瞬態微芯片在數據安全和隱私保護方面具有廣闊的應用前景。制造工藝和瞬態時間是制約瞬態微芯片的兩個關鍵。香港城市大學張開黎教授等人開發了基于含能薄膜的瞬態微芯片。基于氧化石墨烯?含能配位聚合物的含能薄膜因其固有的成膜能力、與基底強的結合力和高能量特性,在集成瞬態微芯片的工藝和實現快速瞬態時間方面發揮了重要作用。氧化石墨烯(GO)的層間限域效應可降低含能配位聚合物(ECP)的尺寸至納米尺度。GO 片層之間的范德華力及其與金屬離子之間的配位鍵是實現其成膜能力的關鍵。而ECP 尺寸的減小和致密的堆疊進一步為含能薄膜的燃燒和壓力輸出提供了基礎。當GO 的含量為7.5%,放熱高達3389.9 J·g-1、火焰面積最大、峰值壓力(3 MPa)和增壓速率(40.3 MPa·s-1)最高。所制備的硅基瞬態微芯片能夠在1 秒內實現自毀。

源自:X X Ma,S Gu,Y X Li,et al. Additive?Free Energetic Film Based on Graphene Oxide and Nanoscale Energetic Coordination Polymer for Transient Microchip. Adv. Funct. Mater. 2021,2103199
將鋁(Al)添加到炸藥中,利用鋁的二次反應是提高能量輸出的有效方法。中物院化材所提出從組分梯度化分布的思路,以HMX/Al 為對象,借助3D 打印技術構建梯度結構的HMX/Al。結果表明,可以通過改變組分比例來控制燃燒速率,且梯度結構HMX/Al 的燃燒速率高于宏觀均勻化的HMX/Al,其藥柱,壓力?時間演化隨組分梯度化分布而變化。
源自:Q Q He,J Wang,Y F Mao,et al. Fabrication of gradient structured HMX/Al and its combustion per?formance. Combust Flame 2021,226,222-228.

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