林蘭英：中國半導體材料科學先驅

林蘭英（1918—2003），我國半導體材料學家、物理學家，中國科學院院士，曾任中國科協副主席。林蘭英成功研制出我國第一根硅、銻化銦、砷化鎵、磷化鎵等單晶，為我國微電子和光電子學的發展奠定了基礎。她曾兩次榮獲國家科技進步獎。

1918年2月，林蘭英在福建莆田出生。幼年的她勤勞敏學，心靈手巧。在林蘭英6歲時，受封建思想影響的母親不允許她去學校讀書。為了獲得上學的機會，她把自己反鎖在房間，近三天不吃不喝，以絕食明志，才獲得了和家里男孩一樣的受教育機會。林蘭英深知學習機會來之不易，平日學習非常刻苦，從初中到高中，她每個學期的總成績都是年級第一。

1936年，林蘭英以優異的成績考入福建協和大學（是今福建大學和福建農林大學的主要前身）。畢業后，林蘭英留校任教。1948年，她以留學生身份前往美國迪金森學院數學系留學。1949年，林蘭英順利獲得該學院的數學學士學位。當時，她的導師推薦她到芝加哥大學數學系繼續學習，但林蘭英懷著“一切都應該服從祖國建設事業的迫切需要”的想法，果斷改學固體物理專業。當時，國內對這一領域的研究還是一片空白。同年秋，林蘭英進入美國賓夕法尼亞大學研究生院學習固體物理。

1955年，林蘭英成為賓夕法尼亞大學第一位中國博士，也是該校第一位女博士。博士畢業后，林蘭英受聘于索菲尼亞公司，負責半導體科研工作。在她的指導下，該公司成功造出第一根硅單晶……公司連續三次提高她的年薪，各種獎勵也接踵而來，但林蘭英卻一刻也沒有放下回國建設新中國的念頭。

1957年春天，林蘭英沖破層層阻礙，回到了闊別數載的祖國，進入中國科學院應用物理所工作，并馬上著手開展半導體研究工作。當時，我國的半導體事業十分落后，林蘭英僅用半年時間，就研制出了我國第一根鍺單晶。接著，她僅用一個月的時間，就研制出n型和p型的鍺單晶各1公斤。她研制的鍺單晶為北京電子管廠生產的半導體收音機提供了制造原材料。1958年，中國生產出了第一臺半導體收音機。

林蘭英曾說：“我們中華兒女，要有民族自尊心，要有自力更生的精神。我們中國的科學，只有敢于走自己的路，勇于向前沖，沖到別人前頭，才能站在科學的前沿位置。”20世紀60年代，硅單晶已經取代鍺單晶成為新的半導體材料，但中國卻還沒有生產出硅單晶材料。經過摸索，林蘭英提出用抽高真空技術拉制硅單晶的方法。經過幾個月的實驗，她自己動手設計并制作了一臺硅單晶爐。1962年，林蘭英使用這臺硅單晶爐拉制出中國第一根無位錯硅單晶。

在成功拉制無位錯硅單晶后，林蘭英又把制造砷化鎵單晶事宜提上日程，砷化鎵單晶是用于微電子領域和光電子領域的材料。1962年10月，林蘭英成功拉制出砷化鎵單晶，該砷化鎵單晶的電子遷移率達到當時世界最高水平。20世紀80年代，林蘭英提出在太空微重力條件下拉制砷化鎵的設想。1987年8月，這一設想最終在我國第9顆返回式人造衛星上實現。

晚年的林蘭英，將精力放在培養年輕科研工作者上，包括吳德馨、王占元兩位院士在內的大批優秀科研工作者，都曾得到林蘭英的悉心教導。

林蘭英研究半導體材料科學40余年，把畢生的精力獻給了我國的半導體材料科學事業。在她的推動下，我國在半導體材料科學研究中取得了令世人矚目的成就。

（本文根據學習強國福建學習平臺、《人民日報》、《學習時報》等登載的相關內容整編。）