CMOS 圖像傳感器及其形成方法

申請?zhí)? 202310630542.6

【申請日】2023.05.26

【公開號】CN116435323A

【公開日】2023.07.14

【分類號】H01L27/146

【申請人】武漢新芯集成電路制造有限公司

【發(fā)明人】羅清威; 周雨薇

【摘 要】本發(fā)明涉及一種CMOS 圖像傳感器及其形成方法。所述CMOS 圖像傳感器中，源極跟隨晶體管的柵極包括位于柵極溝槽內(nèi)的第一柵極和位于半導體襯底上且與所述第一柵極連接的第二柵極，相對于在半導體襯底上方形成源極跟隨晶體管的柵極，在占據(jù)像素平面面積不變的情況下，可以增加所述源極跟隨晶體管的柵極覆蓋的半導體襯底的面積，即增加了源極跟隨晶體管的溝道長度，便于在確保源極跟隨晶體管溝道長度足夠從而確保CMOS圖像傳感器的性能的同時，縮小源極跟隨晶體管所占據(jù)的像素平面面積，有利于像素縮小，提升CMOS 圖像傳感器的性能。