專利分析視角下我國集成電路產業“卡脖子”問題研究

余麗，盛瑩婕*，許景龍，隋秀峰

1.北京理工大學，中國工程科技前沿交叉戰略研究中心，北京 100081

2.中共廣東省黨校（廣東行政學院）圖書館，廣東 廣州 510053

引 言

集成電路（Integrated Circuit，簡稱IC）是高技術產業的核心組成部分，具有技術密集、資本密集和勞務密集的特性，對支撐經濟社會發展和保障國家安全具有戰略性、基礎性和先導性作用[1]，始終是各國爭奪全球產業鏈分工主導權的角力場，逐漸成為衡量一個國家或地區綜合競爭實力的重要標 志[2]。

新一輪科技革命和產業變革加速興起，促使全球集成電路產業進入超級周期[3]。伴隨中美科技競爭不斷加劇，美國出口管制持續升級，國內半導體領軍企業（如華為、中興、海康威視等）接連遭遇重創，我國集成電路產業正處于關鍵技術自主可控的歷史窗口期[4]。面對兩個大局，立足新發展階段，攻克集成電路領域核心技術的“卡脖子”問題，探索顛覆性技術創新發展的重要方向，已成為當前我國實現高水平科技自立自強的必然選擇[5]。

專利代表著一個國家或地區的研發創新能力[6]。本文將基于IncoPat 全球專利數據庫，從知識產權的視角分析集成電路產業全球創新格局：首先，圍繞集成電路產業的材料、設計、制造、封裝與測試環節，基于文獻調研整理各細分領域的關鍵詞表，分別制定檢索策略（詳見文后附表1），從宏觀角度把握集成電路技術創新的世界格局；然后針對集成電路領域具有“卡脖子”效應的關鍵技術，逐一整理關鍵詞表并制定檢索策略（詳見文后附表2），綜合文獻調研、專利分析、主題識別多種方法，從微觀角度摸清各項關鍵技術與世界領先水平的差距；最后，剖析我國集成電路領域關鍵技術發展的主要問題，提出創新發展的對策建議。

合享價值度是Incopat 系統提出的一種專利價值綜合評價方法[7]，它考慮了專利類型、被引證次數、同族數量、IPC 等46 個影響專利價值的參數，綜合均衡計算得出，結果相對客觀真實。本文基于合享價值度將專利分為三個區間：高價值專利（8-10 分），中價值專利（5-7 分），低價值專利（1-4 分）。同時考慮專利的創新性和有效性，本文僅使用專利申請人已授權的發明專利進行分析。特別說明：中國臺灣地區作為全球最大的晶圓代工地區擁有先進的集成電路生產流程技術，已形成完善成熟的集成電路產業集群。為了摸清中國大陸集成電路發展的真實水平，查找與世界先進國家和地區的技術差距，同時考慮到中國大陸與中國臺灣地區在集成電路技術發展的外部環境差異，本文專利分析中涉及中國的統計數據均未包含中國臺灣地區。

1 總體發展形勢

2000年國務院發布首個關于集成電路的政策《鼓勵軟件產業和集成電路產業發展的若干政策》，中國集成電路產業進入起步階段；2008年國務院批準實施集成電路裝備專項，數百家企業和事業單位投入數萬名科研人員開展聯合攻關；2010年《關于加快培育和發展戰略性新興產業的決定》（32 號文）首次在國家宏觀政策中提出著力發展集成電路產業；2011年《進一步鼓勵軟件產業和集成電路產業發展的若干政策》（4 號文）增加對集成電路設計企業和軟件企業的保稅政策；2014年《國家集成電路產業發展推進綱要》首次設立國家集成電路產業投資基金；2020年《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》（8 號文）從財稅、投融資、研發、進出口、人才、知識產權、市場應用和國際合作八個方面惠及集成電路全產業鏈。同時，國家先后兩次啟動國家集成電路產業投資基金（大基金一期和二期），共募集資金3428.5 億元，公開投資的項目已有80 余個[8-9]，覆蓋了芯片設計、晶圓制造、封裝測試、核心零部件、關鍵材料、生態系統等全產業鏈。

