同為“DDR5” 漸行漸遠的幾種內存

具體來說，DDR5 是從目前主流的DDR4發展而來。2016年DDR4內存在市場中剛剛開始進入主流，廠商們就在籌劃下一代內存了，這一規范主要由三星提出，美光參與。具體性能方面，規劃中的DDR5從DDR4規劃的最高頻率——3.2GHz等效頻率起跳，這點在真正確定規格的時代顯然已經過時，所以12代酷睿支持的第一代DDR5標準產品就是4.8GHz的，且6GHz產品已經出現。此外規劃中的容量為16GB起跳，電壓1.1V，這點與最終確定的DDR5規格基本一致，現在廠商還特別喜歡提供雙通道套裝（圖1），實際容量就成了32GB雙通道起步了。

具體的方法當然就是更精確的電壓控制，使得每個時鐘周期的數據傳輸量（等效傳輸頻率）提升一倍（圖2），為此還加入了很多相關技術，并采用更先進的制程工藝，以保證高頻運行的穩定性。

在顯存技術上，GDDR3和更早的顯存可以看作是相應的主內存顆粒進行了適當改造后引入到顯卡上的產物。但到了GDDR4時代，因為顯存的更新速度已經甩下了主內存顆粒，因此開始在GDDR3的基礎上，根據顯卡、GPU的需求自行發展，與主內存顆粒的差別越來越大。

現在顯存顆粒更偏向于高位寬，可以用更少的顆粒提供足夠帶寬，但在一定程度上犧牲了延遲，尺寸也略大一些。此外顯存顆粒還會盡量提升運行效率，獲得更高的等效頻率，同時降低功耗。例如GDD R5（圖3）的等效頻率可達9Gbps，位寬可達512bit，遠超DDR5。

后來的GDDR 6（圖4）變化更大一些，每個芯片配置了兩條×8/×16通道，電壓下降到1.35V，耗能降低了35%左右，同時針腳（觸點）數量也比之前的GDDR5X更少，生產、使用都更方便。

所謂的LPDDR 系列，則是（Low Power Double DDR，低功耗DDR內存）的簡稱。在LPDDR3及更早的時代，它們的技術、架構也與同代D D R 內存基本相同，但使用非常低的電壓等設置，使其功耗大幅降低。不過隨著移動設備，特別是手機的發展，其核心也特化成了集成內存、存儲等部件的SoC（System on Chip，芯片級系統或片上系統）。要被集成進小小的SoC（圖5），LPDDR的設計當然也與主內存顆粒有了巨大的差別。

還有一種被稱為DDRL的低電壓、低功耗內存，曾主要用于筆記本電腦中，它們與LPDDR是沒有關系的，只是更加成熟或工藝更好的DDR主內存，可用更低電壓達到需要的頻率而已。例如DDR3的標準電壓為1.5V，而DDR3L（圖6）只需使用1.35V的電壓，同樣可達到1600MHz的等效頻率。

DDR主內存、GDDR顯存、LPDDR低功耗內存雖然已經走出了自己的道路，在頻率、性能、功耗等方面相差越來越大（圖7），但并沒有完全變成不同種類的內存。例如當前兩款最新的游戲主機都采用基于AMD Zen2處理器核心+RDNA2顯示核心的主芯片，它們就是將GDDR6作為主內存+顯存使用的（圖8），說明架構完全兼容，一些特種PC也完全可以采用類似的配置。