西安電子科技大學在超寬禁帶半導體氧化鎵功率器件研究方面取得重要進展

近期，西安電子科技大學郝躍院士團隊張進成教授、周弘教授等在超寬禁帶半導體氧化鎵功率器件研究方面取得重要進展，研制出一種新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半導體異質結二極管。該結構通過異質結空穴超注入效應，實現了兼具超高耐壓和極低導通電阻的氧化鎵功率二極管，功率優值高達13.2GW/cm2，是當前氧化鎵半導體器件的最高值。與當前產業界火熱的第三代半導體GaN和SiC相比，該功率器件在相同耐壓情況下具有更低的導通電阻，應用于電能轉換領域將實現更低的功耗和更高的轉換效率。相關成果以《Ultra-wide bandgap semiconductor Ga2O3power diodes》為題發表于國際期刊《自然·通訊》（Nature Communications）。