歐盟半導體政策對中國的啟發

王靜雅 孫宇寧 于鋼

摘 要：歐盟是全球半導體產業的發源地之一，提出半導體研究戰略、提高歐洲芯片產能、協調國際伙伴關系等應對方案，對于當前中國在半導體領域的建設，具有借鑒意義和參考價值。本文深入分析歐盟的半導體發展歷史和芯片危機的成因，對半導體的生態失衡進行現狀分析，詳細闡述歐盟采取的應對措施，最后從我國的半導體發展史上，剖析我國半導體建設所面臨的困境，結合歐盟措施總結出相應的對策。

關鍵詞：歐盟，危機，半導體，芯片法案

DOI編碼：10.3969/j.issn.1002-5944.2023.19.039

基金項目：本文基于中央級科學事業單位改善科研條件專項2022年項目“面向多邊貿易合作的技貿措施研究能力建設（一期）”（項目編號：[2060503]150019000000210006）成果支持。

Enlightenment of European Unions Semiconductor Policy to China

WANG Jing-ya* SUN Yu-ning YU Gang

（China National Institute of Standardization）

Abstract： The EU is one of the birthplaces of the global semiconductor industry， and it has proposed semiconductor research strategies， increased European chip production capacity， and coordinated international partnerships and other response plans， which has signifi cance and value of reference for Chinas current construction in the semiconductor fi eld. This paper deeply analyzes the history of semiconductor development in the EU and the causes of the chip crisis， analyzes the current situation of the ecological imbalance of semiconductors， and elaborates on the measures taken by the EU. Finally， from perspective of the history of Chinas semiconductor development， the paper analyzes dilemma faced by Chinas semiconductor construction， and summarizes the corresponding measures， in combination with EU measures.

Keywords： EU， crisis， semiconductor， Chip Act

0 引 言

追溯半導體行業發展的起源，歐盟當屬早期發展的國家，這是由于如今的三大半導體領軍企業英飛凌、恩智浦、意法半導體均起家于歐洲。在2021年，歐盟出現了前所未有的芯片方面的重大問題，在半導體領域的芯片供應方面發生短缺現象，甚至到了斷供的地步。

2022年2月，歐盟隨即發布了籌措良久的《芯片法案》[1]，著力通過積極的產業政策參與全球技術競爭，提升歐盟尖端技術能力并反哺地區產業鏈調整。

歐盟《芯片法案》的確立，對于中國在國內外半導體領域建設的過程中，有著重要的借鑒意義，啟發著我國在創新能力、人才培養、基礎研究、國際合作這四個方面做出相應的優化措施。

1 歐盟半導體生態失衡的現狀分析

1.1 歐盟半導體危機的背景

就半導體領域的發展而言[2]，歐盟各個國家大多以工業巨頭為引領來探索半導體領域。自二戰后，歐盟的半導體發展分為三個階段。

第一階段，自20世紀50年代到70年代末期，歐盟半導體初露鋒芒。第二階段，自20世紀80年代到21世紀初期，歐盟三足鼎立局面出現。第三階段，歐盟推出兩大計劃推進半導體技術的發展。

總之，歐盟已經意識到半導體領域的重要性，但是在半導體行業領先的某些歐盟國家，其采取的措施過于強硬，過分干擾市場和企業。

1.2 歐盟半導體危機的成因

第一，歐盟半導體價值鏈和供應鏈布局不均衡[3]。歐盟在處理器和內存等數字邏輯方面設計能力較弱，并且歐洲公司目前掌握的半導體生產技術在核心領域占比不大，所以歐盟對半導體價值供應鏈不得不給予相當大的重視。

第二，歐盟在半導體領域的產業建立在不同地區的相互協調的工作系統上，其過分依賴外部企業的專業供應。

第三，歐盟在芯片領域推出的政策主要是提供財力的支持，而對歐盟市場化供應鏈的干預和戰略整合不足。

2 戰略措施—《芯片法案》

歐盟《芯片法案》[4]的內容主要由三部分構成，分別是制定歐洲半導體研究戰略、提高歐洲芯片的產能、國際合作和伙伴關系機制，服務于歐洲戰略自主和技術主權的需求。

2.1 第一支柱：制定歐洲半導體研究戰略

歐盟委員會認為，在工業競賽中歐盟的研究能力是主要的競爭優勢。致力于尋求打破歐盟尖端領域芯片技術的瓶頸，目標是歐盟可以達到自主生產半導體領域的尖端技術水平。但是，當前歐盟的芯片生產在14納米左右，有關部門認為要設計2納米的芯片來減少對他國的依賴，提高歐盟對芯片供應鏈中斷的修復能力，彈性應對芯片短缺的危機。

2.2 第二支柱：提高歐洲芯片的產能

第二支柱的目的在于確保歐盟半導體系統在工藝制造的各個環節的生產可靠性以及晶圓廠的供應。

第一，建造“巨型晶圓廠”，大力發展芯片生產，達到2納米工藝熟練的水平，進而量產尖端半導體領域的芯片[5]。

第二，引入首創設施和最先進工廠的概念。在全球信息革命的背景下，芯片的更新迭代呈現較快的趨勢，而代工廠顯示出一定的優勢，這對價值供應鏈產生一定的影響，可以以此來擺脫第三國制作商的依賴。

第三，歐盟在成員國建造“一體化生產設施”（IPF）和“開放代工廠”（OEF）。IPF作為歐盟最前沿的半導體設計企業，其業務領域包括半導體芯片制造的全部加工方式和集成電路的組裝、封裝等環節。

