史宜巧,趙 輝
(1.江蘇電子信息職業學院 智能制造學院,江蘇 淮安 223003;2.河北工程大學 信息與電氣工程學院,河北 邯鄲 056038)
日益縮小的CMOS形體尺寸引發了集成電路設計的革命。由于關鍵設計能力仍嚴重滯后,使得設計成本快速增長;對于模擬和/或混合信號設計,由于諸多原因,設計開發更加困難,最重要的是缺乏商業計算機輔助設計工具和方法來有效支持設計。
高速無線和有線通信終端一般要求寬帶模/數變換器(Analog-to-Digital Converters,ADCs)能夠將20 MHz寬帶信號數字化,且具有超過12位的有效分辨率和功耗最低,其中∑-Δ調制器是實現這些性能指標的關鍵;目前大多數∑-Δ調制器都采用離散(Discrete-Time,DT)電路實現,而寬帶數據通信系統推動了連續時間(Continuous-Time,CT)∑-Δ調制器的使用。CT ∑-Δ調制器除了顯示出固有的抗混疊濾波優勢之外,還可以提供比相應的DT ∑-Δ調制器更快的運算速度和更低的功耗,而且對于一些電路誤差(如時鐘抖動、過回路延遲和工藝參數變化)來說,CT ∑-Δ調制器比DT ∑-Δ調制器更靈敏;其中工藝參數變化對于級聯結構的實現尤為重要,這也是現有大多數硅原型中采用單回路拓撲的原因[1]。盡管單回路CT拓撲比級聯CT拓撲對工藝過程的變化可能有更低的靈敏度要求,但級聯CT拓撲的高穩定性使得它們對高分辨率和高信號帶寬特別有吸引力[2],需要針對CT級聯∑-Δ調制器這類電路的設計方法進行研究。
目前,大多數系統設計方法和工具都針對DT ∑-Δ調制器[3-5]。一方面是由于它們的廣泛采用;另一方面是因為它們更容易實現。
針對CT ∑-Δ 調制器的設計方法和工具開發也得到了研究[6-11]。文獻[6]基于數學方法和內部塊的行為建模,提出了一種具有噪聲整形的CT ∑-Δ調制器設計,在系統級和行為電路級上實現了一種補償超循環延遲的4-階單回路CT ∑-Δ調制器,具有78 dB的信噪比(Signal to Noise Ratio,SNR);文獻[7]提出了一種混合式CT Sigma-Delta調制器,并分析了系統中的運放有限增益帶寬積、積分常數變化、環路延時和比較器失調等非理想因素;文獻[8]提出了一種新的方法來分析時鐘抖動對連續時間Σ-Δ調制器性能的影響,實際實例應用表明了預測與數值仿真之間的良好匹配;文獻[9]為了降低連續時間Σ-Δ調制器的帶內噪聲,基于跳頻技術建立了一種抗混疊模型,然后利用該模型導出了給定的非重疊持續時間的帶內噪聲和抗混疊的解析表達式,通過仿真驗證了所得結果;文獻[10]設計了一個真分式噪聲傳遞函數使調制器所允許的最大環路延時提升至2個時鐘周期,采用高能效的逐次逼近型ADC作為內部量化器,并采用Matlab綜合出真分式噪聲傳遞函數,基于Simulink仿真平臺建模了反饋-前饋混合結構的三階調制器結構;文獻[11]基于Matlab/Simulink平臺提出了一種∑-Δ變換器設計方法來找到合適的拓撲結構和塊級規范,并采用這種方法實現了一個16位、250 kHz信號帶寬的開關電容∑-Δ變換器;文獻[12]提出了一種SATA Ⅲ的6 GHz Sigma-Delta小數分頻擴頻時鐘產生器的設計,克服了整數分頻器擴頻時鐘產生器的缺點,較好地滿足了SATA Ⅲ的要求;文獻[13]針對Sigma-Delta ADC實現高精度和降低系統功耗問題,對二階Sigma-Delta調制器的非理想因素進行數學建模分析,并利用SDtoolbox進行了仿真驗證,對調制器進行了電路級設計。結果表明,調制器輸出信號的帶內信噪比為83.5 dB,總功耗為1.8 mW。
本文針對CT級聯∑-Δ調制器提出的完整系統綜合設計方法,其創新點在于通過設計空間探索和傳輸規范構建起成本函數來獲得滿足調制器性能指標的可選體系結構的集合,從而得到滿足調制器性能指標的不同構建模塊的非理想性的最大值,并通過實驗結果驗證了所提出設計方法的有效性。
本文提出的系統綜合設計過程原理如圖1所示,設計流程主要包括3個階段:結構綜合、高級尺寸調整和電路級尺寸調整。

