措施

由于故障為高負(fù)載、實(shí)時(shí)換相及換相產(chǎn)生400 ns低脈沖三者耦合造成，因此對三者任一解耦即可徹底消除。而進(jìn)一步分析，直接原因是PWM信號相序控制異常導(dǎo)致的芯片工作異常，故而對嵌入式程序進(jìn)行更改。

FPGA內(nèi)部設(shè)計(jì)了三角波式的PWM計(jì)時(shí)器，數(shù)值為1 000，單個(gè)PWM周期內(nèi)計(jì)時(shí)器從500遞減至1，再從1遞增至500。修改前，F(xiàn)PGA檢測到控制區(qū)間（cpc）有變化即進(jìn)行換相，若一個(gè)PWM周期內(nèi)出現(xiàn)相序變化，則會(huì)出現(xiàn)兩次相序?qū)ǖ那闆r。

修改后，單個(gè)PWM周期內(nèi)只允許1次換相，同時(shí)將換相時(shí)刻設(shè)置為每個(gè)PWM計(jì)數(shù)器重新開始的時(shí)刻。FPGA在PWM計(jì)時(shí)器的極值點(diǎn)對當(dāng)前的cpc進(jìn)行鎖存，得到cpc_s，再根據(jù)cpc_s進(jìn)行換相，這樣即使在單個(gè)PWM周期內(nèi)出現(xiàn)相序變化，也不會(huì)改變當(dāng)前周期的信號輸出。修改前后時(shí)序變化如圖10所示。

由圖10可見，修改前，PWM信號時(shí)序?qū)崟r(shí)變化，因此會(huì)導(dǎo)致400 ns低脈沖信號的出現(xiàn)；修改后，PWM信號只在固定時(shí)刻變化，保證每個(gè)時(shí)序?qū)挾裙潭ǎ虼四軌驈母瓷隙沤^故障再次發(fā)生。

5.2" 驗(yàn)證情況

使用修改后的嵌入式軟件、試驗(yàn)設(shè)備及模擬負(fù)載進(jìn)行驗(yàn)證測試，分別在1～4.5 Nm（負(fù)載0～4 000 N對應(yīng)0～4.5 Nm）情況下，以0.5 Nm為步長的共8個(gè)負(fù)載檔位下進(jìn)行了多次跑合驗(yàn)證，均未觸發(fā)功率電源過電流保護(hù)情況。對PWM上橋控制信號的切換時(shí)機(jī)進(jìn)行監(jiān)視，如圖11所示，可見換相時(shí)刻只在每個(gè)PWM周期的起始點(diǎn)。

措施落實(shí)后，后續(xù)的試驗(yàn)中再未出現(xiàn)過該故障。因此，改進(jìn)措施準(zhǔn)確、有效，能夠從根本上解決該故障。

6" 結(jié)束語

本文以MSK4322HD電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部MOS管損傷故障為研究對象，采用故障樹分析法列出了所有相關(guān)底事件，再通過原理分析和實(shí)際測試準(zhǔn)確定位故障為PWM相序控制異常導(dǎo)致的過流損傷；采用2種手段復(fù)現(xiàn)了故障，明晰了故障的產(chǎn)生機(jī)理，做出了應(yīng)改進(jìn)并驗(yàn)證了改進(jìn)措施準(zhǔn)確有效，對MSK4322HD電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片及其他采用PWM信號控制電機(jī)的驅(qū)動(dòng)芯片、電路具有相當(dāng)?shù)膮⒖純r(jià)值。

參考文獻(xiàn)：

[1] 黃元峰，徐松，王海峰，等.直流無刷電機(jī)方波控制系統(tǒng)母線電容紋波電流的分析計(jì)算[J].電工技術(shù)學(xué)報(bào)，2018，33（19）：4544-4552.

[2] 蔣元廣，施周，孫曉東，等.電動(dòng)車用直流無刷電機(jī)不同永磁結(jié)構(gòu)對比分析[J].電氣傳動(dòng)，2019，49（2）：61-65.

[3] 鄭宏，張佳偉，徐文成.基于STM32的直流無刷電機(jī)正弦波控制系統(tǒng)[J].電子器件，2016，39（6）：1521-1526.

[4] 劉鳳麗，楊超，張嘉易，等.基于DSP的直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)[J].光電技術(shù)應(yīng)用，2019，34（2）：50-54.

[5] 閆冉.基于FPGA的無刷直流電機(jī)控制系統(tǒng)仿真及研究[J].信息通信，2018（3）：32-34.

[6] 應(yīng)弋翔，何嘉冰，李沈崇，等.基于MC33035+MC33039的直流無刷電機(jī)速度閉環(huán)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)[J].科技創(chuàng)新與應(yīng)用，2019，280（24）：49-51，54.

[7] 何龍.基于STM32F7的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)[J].科技創(chuàng)新與應(yīng)用，2018（5）：95-96.