在一系列政策驅動和資金支持下，中國集成電路產業取得了突破性進展。圖1-a 展示了兩次大基金啟動前后集成電路領域全球專利格局（圖中的百分比表示在指定時間范圍內，某國或地區專利總數占全球專利總數的比例，下圖同）。公式（1）度量兩國或地區之間專利數量差距。

圖1-a 近20年IC 領域世界專利分布Fig.1-a The share of patents in the field of IC in last two decades

專利統計結果顯示：大基金一期啟動之前（階段一，2000年1月1日至2014年8月31日），中國IC 專利總數明顯落后于美日韓三國，僅占世界專利總數的6%；大基金一期啟動后（階段二，2014年9月1日至2019年9月30日），中國IC 領域奮起直追反超日韓，專利總數躍居世界第二，與美國差距從0.78 大幅縮小到0.04；大基金二期啟動后（階段三，2019年10月1日-2021年9月30日），中國IC專利總數位居世界第一，且領先美國8 個百分點，進一步擴大了領先日韓的優勢。

IC 領域高價值專利占比顯示（圖1-b），雖然我國IC 專利總數持續大幅增加，但三個階段高價值專利占比的增幅不明顯；美國始終保持著90%以上的高價值專利比率，技術壁壘強大；日本高價值專利占比在最近三年大幅下降落后于我國，但我國在IC領域還未形成領先日本高價值專利的絕對優勢。

圖1-b 近20年IC 領域高價值專利分布Fig.1-b The share of high-value patents in the field of IC in last two decades

據半導體研究公司IC Insights 統計（圖2-a），2019年美國IC 企業占據全球55%的市場，而中國的全球市場份額僅有5%[10]。按照材料、設計、制造、封裝與測試四個環節，本文分別統計IC 細分領域的專利總數，如圖2-b 所示。

圖2-a 2019年IC 產業世界市場份額Fig.2-a The global market share of IC in 2019

圖2-b-1 IC 材料領域的世界專利分布Fig.2-b-1 The global share of patents in the field of IC materials

圖2-b-2 IC 設計領域的世界專利分布Fig.2-b-2 The global share of patents in the field of IC design

圖2-b-3 IC 制造領域的世界專利分布Fig.2-b-3 The global share of patents in the field of IC manufacturing

圖2-b-4 IC 封測領域的世界專利分布Fig.2-b-4 The global share of patents in the field of IC packaging and testing

近20年來，中國在IC 設計領域的專利總數始終穩居世界第二；其他細分領域均是一路追趕，經過多年技術積累，超越美日德韓等國家及中國臺灣地區，逐步上升為專利總數世界第一。為了進一步分析技術創新價值，本文針對IC 四個細分領域在階段三專利總數排名前三的國家和地區分析高價值專利占比（如圖2-c-xa 所示）和高價值專利總數（如圖2-c-xb 所示）。

圖2-c-1a IC 材料領域高價值專利占比分布Fig.2-c-1a The share of high-value patents in the field of IC materials

圖2-c-2a IC 設計領域高價值專利占比分布Fig.2-c-2a The share of high-value patents in the field of IC design

圖2-c-2b IC 設計領域高價值專利數量分布Fig.2-c-2b The number of high-value patents in the field of IC design

結果顯示：IC 材料領域，階段一中國的高價值專利占比遠落后于世界先進水平，但20年來始終堅持IC 材料的品質積累，在階段二和階段三中國的高價值專利占比節節攀升，逐步縮小了與美日的差距。圖2-c-1b 反映出，IC 材料領域，三個階段美日兩國的高價值專利數量呈現下滑趨勢，中國在階段三高價值專利總數已經超越美日。

圖2-c-1b IC 材料領域高價值專利數量分布Fig.2-c-1b The number of high-value patents in the field of IC materials

圖2-c-3a IC 制造領域高價值專利占比分布Fig.2-c-3a The share of high-value patents in the field of IC manufacturing

圖2-c-3b IC 制造領域高價值專利數量分布Fig.2-c-3b The number of high-value patents in the field of IC manufacturing

