SrZrO3 摻雜K0.5 Na0.5 NbO3 陶瓷介電弛豫的研究

陳開遠(yuǎn),韋小利,梁燕文,雷秀云,劉來君

(桂林理工大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院,廣西 桂林 541004)

隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,行業(yè)對(duì)電子元器件提出的服役條件要求越來越嚴(yán)苛,例如石油化工業(yè)、汽車行業(yè)、航空航天領(lǐng)域等[1-2]。這些行業(yè)均需要電子元器件在150 ℃以上的高溫環(huán)境中能安全穩(wěn)定運(yùn)行。多層陶瓷電容器(MLCC)等電子元器件正朝著尺寸小、電學(xué)性能優(yōu)異和低能源消耗方向發(fā)展[3],因此尋求一類具有介電性能穩(wěn)定、高介電常數(shù)和低損耗的電介質(zhì)材料是當(dāng)前電子行業(yè)的研究熱點(diǎn)之一[4-6]。

無鉛K0.5Na0.5NbO3陶瓷由于具備壓電性能優(yōu)異、無環(huán)境污染等優(yōu)點(diǎn),成為壓電材料研究的熱點(diǎn),受到廣泛關(guān)注[7-8]。眾所周知,在BaTiO3基材料中構(gòu)造核殼微結(jié)構(gòu)是調(diào)控材料性能的有效手段,因此,在K0.5Na0.5NbO3基材料中構(gòu)造核殼微結(jié)構(gòu)也會(huì)帶來優(yōu)異的壓電和介電響應(yīng)[9]。Choi 等[10]制備出了具有核殼微結(jié)構(gòu)的0.96(K0.5Na0.5Li0.02)(Nb0.8Ta0.2)O3-0.04CaZrO3陶瓷,Ta元素在殼區(qū)域富集并形成順電相;Ta 匱乏的核區(qū)域,室溫下為弛豫鐵電相,在外電場(chǎng)下這種核殼微結(jié)構(gòu)產(chǎn)生極化異質(zhì)性,可獲得大于1000 pm/V 的電致應(yīng)變。K0.5Na0.5NbO3-LiTaO3-BiScO3體系核殼微結(jié)構(gòu)陶瓷的介電溫譜有兩個(gè)特征相變弛豫峰[11],這兩個(gè)相變弛豫峰分別歸因于核區(qū)域和殼區(qū)域?qū)殡姵?shù)的貢獻(xiàn)[12]。進(jìn)一步增加LiTaO3的含量,可獲得具有三重微結(jié)構(gòu)的晶粒。由此可見,構(gòu)造K0.5Na0.5NbO3核殼結(jié)構(gòu)將為調(diào)整壓電、介電性能提供更多的自由度[13-15]。

本文構(gòu)建了(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3(0.11 ≤x≤0.17)核殼結(jié)構(gòu)陶瓷,分析了微觀結(jié)構(gòu)與電學(xué)性能的變化關(guān)系,探討了該核殼結(jié)構(gòu)介電溫譜特征和高溫氧空位電導(dǎo)機(jī)制,開發(fā)了一種具有發(fā)展前景的高溫MLCC 無鉛材料。

1 實(shí)驗(yàn)過程

采用分析純以上的碳酸鹽和金屬氧化物K2CO3(99%)、Na2CO3(99.8%)、Nb2O5(99.99%)、ZrO2(99%)和SrCO3(99%)為原料,通過傳統(tǒng)的固相合成技術(shù)制備(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3(0.11 ≤x≤0.17)陶瓷。按化學(xué)計(jì)量比精確稱量,然后將稱量的原料倒入尼龍球磨罐中,在行星球磨機(jī)中球磨10 h。將球磨后得到的原料在120 ℃的烘箱中烘干。將粉末研磨均勻后壓制成圓柱體,放在高溫箱式爐中900 ℃預(yù)燒2 h。再將預(yù)燒產(chǎn)物進(jìn)行二次球磨。二次球磨后的烘干粉末加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)5%的聚乙烯醇(PVA)造粒,并用壓片機(jī)壓制成直徑10 mm,厚度約1 mm 的圓形陶瓷素胚,將成型后的陶瓷樣品在550 ℃保溫4 h 進(jìn)行排膠;最后放到高溫箱式爐中燒結(jié)1250～1300 ℃下保溫2 h。對(duì)燒結(jié)后的陶瓷樣品進(jìn)行拋光、清洗并涂覆銀漿。在管式爐中對(duì)樣品進(jìn)行燒銀,燒結(jié)溫度為650 ℃,并保溫30 min。

