蘇云東,段文學
(云南電網有限責任公司 文山供電局,云南 文山 663000)
換流閥在換相過程中會產生電流過零和電壓過零點,極控系統(tǒng)通過測量板卡ESP10計算每一個換流閥電流過零到電壓過零的時間,可以精確得到每一個換流閥的熄弧角。電流的過零信號EOC通過12個換流閥的晶閘管電壓監(jiān)視(Thyristor Voltage Monitoring,TVM)板來檢測,并通過VBE傳送給極控系統(tǒng)。
在逆變站,如果檢測到電壓過零信號而沒有檢測到電流過零信號,或者檢測到電流過零信號而沒有檢測到電壓過零信號,都會產生電流過零故障信號,導致換相失敗,嚴重的甚至發(fā)生直流閉鎖[1]。而換流閥EOC信號延遲,將直接導致電流過零故障。某換流站就是由于多次發(fā)生換流閥電流過零故障導致直流多次換相失敗,在2016年5月23日和26日,由于電流過零故障曾引發(fā)直流閉鎖。本文分析由換流閥TVM板問題引起EOC信號延遲的原因,提出相應的處理措施,為類似的直流工程問題提供參考解決方案。
高 壓 直 流 輸 電(High-Voltage Direct Current,HVDC)換流閥由許多串聯晶閘管級組成,每個晶閘管級均安裝有獨立的TVM板[2]。TVM原理如圖1所示,其中R為阻尼電阻,C為均壓阻尼電容,Th為直接光控晶閘管。

圖1 TVM原理框
每個晶閘管級有一塊TVM板,以確保晶閘管之間的電壓均勻分布,并監(jiān)測晶閘管兩端的電壓。
換流閥在運行中,由各晶閘管級的TVM板在線檢測晶閘管兩端的電壓,形成如圖2所示的回檢信號。

圖2 TVM產生的回檢信號
當晶閘管電壓達50~70 V時,TVM會發(fā)送6 μs寬的正電壓建立回報信號到VBE的光接收板;當晶閘管電壓達-150~-170 V時,TVM會發(fā)送2 μs寬的負電壓建立回報信號;當監(jiān)測到晶閘管電壓為6 500~7 500 V時,TVM會發(fā)送12 μs寬的轉折二極管(Break Over Diode,BOD)動作回報信號。
該換流站的TVM板設計回報信號參數如下:正向電壓建立6~8 μs回報信號光脈沖寬度,發(fā)送回報光脈沖時,晶閘管兩端的電壓為(130±20)V;負向電壓建立2~3 μs回報信號光脈沖寬度,發(fā)送回報光脈沖時,晶閘管兩端的電壓為(-160±20)V;正向過電壓回報信號光脈沖寬度為12~15 μs,發(fā)送回報光脈沖時,晶閘管兩端的電壓為(7 200±300)V[3]。
將交流可調電源電壓調制到Us=1 500 V,設置示波器相關參數,讀取通道2的數據,與設計值作比較,其測試接線如圖3所示。正向電壓建立回報信號試驗波形如圖4所示,負向電壓建立回報信號試驗波形如圖5所示,正向過電壓回報信號試驗波形如圖6所示。

圖3 TVM參數測試接線圖

圖4 正向電壓建立回報信號試驗波形

圖5 負向電壓建立回報信號試驗波形

圖6 正向過電壓回報信號試驗波形
2016年8 月—10月,通過對運行中TVM板的正向電壓建立回報信號、負向電壓建立回報信號以及正向過電壓回報信號現場進行4次檢測,發(fā)現閥控EOC信號存在延遲現象,這就是導致TVM板與閥控VBE信號失配,造成換流閥多次分生換相失敗和直流閉鎖的主要原因。進一步研究發(fā)現,回報信號脈寬的改變是由于TVM板脈寬控制回路中X7R型電容的固有工作特性改變導致。
從TVM板卡負向光回報脈沖工作原理分析引起光脈沖寬度發(fā)生變化的因素,測量分析其電路上的電阻、電容以及穩(wěn)壓二極管等主要元器件,逐一排查,最后發(fā)現電容容值會隨測試頻率的增大而減小,測量情況如表1所示[4]。

表1 1nF電容在不同測試頻率下的電容容值
因而,初步判斷TVM負電壓回報脈寬減小可能是由電容容值變化而引起。
多層陶瓷片式電容(Multi-Layer Ceramic Capacitor,MLCC)由陶瓷介質、內電極以及外電極3部分組成。TVM板卡內使用的電容為標稱1 nF的X7R型MLCC電容,其分類及特性如表2所示。