2.3 第三支柱：國際合作和伙伴關系機制

第三支柱的目的主要使歐洲的半導體供應鏈在地域上呈現多樣化的現象，以此降低對特定國家的依賴，以及減少從他國供應商專有技術的進口。

第一，歐盟致力于培育一個打破特定地域依賴、引進歐洲大陸、面向未來的半導體生態系統[6]。

第二，尋求推進歐盟的供應鏈改革[7]。為了能夠迅速應對當前的芯片短缺危機，歐盟委員會制定出一份面向成員國的建議清單來簡化成員國的政策，并與美國和其他國家建立伙伴關系，以建立一個更具彈性的全球半導體網絡系統。

第三，建立全球芯片供應短缺的預警機制。對于芯片的短缺做到未雨綢繆，據《芯片法案》的提出，歐盟要執行協調采購方式，對于稀有的核心芯片技術生產可移交第二支柱的相關公司，為這些公司爭取到最大化利益。

第四，設立歐盟半導體專項基金作為補充機制。該基金用以補充歐盟和國家層面現有的融資機制，以及支撐意大利、德國、法國等多個歐盟成員國聯合籌措的關于微電子及通訊技術的歐洲共同利益重要項目（IPCEI）。

3 歐盟政策對中國半導體的啟示

3.1 中國半導體現狀

2003年，世界頂級半導體公司陸續在中國建立大廠，截至2003年，我國半導體企業總數達到700家左右，其中IC設計廠450家，芯片制造廠49家，封裝測試廠108家，半導體分立器件129家，其IC銷售額達到351.4億元[8]。

2018年，中國在半導體領域進行股權投資、優惠貸款等許多支持半導體行業的措施，建立了不少于52座晶圓廠，設立500億美元的半導體基金，在半導體領域的總投資超過一千億美元[9]。

2022年，美國有關當局下達禁止我國使用下一代全環柵晶體管的EDA 軟件，企圖阻止我國參與研發芯片核心技術，迫使我國止步于當前的鰭式場效應晶體管技術[10]。

當前，我國的現有半導體技術水平落后全球前沿技術水平兩代以上，在這樣落后的情況下，無法解決我國半導體領域關鍵核心技術缺乏的問題。

3.2 中國半導體建設所面臨的困境

第一，人才嚴重短缺[11]。我國在半導體領域的研究先天優勢不足，基礎研究人才不多，并且從事半導體領域研究的科研人員寥寥無幾。

第二，半導體領域的基礎研究投入不足[12]。比如，美國在半導體領域投入的資本研發已經超過了全世界各個國家總和的兩倍，對比我國的半導體研發來看，在該領域的研發一直沒有美國的百分之五。

第三，缺乏創新能力。美國的許多半導體領域的大學教授與半導體行業巨頭英特爾、三星和臺積電都有相關的半導體課題研究，對比我國來看，到現在為止并沒有類似的組織或機構投入該領域研究開發。

3.3 中國半導體建設的建議

3.3.1 加強半導體基礎能力建設

我國政府部門應當頒布強制政策以此來逐步解決半導體領域所存在的歷史遺留問題[13]。重新謀劃半導體的發展策略，著力研究國際上前沿的科學理論知識和核心技術，大力支持有條件的高校創立半導體研究機構。建議國家自然科學基金委員會為半導體基礎研究設立基金以資鼓勵，并且設立相關的半導體基礎研究院，招募更多優秀的人員加入，提升我國半導體的基礎研究力量。

3.3.2 重視人才培養

當前我國半導體的發展最缺乏的是人才，在這其中不僅有基礎的技術人員，也涵蓋經驗豐富的企業領導人員[14]。采取高額的薪資來聘請半導體方面的專家，甚至給予更高的待遇。倡導校企合作，學校不僅向企業輸送人才，企業也要搭建廣泛的合作交流平臺。

3.3.3 提升自主創新能力

我國應當以國家第三代半導體技術創新中心建設為核心[15]，聯合我國各個地區的創新資源，形成資源共享的局面，持續推進大尺寸硅片、高質量SiC、GaN第三代半導體材料的前沿技術創新。其次，中國科學院作為全國性的科學研究院，應當積極倡導團隊協作，以團隊協作的力量推進半導體的創新發展。

3.3.4 加強與半導體材料發達國家的合作

制約我國半導體行業發展的核心問題是半導體原材料供給不足。強烈建議與在半導體領域有著先進技術的國家合作，提高與發達國家的經濟交流和技術交流，搭建好國內外相協調的半導體供應鏈。鼓勵企業在第三代半導體材料領域的研究，大力支持企業拓展市場與海外合作，不斷提升我國在半導體領域的國際地位和競爭能力。

4 總結

歐盟《芯片方案》的推出，體現出歐盟不僅在國內制定半導體研究戰略、提高產能，而且在國際上提出合作機制，以此來應對芯片危機。本文分析了歐盟半導體生態失衡的原因，詳細解讀歐盟《芯片法案》的三大支柱，啟示我國在半導體領域，國內，加強半導體基礎能力建設，重視人才培養，提升我國半導體領域的自主創新能力；國外，加強與半導體材料發達國家的合作，形成國內外協調發展，致力于將我國半導體水平發展到全新的階段。

參考文獻

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[15]曾卉潔.中國第三代半導體產業：發展存在過熱趨勢應避免惡性競爭[J].高科技與產業化，2023，29（3）：16-19.

作者簡介

王靜雅，通信作者，本科，研究方向為標準信息與資料服務分析。

孫宇寧，碩士，研究方向為標準信息與資料服務分析。

于鋼，碩士，研究方向為標準化與信息化產業。

（責任編輯：張瑞洋）