IC 設計與制造兩個領域，美國憑借長期的核心技術積累始終占據鰲頭；日本的高價值專利占比雖有小幅下降，但技術實力仍不可小覷；中國的高價值專利占比較為穩定，近20年無較大波動，與美國仍有較大差距。

高價值專利數量反映出，IC 設計領域，中國高價值專利數量緊跟日本；與美國差距明顯，近20年的高價值專利累計數量僅占美國的24%。IC 制造領域，三個階段美日兩國高價值專利數量均呈現陡降態勢，中國則是穩步前進，階段三高價值專利數量已大幅領先美日。然而，由于前期技術積累不足，雖歷經20年追趕，中國在IC 制造領域高價值專利累計數量也只占美國的59%。

IC 封裝與測試領域，中國臺灣地區憑借晶圓代工龐大的市場優勢，超越日韓兩國，躋身前三甲；中國大陸的高價值專利占比落后于美國，不及中國臺灣地區。圖2-c-4b 也反映出，近20年中國大陸在IC 封裝與測試領域的高價值專利總數僅是美國的21%、中國臺灣地區的79%，技術創新能力與世界其他國家和地區先進水平相比差距明顯。

圖2-c-4b IC 封裝與測試領域高價值專利數量分布Fig.2-c-4b The number of high-value patents in the field of IC packing and testing

圖2-c-4a 還反映出，近20年IC 封裝與測試領域的Top3 國家和地區的高價值專利占比均在萎縮，尤其是近三年呈現陡降態勢，高價值專利減少了30%。究其原因，半導體封裝經歷了三次重大革 新[11]：20 世紀80年代從引腳插入式封裝到表面貼片封裝；20 世紀90年代球型矩陣封裝；當下的芯片級封裝與系統封裝[12]等；創新周期較長，技術更迭速度遠不如其他細分領域。本文的專利檢索時間起始于2000年，IC 封裝與測試領域在20 世紀已積累了大量成熟技術，后期創新發現難度增加。同時，專利數據具有時滯性，從申請到授權平均需要3年時間，當下熱點研究的封裝與測試技術可能還未成為授權專利，沒有計入本文統計結果。

圖2-c-4a IC 封裝與測試領域高價值專利占比分布Fig.2-c-4a The share of high-value patents in the field of IC packing and testing

綜上，中國在IC 材料領域的專利總數小幅領先于美國，高價值專利占比持續攀升，正逐步縮小與美國的差距；IC 設計領域的核心技術積累不足，與美國存在較大差距；全球制造業萎縮引發創新動力不足，而中國IC 制造的技術創新仍穩步前行，為中國IC 制造環節實現趕超帶來了新機遇；IC 封裝與測試領域，全球創新速率放緩，高價值專利產出遇到瓶頸，中國專利總數位居世界第三，落后于美國與中國臺灣地區。

2 “卡脖子”技術能力分析

“卡脖子”技術是指技術攻克難度大、需求方難以在短時間內突破或找到替代方案的關鍵技術，具有技術壁壘高、市場壟斷性強、處于價值鏈核心地位的特點[13]。

2018年《科技日報》推出“亟待攻克的核心技術”專欄報道了35 項“卡脖子”技術，其中有6 項與集成電路相關，包括高端光刻膠[14]、極紫外光刻機[15]、EDA[16]、FPGA 芯片[16-17]、DRAM 芯片[16]和射頻前端芯片[18]。文獻調研發現，中國在大尺寸硅片領域仍被其他國家和地區壟斷[19]，存在“卡脖子”風險。

本文將針對上述7 項關鍵技術逐一闡述當今世界最新發展態勢，基于市場份額、專利總數、高價值專利占比、企業專利占比、專利主題等分析指標（專利檢索時段為2000年1月1日至2021年9月30日），從知識產權的視角對比中國與世界先進水平的差距，探究引發我國IC 領域“卡脖子”效應的短板與痛點。

