一種半導體結構、半導體結構的制備方法和熱電堆傳感器

申請號: 202310125271.9

【申請日】2023.02.06

【公開號】CN115988946A

【公開日】2023.04.18

【分類號】H10N10/17;G01J5/12;H10N10/01;H10N10/13

【申請人】深圳市匯投智控科技有限公司

【發明人】周正;楊力建;倪梁;盧惠棉

【摘 要】本發明涉及一種半導體結構、半導體結構的制備方法和熱電堆傳感器。包括：襯底，襯底的上表面開設有凹槽，襯底的下表面開設有背腔，其中，凹槽與背腔相對設置；介質疊層，位于襯底的上表面和凹槽內，介質疊層的下表面外露于背腔；導電層，位于介質疊層的上表面，導電層上開設有多個開口，開口貫穿導電層；隔離層，位于開口內和導電層的上表面，隔離層在開口所在位置處與介質疊層接觸，隔離層上設有多個接觸孔，接觸孔與開口在半導體結構的厚度方向上錯位設置；導電結構，設置在接觸孔，并與導電層接觸。采用本發明能夠在不增加面積的情況下提高靈敏度。