像素結構、圖像傳感器及終端

申請號: 202210899224.5

【申請日】2022.07.28

【公開號】CN115064562A

【公開日】2022.09.16

【分類號】H04N5/355;H01L27/146;H04N5/369

【申請人】上海華力微電子有限公司

【發明人】杜重凱; 秋沉沉; 錢俊

【摘 要】本發明公開了像素結構、圖像傳感器及終端，屬于圖像傳感器工藝技術領域，該像素結構，包括襯底；第一導電類型的浮置擴散區，形成在所述襯底中；至少兩個面積不同的第二導電類型的感光區，形成在所述襯底中，所有的所述感光區圍繞所述浮置擴散區分布且共用所述浮置擴散區；隔離區，設置在位于所述浮置擴散區同一側的相鄰所述感光區之間的襯底中；傳輸柵，與各個所述感光區一一對應且設置在各個所述感光區的襯底上。通過在像素結構中設置具有不同面積的感光區，由此可以通過各感光區獲得不同感光度的圖像，進而對這些不同感光度的圖像進行合成處理，從而能夠得到高HDR圖像，改善現有技術中圖像過曝或欠曝的問題。