2.1 12 英寸硅片

單晶硅片的尺寸決定了半導體應用中芯片的成本。硅片的尺寸越大，在單片硅上可制造的芯片數量越多，單個芯片的成本也越低[20]。目前，全球超過90%的半導體硅片都是大尺寸硅片，67%是12 英寸（300mm）硅片，已成為主流產品[21]，主要用于邏輯芯片、存儲芯片等高端領域，硅片質量要求更高。

據IC Insights 統計，2018年12 英寸硅片全球前五家廠商（日本信越化學、日本SUMCO、中國臺灣地區環球晶圓、德國Siltronic 和韓國SK Siltron）的市場總占比高達93%，而中國大陸硅片市場份額只占全球的5%，且主要集中在8 英寸及以下半導體硅片，12英寸半導體硅片幾乎全部依賴進口[22]。目前，中國已擁有12 英寸硅片量產能力；然而無論是技術還是成本或是市場，與國際成熟的企業相比，中國硅片企業仍處于弱勢[23]。

圖3 顯示，日本信越化學（ShinEtsu）以絕對技術優勢占據12 英寸硅片領域的龍頭，在高中低端均有專利布局；中國的12 英寸硅片專利總數大幅落后于世界頭部企業，僅有少量高價值專利，尚處在對大尺寸硅片高附加值知識產權的積累階段。

圖3 12 英寸硅片全球專利分布Fig.3 The global share of patents of 12-inch wafer

人工分析專利主題發現，12 英寸硅片的頭部企業專利大多為單晶硅制造方法、工藝與設備，聚焦新工藝（如退火晶圓、柴式拉晶法、單晶硅晶圓等）的知識產權保護；中國專利涉及薄膜、外延、對位等硅片制造環節，較少涉及大尺寸硅片制造的成套工藝。

2.2 高端光刻膠

光刻膠是光刻工藝使用的重要材料，其純度要求較高，生產工藝復雜，技術壁壘高[24]。目前，國際上使用量最高的半導體光刻膠為KrF 光刻膠和ArF 光刻膠。KrF 光刻膠應用于8 英寸硅片，主要制造3D NAND 產品；ArF 光刻膠應用于12 英寸硅片，制造邏輯芯片、AI 芯片、5G 芯片等高端產品[25]。

全球光刻膠市場排名前三的廠商均是日系企業，分別是日本合成橡膠（JSR）、日本東京應化（TOK）和日本信越化學（ShinEtsu）[26]。目前，我國已經實現G/I 線光刻膠的量產（廣泛應用于6 英寸硅片），正開始小批量生產KrF 光刻膠，但自給率不足5%[27]，ArF 光刻膠還處于技術突破階段，尚未實現大規模量產[28]。由于我國尚不具備極紫外光刻（EUV）和電子束光刻膠的研發與生產能力，在折射率、光敏度、分辨率、線邊緣粗糙度等光刻性能參數上與國際差距明顯[29]。

圖4 顯示，我國在KrF 與ArF 光刻膠領域僅有幾個專利申請人，其專利總數只占頭部6 家企業的8%，高端光刻膠核心技術被日系企業壟斷。

圖4 高端光刻膠全球專利分布Fig.4 The global share of patents of high-level photoresist

人工分析專利主題發現，ArF 與KrF 光刻膠的頭部企業專利涉足各類化合物（如膜、抗蝕劑、光阻等）研制，還包括適用于精密細加工的圖案成形方法；我國專利則停留在光刻膠制備方法的創新階段。

2.3 極紫外光刻機

光刻技術的不斷升級推動了集成電路不斷升 級[30]。光刻機是實現光刻工藝的關鍵設備，其性能直接決定了芯片的制程。光刻機涉及精密光學、精密運動、高精度環境控制等多項先進技術，對技術指標提出了非常高的要求[31]。

第五代光刻機——極紫外光刻（EUV）是目前最先機的光刻機，主要用于10nm 及以下先進制程的芯片制造，研發周期長達十余年，是光刻機皇冠上的明珠[32]。目前，全球只有荷蘭ASML（阿斯麥）公司能生產EUV 光刻機，徹底壟斷了EUV 國際市場。我國生產的最先進光刻機為90nm 浸沒式光刻機，與國外先進水平至少存在15-20年差距[33]，短時間內還難以實現國產替代。

