大板干粒拋生產(chǎn)工藝控制技術(shù)

李清蓮 陳健 楊濤 熊勛旺 查武華

關(guān)鍵詞：配方;干粒;工藝;生產(chǎn)問(wèn)題

1前言

陶瓷大板作為一款新型陶瓷產(chǎn)品，以其超大規(guī)格的特性，能承載比傳統(tǒng)陶瓷磚更為豐富的紋理元素，結(jié)合先進(jìn)的技術(shù)水平，可實(shí)現(xiàn)高抗折高強(qiáng)度的生坯品質(zhì)。陶瓷大板具備裝飾效果簡(jiǎn)潔大氣、留縫少、避免藏污納垢、施工鋪貼效率高等優(yōu)勢(shì)，其在高端家居產(chǎn)品市場(chǎng)中的占有率將不斷增大。然而，陶瓷大板表面積較大，導(dǎo)致釉面缺陷增多，目前市場(chǎng)上的陶瓷大板多采用鐘罩淋釉漿來(lái)制成，此方法對(duì)釉漿自身性能要求很高，若釉漿水分含量太低，施淋后易產(chǎn)生痱子，水分含量太高，易導(dǎo)致生坯吸水破裂，同時(shí)淋釉工藝易產(chǎn)生水波紋，使燒成后的釉面呈不平整的波浪狀。特別是對(duì)于具有亮光效果的陶瓷大板，由于表面釉層自身燒成溫度低，在高溫窯爐環(huán)境里較敏感，極易出現(xiàn)坯、釉、窯爐三者溫度不匹配的問(wèn)題，導(dǎo)致燒成后表面出現(xiàn)針孔、毛細(xì)孔以及磚形太拱拋光露底等缺陷。

2干粒產(chǎn)品配方技術(shù)

2.1坯體配方

其配方組成：風(fēng)化鋁砂36%、鉀鈉砂30%、鎂質(zhì)土5%、黑泥10%、膨潤(rùn)土9%、磨邊渣8%、拋光渣2%按以上配方配料加工球磨，并添加0.5%解膠劑、0.4%水玻璃、使用0.1%的PVA提高坯體的強(qiáng)度。

2.2底釉料配方

其配方組成：20%鈉長(zhǎng)石、8%鉀長(zhǎng)石、20%霞石、25%石英、8%水洗高嶺土、15%煅燒氧化鋁、3%燒滑石和1%白云石。

底釉層采用高膨脹系數(shù)釉料配方，配方膨脹系數(shù)干粒層<坯體層<底釉層，坯體層膨脹系數(shù)為190-210，底釉層膨脹系數(shù)為250-270。使出窯磚形拱變形在可控范圍內(nèi)。

3生產(chǎn)工藝技術(shù)

3.1生產(chǎn)工藝流程圖

3.2關(guān)鍵工序工藝控制技術(shù)

關(guān)鍵工序工藝控制技術(shù)：釉線淋釉工藝控制、噴墨工藝控制、布干粒工藝控制、釉線干燥工藝控制、窯爐工藝控制、拋光工藝控制。

3.2.1面釉

通過(guò)鐘罩淋釉器把面釉均勻的淋在素坯表面，面釉不僅可起到美白的作用，在燒成時(shí)也可壓制坯體產(chǎn)生的氣體沖到干粒層。釉漿性能要求：流速控制在30-40s 之間，比重控制在1.84-1.88g/cm3 之間。淋釉量：310-340g/m2 的干料

3.2.2噴墨印花

為呈現(xiàn)陶瓷大板一石多面的紋理效果，采用一種方法將陶瓷板上的噴墨打印圖案進(jìn)行邊緣擴(kuò)展，在燒成后將擴(kuò)展的邊緣通過(guò)打磨去除，能排除坯體燒成收縮率的影響，使陶瓷板在拼合后，圖案能吻合，當(dāng)多塊陶瓷板鋪設(shè)后，圖案紋理能在一面或多面延伸，使得圖案紋理隨意自然、立體感強(qiáng)。

3.2.3布施干粒

在布干粒前噴第一道膠水：通過(guò)AIRQOEWR擺動(dòng)噴釉柜，把調(diào)整的膠水均勻的噴在磚面上，形成一道膠水層，再布上干粒，膠水把干粒固定住。膠水性能要求：膠水和保護(hù)釉漿按一定比例混合均勻，比重控制在1.10-1.15g/cm3 之間，同時(shí)添加0.03%左右的排墨劑和消泡劑。噴膠水量：160-200g/m2。