圖1 綜合設計過程原理Fig.1 Principles of synthetical design process
在結構綜合設計階段,設計空間探索和傳輸規范依賴于某種性能評估(例如在某種抽象層次上采用建模方程和行為仿真)與優化器的交互。這個過程的重要部分是合適的成本函數構建,它是對設計與目標性能的一致性程度的量化,也是求解成本函數的一種快速而準確的方法,以及在設計空間上生成后續推動力的有效技術。
其中的優化核心有2個步驟:第一步是應用全局優化技術,第二步是采用具體技術進行局部優化[11-12]。
優化問題從數學上表述為:
(1)
式中,yi(x)為第i個設計目標的值(如最小化功耗);yj(x)為第j個設計約束的值(如信噪比大于70 dB);Yj為這種設計規范的目標值;x為設計變量向量。設計目標、設計約束和變量依賴于實際的優化任務。例如,塊非理想性(如放大器增益)是高級尺寸調整的設計變量,但卻是電路級尺寸調整的設計約束。設計約束定義了有效設計的集合(也稱為可行性設計空間),而設計目標(如功耗或面積占用)是對設計的最優性進行表征,并給出有效解決方案之間的權衡;尺寸調整機制是通過采用單一成本函數進行優化的。對于設計空間中不滿足設計約束的點,成本函數定義為:
Ψ(x)=max[-wjlg(yj/Yj)],
(2)
式中,wj為與第j個設計約束相關聯的權重。對于可行的設計空間點來說,成本函數定義為:
Ψ(x)=Φ(yi)=-∑iwilg(|yi|),
(3)
式中,wi是與第i個設計目標相關聯的權重。
結構綜合設計階段的輸入是CT ∑-Δ調制器要求的性能指標和工藝過程信息。方法從體系結構探索開始,主要是嘗試獲得可選體系結構,這些體系結構由調制器的階數L、量化器的位數B和過采樣率M確定,從而獲得一定的信噪比(Signal to Noise Ratio,SNR)指標;這種體系結構探索是通過解析表達式來實現的,解析表達式是對限制可實現信噪比的主要誤差源進行建模,并結合優化核心。體系結構探索的輸出是可能滿足調制器性能指標的可選體系結構的集合。
接下來是拓撲合成,即級聯結構、級內和級間環路濾波器傳遞函數和消除邏輯(Cancellation Logic,CL)函數的確定。本文采用CT域中的直接合成方法,而不采用更一般的等效DT拓撲的DT到CT變換。
第二個階段的高級尺寸調整階段的輸入是合成拓撲的結構描述。隨后的自動尺寸調整過程采用行為仿真器以及全局優化程序來得到在仍然滿足調制器性能指標的情況下可接受的不同構建模塊的非理想性的最大值。在這個層次上,功耗估計非常重要,因為要建立與每個構建模塊性能指標之間的關系。然后,通過采用行為仿真器在全部工作條件(過程、溫度和電源變化)下驗證采用傳輸構建模塊指標的調制器性能。如果驗證表明某些性能指標下降超過了某個約束,則在更嚴格的約束下再次執行高級綜合和/或體系結構合成。
系統綜合設計過程的最后一個階段是電路級尺寸調整,即調整各構建模塊的尺寸。電路級尺寸調整階段的輸入是每個構建模塊的性能要求(如放大器的DC增益和帶寬,或比較器的滯后和偏移)。這種尺寸調整是通過將電氣仿真器與前面的全局優化過程[11,14]相結合來實現的。
2.1.1 高級性能建模和體系結構探索
設計空間探索和傳輸規范依賴于全局優化器和快速性能估計器之間的迭代交互。在高的抽象層次上,調制器的性能是由一組封閉形式的方程來建模的,這組方程包含了關于控制系統行為的設計參數的基本信息?!?Δ調制器的SNR為:
(4)
式中,A為輸入信號的幅值;Pe為帶內誤差功率。理想情況下,帶內誤差功率僅包含量化噪聲功率Peq:
(5)
式中,Xfs為量化器的全尺寸(滿標度);B為量化器的位數;fs為采樣頻率;NTF(·)為噪聲傳遞函數;Bw為信號帶寬。但在實際中,帶內誤差功率包含因量化誤差功率放大、數/模變換器非線性、電容失配、熱噪聲、時鐘抖動、有限的放大器增益和不完全放大器沉降等因素而產生的項,因此,實際的帶內誤差功率應為:
Pe=Peq+ΔPeq+Pe-thermal+Pe-jitter+Pe-DAC+Pe-settling,
(6)
式中,Pe-thermal為熱噪聲功率;Pe-jitter為時鐘抖動功率;Pe-DAC為數/模變換器非線性引起的功率;Pe-settling為不完全放大器沉降等因素引起的功率。
不同于其他類型的∑-Δ調制器,高速CT ∑-Δ調制器中的主要誤差源是由時鐘抖動引起的。因此,抖動影響的建模至關重要。采用非歸零(Non-Return-to-Zero,NRZ)DAC的CT ∑-Δ調制器中由時鐘抖動引起的誤差功率可表示為[15-16]:
(7)

