微結構顯微光學無損檢測方法（特邀）

高志山，袁群，孫一峰，馬劍秋，郭珍艷，朱丹，趙雨晴，霍霄，王書敏，張佳樂，周行，吳春霞，范筱昕

（南京理工大學電子工程與光電技術學院，南京210094）

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近些年，世界范圍內的芯片供應鏈問題頻出，出現“芯片荒”現象，引起了公眾對“芯片”相關技術問題的關注。廣義地講，芯片是由一系列滿足特定物理規律、尺寸且在微納米量級的微納結構組成。當前芯片微納結構的發展方向，一方面按照摩爾定律朝著更細的線寬節點、更高密度方向發展；另一方面，為獲得更大響應面積，朝著高深寬比值愈來愈大的方向發展。這些發展方向要求相應的檢測技術能夠快速、無損、信息量大。經過30 多年的飛速發展，我國在大多數工程領域建設了成套完備的制造裝備和工藝技術基礎，但在有關芯片的技術體系、成套裝備等方面，還需要開展更多的變革性技術和關鍵技術攻關。

隨著光刻技術、激光加工技術的發展，具有獨特物理性能和精細調控光子、電子的微結構種類很多，應用領域廣泛。微結構出現在不同的制程工藝階段，為了工藝過程的優化，所需的檢測儀器基于不同的物理工作原理，種類繁多，有借助于掃描電鏡（Scanning Electron Microscope，SEM）的破壞型檢測方法［1-2］，也有無損檢測法［3］，有檢測單參量的技術［4］，也有檢測多參量或三維數據的技術［5］。檢測技術之間的采樣尺度與分辨率不同，存在互補或具有相互校驗作用。本文針對微結構參數光學顯微無損檢測技術，結合作者所在研究團隊的研究工作，分析現有無損檢測方案的技術特點，適用對象和優缺點，提出我們的解決方案并給出測量結果。……