專利名稱:
專利申請號:2022105724409
公布號:CN114914268A
申請日:2022.05.24 公開日:2022.08.16
申請人:湘能華磊光電股份有限公司
本發明提供了一種微尺寸LED芯片結構,包括襯底和間隔設置在襯底上的多個微尺寸芯片結構;每個所述微尺寸芯片結構均包括外延片結構、支撐轉移層、P電極和N電極。本發明又提供了一種制備所述的微尺寸LED芯片結構的制備方法,包括:步驟S1、制備外延片結構;步驟S2、制備支撐轉移層;步驟S3、制備N電極和P電極。本發明還提供了一種剝離所述微尺寸LED芯片結構的剝離方法,包括步驟W1、形成切割縫隙;步驟W2、定向腐蝕;步驟W3、襯底剝離。本發明能夠實現多個微尺寸芯片的批量轉移,大大地降低了剝離轉移時間和轉移成本,顯著地提高了生產效率。