利用式(6)中的主要誤差功率項(式(5)和式(7)所示)和優化核相結合,可以得到在NTF零點分布和對時鐘抖動不敏感性方面有更好性能的可選結構[17],每個可選結構由3個一組的階數、比特數和過采樣率{L,B,M}值表示。
通常,在后面的階段要考慮若干個3個一組的{L,B,M}值,原因如下:第一,由于建模方程是近似的,因此不能確保當采用包含特定物理實現的非理想性更精確的模型時,所選取的結構將繼續滿足性能指標。最優結構是在滿足性能約束的條件下,使得諸如功耗或面積占用等目標最小化。在體系結構層面探索的準則包括考慮諸如階數最小化、過采樣率最小化(以避免功耗方面的不可行采樣頻率),以及量化器的比特數最小化(以避免采用線性化技術)。因此,在這個層面可能考慮的功率或面積占用最小化標準是定性的。因此,在整個綜合過程中,可選體系結構的任何排序都可能發生大的變化。但在這個階段,這并不是最關鍵的,因為所期望的結果只是一組可選拓撲,當在隨后的設計步驟中考慮更詳細的模型時,將對這些可選拓撲進行修剪。
2.1.2 拓撲合成
級聯CT ∑-Δ調制器結構通常是在DT域中通過首先合成具有相同性能指標的∑-Δ調制器,然后將DT應用于保持相同數字消除邏輯的CT變換來合成的。然而,從這種變換和保持消除邏輯獲得一個功能性CT調制器需要每個狀態變量,且要求DAC輸出連接到后級的積分器輸入,圖2給出了一個采用DT到CT變換的2-1-1結構。這意味著需要大量的模擬器件(半導體和放大器),進而意味著更大的面積、更高的功耗和對電路容限更高的靈敏度。