圖5 顯示，荷蘭阿斯麥公司在極紫外光刻機（EUV）領域的專利數量遙遙領先于我國。我國EUV專利總數已超越日系頭部兩家企業，但由于日系企業在高端光刻膠領域構筑了高不可攀的技術壁壘，我國光刻材料與設備的技術水平仍遠落后于世界巨頭。

圖5 EUV 光刻機全球專利分布Fig.5 The global share of patents of EUV

人工分析專利主題發現，頭部企業在光刻引擎與組件、光顯示裝置與設備等技術上擁有大量高價值專利；我國EUV 專利主要包括仿真系統、計算方法和加工技術，屬于點的突破，尚未掌握整機制造技術。

2.4 EDA

EDA（電子設計自動化，Electronic Design Auto- mation），涵蓋了IC 設計、布線、驗證和仿真各個方面，被喻為“芯片之母”[34]。

全球EDA 產業頭部三家供應商分別為Synopsys、Cadence 和Mentor Graphic，其市場總占有率接近八成，壟斷著我國芯片設計市場95%以上的份額[35]。不僅如此，三家龍頭企業均可提供完整的前后端技術解決方案，其技術鏈條完整性和技術水平成熟度無可匹敵。我國企業研發的EDA 工具大多還無法支持28nm 以下的先進制程[36]，尚未實現全工具鏈覆蓋，缺乏平臺式的產品服務，與國際領先梯隊差距明顯。

圖6 顯示，根據申請人專利總數排名，EDA 領域我國機構排名前500 的高價值專利僅有607 件，不敵美國前6 名企業；我國專利布局兼顧各價值層次；美系企業則聚焦核心技術知識產權保護，頭部6家企業高價值專利平均占比高達95%。

圖6 EDA 全球專利分布Fig.6 The global share of patents of EDA

人工分析專利主題發現，我國EDA 專利涵蓋芯片設計、封裝、測試等環節，還有新興技術融合（如集成電路協同設計云平臺）。頭部企業更傾向于技術創新，如可定制的芯片設計方案、軟件安全性、適用于FinFET 工藝等。高端芯片設計的核心技術仍被美系企業壟斷。

2.5 FPGA 芯片

FPGA（現場可編程門陣列，Field Programmable Gate Array）芯片被稱為數字芯片領域的“萬能芯片”，在物理運算邏輯持續更迭的領域具有應用優勢，如工業控制、網絡通信、數據中心、汽車電子等[37]。由于技術壁壘高、更新換代速度快，全球FPGA 市場長期被Xilinx、Altera、Lattice、Microsemi 四家美國企業壟斷，總市場占有率高達97%，而國產FPGA 市場份額不足1%[38]。此外，國際巨頭Xilinx 和Altera早在2011年就推出了28nm 制程FPGA 產品，而我國直到2019年才實現量產，失去先發優勢[39]。

圖7 顯示，FPGA 領域三家頭部公司專利總數量超過1000 項，形成了抵御同行競爭對手的技術壁壘；雖然我國在FPGA 領域的專利申請機構超過500家，但專利總數仍不敵世界三巨頭。

圖7 FPGA 全球專利分布Fig.7 The global share of patents of FPGA

2.6 DRAM 芯片

存儲芯片是大數據時代的基石。DRAM（動態隨機存取存儲，Dynamic Random Access Memory）芯片長期被國外壟斷[40]，頭部公司三星電子（Samsung Tech）、SK 海力士（SK Hynix）和美光科技（Micron Tech）總市場占有率高達95%[41]。三家企業均為IDM（Integrated Device Manufacture）廠商[42]，芯片設計與制造工藝同步發展，具有率先推進和驗證新技術的優勢。中國大陸企業在DRAM 全球市場占有率幾乎為零。

目前，中國大陸企業已經實現1Xnm 芯片量產（19nm 制程），但相比國際最先進的1anm（采用EUV 技術實現10nm 制程）落后4年[43]。加上美國對高端光刻機EUV 的出口限制，中國短期難以有效填補在高端存儲器領域的空白。

