秦立峰
(中國電子科技集團公司第十三研究所,河北 石家莊 050000)
近年來,隨著全球消費電子市場的高速持續性發展,市場需求體量劇增,其中虛擬現實、無人機、智能家居等集成化極高的產品備受市場青睞,促使電子元器件向小型化發展。低溫共燒陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic,LTCC)技術由于其獨特的工藝特性以及良好的性能,近年來迅速發展,將無源器件的小型化、輕量化、集成化以及多功能化推向產業化發展階段。
3 dB電橋作為一種四端口的無源微波器件,是一種3 dB的定向耦合器,可將一路主信號功率等分成為有固定相位差的2路分路信號。3 dB電橋廣泛應用于測控通信、雷達探測等系統。例如:3 dB電橋可作為各類分布系統的同頻合路器;可在天饋系統中形成波束;可在各類平衡式放大器中改善端口電壓駐波比(Voltage Standing Wave Ratio,VSWR);可在正交相移鍵控(Quadrature Phase Shift Keying,QPSK)發射機中確定相位誤差等。3 dB電橋的4個端口阻抗匹配良好,因此能方便地集成在各類微波系統。由于3 dB電橋具備的多方面優勢,已成為微波系統的重要產品。
文章研究的內容為能輸出同幅度正交信號的3 dB 90°電橋。在如今的通信系統中,這種電橋的使用范圍非常廣泛。
3 dB 90°電橋是一種相對特殊的定向耦合器,信號流如圖1所示。如果輸入信號從端口1進入,則其信號功率從端口2和端口3等分流出,而端口2和端口3相位正交即相位差為90°,此時端口4為隔離端口。由于該電橋是互易端口,如果信號從端口4流入,那么等分正交信號功率就會從端口2和端口3流出,此時端口1就會成為隔離端口。
設計的3 dB 90°電橋采用LTCC耦合帶狀線來實現(見圖2),端口通過側邊互聯引出,接地面分布在LTCC基板內部,2條耦合的帶狀線分布在基板中間層。

圖2 3 dB 90°電橋耦合帶狀線示意
根據3 dB電橋的基本電路工作原理,耦合帶狀線的長度應為工作頻率的四分之一波長。當工作頻率較低時,四分之一波長帶狀線的長度較長,難以滿足小型化要求,因此可以采用蛇形線或阿基米德螺旋線等方式,合理利用空間,從而縮小電橋的尺寸,實現小型化。由于3dB的耦合度較小,為加強耦合度,需在2層耦合線層之間印刷一層薄介質,減小耦合線間距的同時增強耦合能力。
設計的LTCC類3 dB 90°電橋的主要技術指標如下:工作頻率為1.5~1.7 GHz;回波損耗≤-20 dB;幅度不平衡度≤±0.4 dB;相位不平衡度≤90°±1°;端口隔離度≥20 dB;插入損耗≤0.6 dB;尺寸為2.04 mm×1.29 mm×1.16 mm。
該設計電橋采用0805封裝尺寸,即XY方向的尺寸要求非常小(約2 mm×1 mm),中心頻率為1.6 GHz,四分之一波長帶狀線長度較長(約47 mm),很難在規定尺寸內實現,故采用阿基米德螺旋線設計,如圖3所示。該結構非常緊湊,可充分利用現有XY方向的尺寸,實現較低頻率的3 dB電橋。但是阿基米德螺旋線間距會影響耦合性能,因此需要保證一定的線間距盡量來減小不必要的耦合,以免性能惡化。
采用阿基米德螺旋線只能部分實現降低器件中心頻率和小型化,達不到尺寸要求的0805封裝水平。因此,文章進一步沿器件Z軸中點對稱設計了2組基本一樣的阿基米德螺旋帶狀線,如圖4所示。該設計中間采用大面積地層隔開,以免耦合線之間相互影響。2組阿基米德帶狀線通過層間過孔連接,通過充分利用LTCC多層疊層的特性,大大縮小了器件XY方向的尺寸,降低了器件的中心頻率。

圖4 LTCC多層結構
所設計的3 dB 90°電橋采用介電常數為7.5、介質損耗角正切為0.003的LTCC生瓷帶來實現,印制層采用印刷銀漿方式。
該結構采用金屬半孔進行側邊互聯及接地,代替了金屬側印,在生切或劃片工藝過程中可以降低工藝復雜性,利于產品批產的實現。
根據設計值,利用軟件進行建模,設置好基板磁帶的各類參數,及內層2組阿基米德螺旋帶狀線,利用仿真軟件對其模型(圖5)進行仿真。

圖5 3 dB 90°電橋仿真模型
對插入損耗、回波損耗、幅度不平衡度、相位不平衡度、隔離度等指標進行仿真,結果如圖6~圖10所示。

圖6 插入損耗

圖7 回波損耗

圖8 隔離度

圖9 幅度不平衡度

圖10 相位不平衡度
從仿真結果可知,該電橋各項指標優異,尺寸僅為2.04 mm×1.29 mm×1.16 mm,滿足LTCC類3 dB 90°電橋的主要技術指標設計要求。
文章介紹了一款1.5~1.7 GHz的小型化3 dB 90°LTCC電橋,重點分析了實現小型化的具體結構。該電橋采用2條耦合阿基米德螺旋線的方式來實現,結構新穎,頻率調整靈活。經建模仿真可知,設計的小型化3 dB 90°LTCC電橋仿真指標良好、尺寸小,符合要求。