圖2 采用DT到CT變換的2-1-1 CT ∑-Δ調制器原理圖Fig.2 Schematic diagram of 2-1-1 CT∑-Δ modulator using DT to CT transformation
為了克服上述缺點,本文提出一種直接在CT域中的合成方法。考慮圖1所示有m級的級聯CT ∑-Δ調制器的一般情形,從yi(s)到第j個量化器輸入的傳遞函數表示為:
(8)
合成方法從最優地將單回路傳遞函數Fij(s)的極點放置在使信號帶寬中NTF最小化的位置[10,16]開始,即從放置相應NTF的零點所要求的標稱值開始,在動態范圍和穩定性方面優化調制器的性能。為此,這些系數在其標稱值的范圍內變化,在保持穩定性的同時使得信噪比最大化。然后,通過級間集成路徑自動確定傳輸函數Fij(s)。
如果調制器輸入x(t)設置為零,則可以得到每級的輸出yk(z)為:
(9)
式中,Z為z-變換;L-1為Laplace(拉普拉斯)逆變換。
調制器的輸出yo為:
(10)
式中,CLk(z)為第k級的部分消除邏輯傳遞函數,計算如下:
(11)
式中,最后一級的部分消除邏輯傳遞函數CLm(z)可以選取為最簡單的形式,以保持要求的噪聲整形。通過采用這種方法合成的2-1-1 CT ∑-Δ調制器原理如圖3所示。

圖3 采用直接合成的2-1-1 CT∑-Δ調制器原理圖Fig.3 Schematic diagram of 2-1-1 CT∑-Δ modulator using direct synthesis
顯然,圖3的電路比圖2簡單,同時對參數容限有更好的靈敏度。
這個階段主要是行為建模和仿真。傳輸規范和驗證要求性能評價機制的精度要高于式(5)~式(7)等近似方程給出的精度,此外,這種性能評價通常是在迭代優化過程中進行。因此,仿真效率對于合成過程至關重要。
由于CT ∑-Δ調制器是強非線性采樣數據電路,它的主要性能指標的仿真必須在時域中進行,并因其過采樣特性,需要長時間的瞬態仿真來評估它們的主要性能指標。晶體管級的仿真會導致過長的計算時間,因此本文采用行為仿真來實現仿真精度和效率之間的合適權衡。具體來說,把調制器劃分為子塊(如積分器和量化器等),把這些子塊用一組方程建模,建模方程包含主要的子塊功能性和最重要的非理想特性。本文采用Matlab/Simulink[18]作為實現平臺,通過Matlab求解器集成的一組連續時間狀態空間方程來描述連續時間構建模塊的行為模型。這種機制可以通過嵌入C語言程序來建模非理想特性,而無需互連許多Simulink基本模塊。采用行為仿真器建模的基本構建模塊以及其非理想特性如表1所示。

表1 采用行為仿真器建模的基本構建模塊和非理想特性Tab.1 Basic building blocks and non-idealities modeled in the behavioral simulator
建模中的工具箱包括考慮不同電路實現的CT構建模塊的幾個庫:gm-C、gm-MC、有源-RC和MOSFET-C。
行為仿真器與優化工具相結合可以有效地實現CT ∑-Δ調制器的高級尺寸調整,即在滿足調制器性能要求下,獲得可容許的構建模塊的最大非理想性。
對于全部塊的大小,在標稱點和幾個關鍵工藝角,在電氣層次上對完整的調制器進行最終驗證。驗證采用在電氣層面上提取的信息,通過行為層面上更詳盡的驗證(所有過程、溫度和電源變化)得以補充。如果性能退化超過可接受的裕量,則將在電路和/或調制器層面上進行重新設計迭代,優化時結合每個構建模塊的設計理論知識。在優化層次上,設計理論知識又涉及到可行性空間方面,從而提高綜合過程的效率和優化效果。
為此,采用提出的系統綜合設計方法來實現一種有線通信應用的CT 級聯∑-Δ調制器,其目標技術指標是12位和20 MHz信號帶寬,系統級信噪比要求大于70 dB。
根據結構探索過程的不同步驟,選取3種5-階(L=5)級聯∑-Δ調制器:2-1-1-1、2-2-1和3-2拓撲。圖4(a)所示為只保留了最終合成步驟的拓撲原理圖,它由一個2-2-1拓撲構成。為減少抖動的影響,在fs=240 MHz(M=6)、B=4和在全部級的NRZ DAC提供時鐘。