圖8 顯示，美系公司IBM 和Micron Tech 憑借多年的技術積累引領DRAM 世界先進水平；兩大企業的DRAM 專利數量均超越中國總數；尤其是Micron Tech 的高價值專利占比高達96%。韓國Samsung Tech 和SK Hynix 的DRAM 專利布局均衡，兼顧高中低各個層次。

圖8 DRAM 全球專利分布Fig.8 The global share of patents of DRAM

2.7 RFFE 芯片

RFFE（射頻前端，Radio Frequency Front End）芯片是實現手機及各類移動終端通信功能的核心元器件。無線通訊網絡每升級一代，就帶來了更多的頻段和制式，對應需要更多的射頻芯片[44]。

全球射頻前端芯片市場長期被Skyworks、Broadcom、Qorvo 等美國企業占據，全球市場總占有率高達93%，甚至沒有一家亞洲廠商能夠進入產業頂尖行列[45]。三大領軍企業全部采用了IDM 經營模式，擁有設計、制造和封測的全產業鏈能力，綜合實力令人難以望其項背[46]。在國產化浪潮以及5G 強勁需求帶動下，我國射頻前端芯片廠商正在突破各個細分領域，如射頻開關、射頻PA（PowerAmplifier，功率放大器）和濾波器等，逐步實現了中低端機型射頻前端進口替代[18]。然而，中國大陸企業主要集中在無晶圓設計領域，受到芯片集成化發展趨勢的影響，中國整體技術水平與國際領軍企業仍有巨大差距。

圖9 顯示，中國射頻前端芯片專利申請人有172 家，其專利總數已超越美國頭部四家企業，在高中低區間均有專利布局。日本Murata 憑借自身雄厚的技術實力占據射頻前端芯片專利申請人榜首。

圖9 RFFE 全球專利分布Fig.9 The global share of patents of FRFE

3 問題與對策

統計上述7 項“卡脖子”專利的我國企業專利占比、我國高價值專利占比、領域內專利數量第一的企業高價值專利占比三項指標，如表1 所示，表現出三類特征：

表1 “卡脖子”技術的專利質量分析Table 1 The patent quality analysis of “Bottlenecks of Technology”

（1）專利總數偏少，原始創新能力不足。如12英寸硅片和高端光刻膠領域，我國專利申請機構總數和專利總數均為個位數，導致企業專利占比和高價值專利占比虛高。圖1 和圖2 已反映出，上述兩個領域的專利布局與世界頭部企業差距明顯，技術創新活躍度不高。同時，我國EUV 領域的專利申請人多達137 個，但專利總數不敵阿斯麥一家公司；且企業專利占比最低，高價值專利比率偏小。說明我國在EUV 領域研究投入仍顯不足，科研成果尚不能實現高價值轉化。

關鍵材料和前道設備的專利布局薄弱，為我國集成電路整個產業鏈的良性發展帶來巨大隱患。其他國家和地區頭部企業依靠長期的技術積累和鏈式布局形成了強大壁壘，而我國專利大多是點技術的突破，尚未形成支撐細分領域的鏈式專利保護機制，短時間內難以實現一個細分領域全產業鏈的覆蓋。如硅片生產需要的涂層來自日本、設備來自德國，2020年我國集成電路進口數量高達5435 億個[47]，EUV 更是缺乏購入渠道。

集成電路的行業性質決定了其高度全球化的特點，從材料、制造、封裝到應用，每一個環節都不是孤立存在的。需要具有開放式創新思維，引導行業組織、產業聯盟和領軍企業利用全球的市場、技術、資本和人才資源，推進產業鏈各環節開放式創新，加強國際交流與深層次合作，積極引進海外高端人才，形成合力推動實現技術水平和市場規模的同步提升。

（2）高價值專利占比偏低，核心技術積累匱乏。如EDA 與FPGA 芯片領域，專利申請人均已超過500，專利總數也已超越世界頭部企業，但是高價值專利占比遠落后于國際先進水平。說明我國在EDA 與FPGA 領域，雖然科技創新密集活躍，但仍未掌握關鍵核心技術，受制于人的局面沒有得到根本改變。