表2 MLCC電容分類及特性
X7R電容元件中填充的是鈦酸鋇(BaTiO3)陶瓷基料,其介電常數和介質損耗會受工作頻率的影響,變化情況如圖7。

圖7 BaTiO3基料介電常數隨頻率變化情況
為進一步驗證工作頻率對電容容值和脈寬的影響,將換流站極Ⅱ-Y1和D4單閥上的8塊TVM板拆下帶回廠里測量了其相應晶閘管級的負電壓回報脈寬[5]。其中,閉鎖狀態(tài)下為2.1~2.6μs,而解鎖狀態(tài)下為1.6~2.36 μs,測量結果如表3所示。

表3 部分新更換TVM板的回報脈寬測量結果
從測量結果來看,解鎖狀態(tài)下,大部分的TVM負向脈沖寬度均小于2 μs,即脈沖寬度減小。由于該換流站為逆變運行,主回路電壓負向過零時,du/dt較高,TVM負向脈沖控制回路中電容的取能速度高于工頻運行時的速度。因此,基于上述分析結果,判斷電容是由于受到較高工作頻率影響,電容值下降,從而導致負向脈沖寬度減小。
為改善TVM板電容性能,將TVM板卡中的X7R型電容更改為性能更穩(wěn)定的C0G型電容,性能如圖8所示。

圖8 電容容值隨溫度和工作時長的變化情況
TVM的電容更換為C0G型電容后,進行6項功能試驗項目。一是負電壓建立回報光脈沖寬度;二是負向電壓建立電壓值;三是正電壓建立回報光脈沖寬度;四是正向電壓建立電壓值;五是正向過電壓保護回報光脈沖寬度;六是正向過電壓保護電壓值。
新TVM板通過以上試驗,電壓檢測和回報功能符合要求,因此將TVM板的脈寬控制回路中X7R型電容更換為C0G型電容,不會對TVM板的正常功能造成影響。新TVM板又經過高溫老化試驗,對TVM試品每級加1 500 V工頻交流電壓,于環(huán)境溫度70 ℃連續(xù)進行4天高溫試驗,每隔6 h對TVM板的回報脈寬進行檢測和記錄。經過高溫試驗,新TVM板(C0G)回報脈寬的動態(tài)變化量遠小于原TVM板(X7R)的變化量。加速老化試驗前后,原TVM板由于電容有效容值下降,導致脈沖寬度縮短,與此前的測試結果相一致,而新TVM板的脈沖寬度則沒有變化。
新TVM板再次經過直流背靠背系統(tǒng)運行試驗,在換流站返修的TVM板中隨機選取6塊,安裝于背靠背換流閥D5V1~D5V6級。在功率正、反送以及系統(tǒng)解閉鎖狀態(tài)下,分別測量TVM板的回報脈沖寬度。應用直流背靠背試驗系統(tǒng),可有效模擬工程中的實際工況,驗證修復后TVM板的工作性能。換流閥解鎖和閉鎖狀態(tài)下,TVM板回報信號脈寬的變化較小,皆符合閥控系統(tǒng)的檢測要求。通過該項試驗,已驗證板卡修復方案的正確性和有效性,新TVM板能夠滿足該換流站VBE設備的接口要求。
后分兩批將該換流站的YVM板更換為新TVM板(C0G),現場對更換后的TVM回報脈沖寬度進行測量,負電壓建立回報脈沖寬度在2.3~2.6 μs,滿足2~3 μs的寬度要求。經過一段時間的運行,EOC信號未出現延遲的現象,正常運行期間也未出現由于EOC信號延遲引起直流換相失敗的問題。
逆變站的換流閥在運行期間,TVM板的X7R型電容由于受到較高工作頻率影響,電容值下降,負向脈沖寬度減小,導致TVM板與閥控VBE信號失配,造成換流閥多次分生換相失敗和直流閉鎖。通過對TVM板測試,發(fā)現X7R電容在高頻率下運行特性不穩(wěn)定,將原TVM板的X7R型的電容更換為C0G型電容之后,通過功能(例行)試驗、高溫老化試驗以及直流背靠背系統(tǒng)運行試驗,證明將TVM板電容更換為C0G型電容的可行性,并將換流站全部TVM板返廠維修,更換為穩(wěn)定C0G型電容。經過一段時間的運行,EOC信號未出現延遲的現象,成功解決了TVM板的問題引起直流換相失敗,為類似直流工程的問題提供參考解決方案。