(a) 調制器原理圖
級內和級間傳遞函數Fij(s)可寫為:
(12)
式中,ωp1,2表示極點頻率的最佳位置;系數bij是通過基于仿真使得動態范圍最優的優化過程得到的。
從放置相應的NTF的零點所要求的標稱值開始,這些系數的變化范圍在其標稱值的±20%附近,以便在保持穩定的同時獲得最大信噪比。部分消除邏輯傳遞函數CLk(z)從式(11)計算得到:
CL1=z-1(n14+n13z-1+n12z-2+n11z-3+n10z-4),
CL2=z-1(n22+n21z-1+n20z-2)(1-2cos(Tsωp1)z-1+z-2),
CL3=(1-2cos(Tsωp1)z-1+z-2)(1-2cos(Tsωp2)z-1+z-2),
式中,
式中,Ts=1/fs為采樣周期。
圖4(b)所示為調制器的原理電路實現,表2所示為優化過程得到的結果,其中包括環路濾波器系數ki和采用的電容Ci的值。

表2 CT級聯∑-Δ調制器的環路濾波器系數Tab.2 Loop filter coefficients of CT cascaded∑-Δ modulator
調制器采用高級尺寸調整,即將系統級指標(12位和20 MHz)映射到構建模塊指標中,采用全局優化選擇設計參數。表3所示為尺寸調整過程得到的結果,給出了滿足所要求的調制器性能可容許的非理想性(構建塊級)的最大(最小)值。注意,表3中只列出了對調制器性能有重要影響的那些非理想性指標。

表3 調制器的高級尺寸調整Tab.3 The high-level sizing of modulator
構建模塊包括前端運放、環路濾波器跨導、量化器和DACs,是通過應用單元級尺寸調整(即電路級尺寸調整)工具[11,14]來設計的。由于篇幅所限,這里只給出了前端運放尺寸調整的合成結果。前端運放及其共模反饋電路的原理圖如圖5所示,它是一種具有增益增強的全差分折疊共射共基放大器拓撲。經過一個仿真循環優化過程,得到尺寸調整后的電路的電性能如表4所示。類似的尺寸調整方法適用于其他構建模塊。

圖5 前端運算放大器Fig.5 Front-end operational amplifier

表4 前端運放的電性能Tab.4 Electrical performance of front end operational amplifiers
最后,采用130 nm CMOS工藝實現的調制器的微縮版圖(帶焊盤)如圖6所示。

圖6 調制器微縮版圖(帶焊盤)Fig.6 Modulator miniature layout (welding plate)
對生成后的調制器性能進行實驗。測得總的占用面積僅為2.33 mm2(包括焊盤),單電源1.2 V電壓時的功耗為70 mW;圖7所示為幅值為-6.5 dBV、頻率為1.76 MHz的正弦波輸入得到的調制器輸出頻譜??梢钥吹剑谀繕思夹g指標12位和20 MHz信號帶寬內最大信噪比約為80 dB,即使在最壞的失配情況下,也可獲得大于74 dB的信噪比,結果完全達到系統級設計指標要求。

圖7 調制器的輸出頻譜Fig.7 The output spectrum of the modulator
圖8所示為采用雙音輸入信號(f1=1.49 MHz,f2=2.02 MHz,)測試調制器得到的結果??梢?,即使存在三階互調失真導致性能下降,但仍能獲得大于76 dB的信噪比??梢?,采用本文的系統綜合設計方法能夠實現CT ∑-Δ調制器的目標設計。

圖8 雙音輸入信號測試的輸出頻譜Fig.8 The output spectrum of a two-tone input signal test
本文提出了一種支持CT級聯 ∑-Δ調制器設計的完整系統的綜合設計方法,詳細討論了從設計理論原理到設計過程的實現。這種自頂向下和自底向上的系統綜合設計方法,有助于設計人員將設計理論、合成方法、行為仿真和優化工具的適當結合來完成CT級聯∑-Δ調制器的設計,從而簡化這類高性能調制器的設計復雜性。