EDA 與FPGA 領域低附加值科技創新產能過剩，無法有效解決“卡脖子”問題。顛覆性技術有可能改變傳統技術路線和產業壁壘[48]，為產業絕地反擊帶來新的機遇。如超越硅基的先進材料正在為打造速度更快、體積更小的元器件創造機遇[49]，系統級封裝（System in Package, SiP）可實現一顆芯片兼具多種功能[50]，光子計算為實現超高速率、超低功耗的AI 芯片提供了新的技術路徑，半導體量子點技術是實現大規模實用化量子計算的最佳候選體系之 一[51]。

后摩爾時代，突破潛在顛覆性技術將極有可能為我國集成電路行業實現關鍵技術自主可控帶來新的發展機遇[52]。需要瞄準 5G、工業互聯網、智能網聯汽車等現實應用需求，開拓一系列顛覆性技術研究領域，搶占集成電路技術創新競爭高地。

（3）專利布局均衡的細分領域尚未形成規模效應。如DRAM 與RFFE 領域，我國高價值專利占比最接近世界頭部企業，在低中高三個價值區間均有專利分布。雖然我國在DRAM 芯片領域的企業專利占比最高，在RFFE 芯片領域的專利總數已超越頭部公司，但是企業之間的專利數量相差不大，尚未形成絕對的領導企業，還不具備與世界巨頭競爭國際市場份額的能力。

DRAM 與RFFE 領域由于缺乏市場份額，產品得不到大規模的應用，技術無法實現迭代更新，核心競爭能力仍被巨頭公司牢牢控制。日益復雜的宏觀政治環境與技術“脫鉤”導致全球市場逐步萎縮，進一步加大了我國集成電路產業進軍國際高端市場的阻力。

隨著5G 逐步普及，汽車智能化進程有序推進，AI、云計算等新技術日趨成熟，集成電路需求迅速擴張，為我國IC 產業發展提供了廣闊的市場空間[53]。需要構建“以國內大循環為主體的新國際國內雙循環”格局，通過政策支持取得市場突破，依托中國大陸海量數據和豐富的應用場景，利用好中國大陸超大規模市場優勢，形成持續的市場拉動，通過市場實時反饋指導技術的迭代更新并維持創新的連續性，從而促進中國集成電路產業優勢細分領域進入到全球主流供應鏈體系。

4 總結與展望

本文從知識產權的視角，首先宏觀統計了集成電路領域全球專利分布情況，我國通過實施大基金一期與二期，極大激發了集成電路產業的整體技術創新活躍度，專利數量實現了從大幅落后到縮小差距再到局部領先的大邁進，尤其是集成電路材料領域高質量專利占比逐步縮小了與世界先進水平的差距。

接著，本文逐一分析了我國集成電路領域7 項“卡脖子”技術的全球專利布局情況，對比頭部企業知識產權保護內容，查找各項技術與世界先進水平的差距，總結了我國集成電路產業存在的三方面問題：一是大尺寸硅片、高端光刻膠和EUV 領域的專利總數偏少，原始創新能力不足；二是EDA 和FPGA 領域的高價值專利占比偏低，核心技術積累匱乏；三是DRAM 和RFFE 領域的專利分散，市場集中度不高。

面對百年未有之大變局，我國集成電路需要以開放式創新思維擁抱產業變革帶來的新機遇，在大尺寸硅片、高端光刻膠和EUV 領域積極融入國際創新網絡中，全方位加強國際科技合作；緊抓新一輪世界科技革命的重大機遇，突破潛在的顛覆性技術，在EDA 和FPGA 領域實現關鍵技術自主可控；扭住擴大內需的戰略基點，借助5G、數據中心、智慧物聯、智能家居等新興產業蓬勃發展的契機，培育壯大DRAM 與RFFE 領域的國內市場，走出一條適合中國國情的集成電路創新發展路徑。

利益沖突聲明

所有作者聲明不存在利益沖突關系。

附表1：

續表

附表2：