新技術讓6G半導體導電性增至4倍

日本大阪大學、三重大學、美國康奈爾大學的研究團隊開發出了用于“6G”的半導體成膜技術。研究團隊開發出了去除成膜過程中產生的雜質的方法，把晶體管材料的導電性提高到原來的約4倍。計劃應用于產業用途，例如在高速無線通信基站上增幅電力等。

研究團隊開發出了用氮化鋁代替氮化鋁鎵的高電子遷移率晶體管（HEMT）制造技術。原來在成膜過程中氮化鋁表面發生氧化，由此產生的氧雜質改變氮化鋁的結晶，難以獲得高導電性。通過形成非常薄的鋁膜，還原表面的氧化膜，并使其揮發，解決了這一問題后，導電性將提高到原來的3～4倍。