布干粒：通過(guò)干粒機(jī)把干粒均勻的撒在磚面上。布干粒量控制在770-810g/m2之間，左中右重量差控制3g/350cm×350cm盤(pán)以內(nèi)。

噴第二道膠水：通過(guò)水刀機(jī)把調(diào)整的膠水均勻的噴在干粒上，上層膠水滲入干粒層把干粒進(jìn)一步固定。膠水性能要求：膠水和保護(hù)釉漿按一定比例混合均勻，比重控制在1.15-1.2g/cm3 之間，同時(shí)添加0.05%左右的消泡劑，如果窯頭有吸干粒現(xiàn)象，可再添加3%的膨潤(rùn)土溶液。

噴膠水量：160-200Nm2，左中右差值。控制在2g/350cm×350cm盤(pán)以內(nèi)。

3.2.4釉線干燥

干燥窯長(zhǎng)約20 米，干燥溫度控制150-200℃，熱量來(lái)源窯爐余熱和天然氣直燒。

溫度控制要求：溫度不能過(guò)低，低了達(dá)不到烘干效果，高了容易斷磚，特別是9mm 以下的薄磚。11mm 磚出干燥溫度控制在60-70℃，9mm 磚控制在55-65℃之間。

3.2.5窯爐工藝

通過(guò)380m 長(zhǎng)的窯爐，在1200℃下，燒成周期75-80min。入窯水分控制在0.7%以下，為了防止干粒被吸走，窯頭面抽第一組閘板開(kāi)度2cm，第二第三組全關(guān)。面抽關(guān)小后，要特別注意窯內(nèi)壓力的變化，要防止壓力過(guò)大造成窯體損傷。如表1 所示。

3.2.6拋光工藝

干粒拋產(chǎn)品高溫煅燒后表面會(huì)形成一層堅(jiān)硬的晶相層，一般全拋釉產(chǎn)品軟拋使用的彈性模塊無(wú)法拋深，需使用切削力強(qiáng)的斜齒彈性磨塊進(jìn)行硬拋，拋后效果能達(dá)到高平鏡面的品質(zhì)要求，以下為拋光工序大致模塊排比：

拋光模塊排比：彈性磨塊：60×4，平板磨塊：180目×6，240目×5，300目×5，400目×6，斜齒彈性磨塊：400目×4，500目×5，普通彈性模塊600目×6，800目×5，1000目×4，1200目×4，1500目×4，2000目×4，拋光線速約每分鐘3件。

4生產(chǎn)問(wèn)題分析及解決技術(shù)

4.1磚形

通過(guò)調(diào)整坯釉干粒配方膨脹系數(shù)，使出窯磚形拱變形在可控范圍內(nèi)，通過(guò)提高底釉層膨脹系數(shù)抵消部分應(yīng)力，以提高坯體層、底釉層以及干粒層的適應(yīng)性，避免表面出現(xiàn)釉裂和脫落的缺陷，從而使得出窯磚形最佳。后期通過(guò)拋光深拋解決，其中平板模塊的切削量大，能把磚面凹凸不平的位置削平，斜齒模塊能有效的消除水波紋。

4.2針孔、毛細(xì)孔

通過(guò)膠粒保護(hù)層中的細(xì)粉干粒填充于面層干?？p隙中，能夠有效起到排氣作用，膠粒保護(hù)層的噴涂量限定范圍20-25g（350mm×350mm），如膠粒保護(hù)層的噴涂量太少，則當(dāng)膠粒保護(hù)層均勻平鋪后，細(xì)粉干粒過(guò)少，無(wú)法很好地填充在面層干?？p隙中，燒成時(shí)難以排氣，釉面毛孔增多;如膠粒保護(hù)層的噴涂量過(guò)多，則容易導(dǎo)致燒成熔融時(shí)填滿面層干?？p隙，導(dǎo)致排氣困難，釉面毛孔較多。

5結(jié)語(yǔ)

綜上可知，干粒拋產(chǎn)品生產(chǎn)是一個(gè)需要綜合性要求很高的工藝控制技術(shù)，各個(gè)崗位工序標(biāo)準(zhǔn)的制定和生產(chǎn)過(guò)程的變量是每一個(gè)問(wèn)題解決的出發(fā)點(diǎn)，但不可因?yàn)楣に嚰夹g(shù)難控制而忽視各細(xì)節(jié)的管理。