經顱直流電刺激對早發性精神分裂癥的神經生化、認知及氧化應激的改善作用

王錦 呂小娟

(西安市精神衛生中心,(1.婦女心理衛生一科;(2.社會救助科,陜西 西安 710000)

早發性精神分裂癥主要指的是青少年時期出現的癥狀,大約占所有的精神分裂癥患者中33%[1]。目前臨床上主要采用藥物治療和心理治療等方式進行干預。現非侵入性腦刺激技術常被用于精神科相關疾病的治療中,其主要作為一種輔助技術,比如目前臨床上使用廣泛的重復經顱磁刺激、經顱直流電刺激等,其中經顱直流電刺激主要的優勢在于刺激的強度比較小,并且干預效果持續時間長,價格低,電刺激干預后,患者出現的不良反應發生率更低,因此,其使用頻率更高[2]。本文主要探討經顱直流電刺激用于臨床早發性精神分裂癥患者中,對其神經生化、認知功能以及氧化應激系統的改善作用。

1 資料與方法

1.1一般資料 選取2018年1月至2020年12月我院就診的早發性精神分裂癥患者113例,根據是否經顱直流電刺激治療分為真刺激組和假刺激組。真刺激組63例,男31例,女32例,平均年齡(15.47±2.32)歲,平均病程(11.54±2.12)月,藥物(利培酮)劑量(4.32±0.48)mg/d,PANSS評分(47.76±5.65)分,陽性評分(12.47±3.27)分,陰性評分(18.68±7.54)分,一般病理評分(26.64±4.51)分;假刺激組50例,男25例,女25例,平均年齡(15.39±2.54)歲,平均病程(11.28±2.12)月,藥物(利培酮)劑量(4.35±0.56)mg/d,PANSS評分(45.87±5.75)分,陽性評分(12.38±5.11)分,陰性評分(17.43±5.22)分,一般病理評分(25.77±6.13)分。納入標準:均符合臨床早發性精神分裂癥的診斷標準[3];教育水平均在初中及以上;年齡13～18歲;所有患者意識均正常;近1月內藥物劑量(利培酮)均處于穩定狀態;均處于穩定期。本次研究已經獲取我院倫理委員會的批準,患者均知情同意。排除標準:處于妊娠期婦女;伴有神經系統方面的疾病者;存在酒精依賴史者;合并有腦器質性病變者;中途退出本次研究者。兩組患者一般資料比較差異不顯著(P>0.05)。

1.2方法 兩組患者在進行經顱直流電刺激治療前,均予以常規治療。在開始電刺激治療前,先予以適量的生理鹽水溶液將海綿浸潤處理,在進行電刺激治療時,叮囑患者觀察相同的風景圖片。首先將儀器的陽性電極置于患者左側背外側前額葉皮層位置處,另外再將陰性電極置于患者FP1/F7/C3等位置處,對于真刺激組的患者均予以電流為1.5 mA進行刺激處理,刺激時間為20 min,并且電流的遞增和遞減時間均為30 s,另外對于假刺激組的患者,電刺激相關的參數均保持一致,但是本組患者僅僅在開始刺激的30 s以及電刺激前的30 s接通電流。兩組患者電刺激頻率1次/d,持續治療10 d。

1.3觀察指標 干預前后,觀察比較兩組患者神經生化[多巴胺(DA)、5-羥色胺(5-HT)、促腎上腺皮質激素(ACTH)];采用認知功能成套測驗共識版(MCCB)判定兩組患者的認知功能;觀察比較兩組患者的氧化應激相關指標[二硫化谷胱甘肽(GSSG)、NO、腦源性神經營養因子(BDNF)]的變化情況。

2 結 果

2.1兩組患者神經生化相關指標比較 干預前,兩組神經生化相關指標比較差異不顯著(P>0.05),干預后,兩組神經生化指標(DA、5-HT、ACTH)分別與干預前比較差異顯著(P<0.05),且真刺激組的神經生化指標均顯著高于假刺激組(P<0.05)。見表1。

表1 兩組患者神經生化相關指標比較

2.2兩組患者認知功能比較 干預前,兩組患者的認知功能比較差異不顯著(P>0.05),干預后,真刺激組患者認知功能評分顯著高于假刺激組患者(P<0.05)。見表2。

表2 兩組患者認知功能比較

2.3兩組患者氧化應激相關指標比較 干預后,兩組氧化應激相關指標比較差異顯著(P<0.05)。見表3。

表3 兩組患者氧化應激相關指標比較

3 討 論

有研究顯示[4],精神分裂癥患者其認知功能損傷的核心主要與背外側前額葉的異常存在一定的關系,一定程度上為經顱直流電刺激用于精神分裂癥患者提供參考。

本文結果顯示,真刺激組患者的認知功能評分顯著高于假刺激組(P<0.05),進一步予以經顱直流電刺激干預以后,不僅對患者的推理以及解決問題具有改善作用,同時對患者的注意/警覺以及工作記憶等方面均存在改善效果。分析其因,主要由于經顱直流電刺激通過患者顱內組織特定的區域增加電流干預,進而提高患者腦皮層的興奮程度,進一步對受抑制的腦區域發揮激活作用,最終改善患者大腦認知區域的功能[5]。

BDNF可以通過影響神經元的生長以及功能,進一步影響患者的認知功能。另外氧化應激主要破壞患者的神經元,進一步加深對患者的認知功能損傷程度[6]。。本文結果發現,真刺激組患者神經生化、氧化應激相關指標與假刺激組患者比較,均存在顯著性差異(P<0.05),提示經顱直流電刺激干預用于精神分裂癥患者,能夠對患者的神經生化以及氧化應激系統發揮改善作用。分析原因,可能由于經顱直流電刺激通過抑制興奮性氨基酸谷氨酸(Glu)以及天冬氨酸(NMDA)受體,Glu則進一步抑制NMDA受體的活性,從而抑制Ca2+超載,抑制過氧化物以及NO等物質的產生,進一步減輕神經興奮性毒性程度,改善患者大腦神經元以及突觸功能,最終改善精神分裂癥患者的認知功能障礙;另外也可能由于經顱直流電刺激干預,促進BDNF的分泌,進一步通過NMDA受體介導的下游信號通路,進一步增強患者海馬組織中依賴的AMPA受體的突觸信號通路過程,進一步對精神分裂癥患者的認知功能發揮保護作用[7]。改善精神分裂癥患者的氧化應激系統,進一步改善患者神經生化指標,減輕患者神經元系統的損傷,最終改善患者的認知功能。

綜上,對于臨床早發性精神分裂癥患者,予以經顱直流電刺激治療,能夠有效提高患者的認知功能,同時改善患者神經生化以及氧化應激系統,應用前景良好。