使用以CuKα 為輻射X 射線(λ=0.154059 nm)的X-Pert-PRO 粉末X 射線衍射儀進(jìn)行陶瓷室溫物相測(cè)試。用場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM,Model S4800,Hitachi,Japan)觀測(cè)1000 ℃下熱腐蝕30 min后的陶瓷表面微觀形貌。拉曼光譜使用Ar+離子激光器激發(fā)波長(zhǎng)為532 nm 激光進(jìn)行測(cè)試(Thermo Fisher DXR)。為了測(cè)試陶瓷的電學(xué)性能,陶瓷拋光后在其表面涂上導(dǎo)電銀漿進(jìn)行電學(xué)性能測(cè)試。介電溫譜和阻抗譜使用TZDM-200-800-1 MHz 分析儀和精密阻抗分析儀(Agilent 4294A,USA)測(cè)試,頻率范圍在100 Hz～1 MHz,溫度區(qū)間為120～950 K。

2 結(jié)果分析

2.1 物相分析

圖1 是(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3陶瓷粉末的X射線衍射圖譜。所有樣品的X 射線衍射圖譜均呈現(xiàn)出單一的贗立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu),沒有出現(xiàn)雜峰,說明沒有第二相生成。隨著SrZrO3含量增加,(200)特征峰向低角度衍射方向偏移,這說明SrZrO3的加入導(dǎo)致(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3的晶胞參數(shù)增大。根據(jù)晶體結(jié)構(gòu)和原子半徑匹配原則[16-17],大尺寸配位數(shù)12 的低價(jià)陽(yáng)離子:K+(0.164 nm),Na+(0.139 nm)和Sr2+(0.144 nm)占據(jù)鈦礦結(jié)構(gòu)的A 位;而相對(duì)小尺寸配位數(shù)6 的高價(jià)陽(yáng)離子Nb5+(0.064 nm)和Zr4+(0.072 nm)離子占據(jù)鈦礦結(jié)構(gòu)的B 位,A 位和B 位的占位取代導(dǎo)致局域結(jié)構(gòu)的電荷和晶格匹配失常。根據(jù)(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3容忍因子(0.8509 ≤t≤0.8662)可知,隨著容忍因子減小,晶體畸變程度增大,晶胞體積隨之增加[18]。

圖1 (1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3 陶瓷X 射線衍射圖譜Fig.1 XRD patterns of the(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3 ceramics

2.2 微觀形貌分析

圖2 是(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3陶瓷樣品熱腐蝕表面顯微形貌圖。圖中顯示所有的陶瓷均致密,晶粒細(xì)小均勻,并沒有出現(xiàn)異常晶粒,結(jié)合XRD 圖譜可知陶瓷樣品均為單一物相。陶瓷晶粒平均尺寸分別為0.84,0.81,0.70 和0.62 μm。從圖2(d)可以看出樣品表面出現(xiàn)明顯的細(xì)小孔洞,導(dǎo)致相對(duì)密度有所下降。這說明隨著SrZrO3摻雜量增加,陶瓷樣品的燒結(jié)溫度需要進(jìn)一步提高[19]。陶瓷晶粒減小和孔隙增加使得載流子在陶瓷內(nèi)部的激發(fā)和傳輸需要更多能量,因此需在更高溫度下燒結(jié),未發(fā)育完全的小晶粒相互擴(kuò)散、焊接和長(zhǎng)大形成致密的大晶粒,獲得更優(yōu)的電學(xué)性能。

圖2 (1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3陶瓷熱腐蝕形貌圖Fig.2 Thermal etched surface morphologies of (1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3

2.3 拉曼光譜圖分析

圖3 給出了(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3陶瓷樣品的拉曼光譜,四個(gè)非常明顯的拉曼位移區(qū)域分別為100,230,580 和850 cm-1[20]。拉曼振動(dòng)模可以分為外部模和內(nèi)部模協(xié)同振動(dòng)。200 cm-1位移以下的振動(dòng)可以歸于A 位陽(yáng)離子與NbO6八面體的反轉(zhuǎn)模。NbO6八面體振動(dòng)模的拉曼位移為200～900 cm-1,其中Alg(ν1),Eg(ν2)振動(dòng)模分別對(duì)應(yīng)600 cm-1,556 cm-1拉曼位移峰,對(duì)應(yīng)于NbO6八面體伸縮振動(dòng)模;而位于436 cm-1,223 cm-1拉曼位移峰對(duì)應(yīng)Flu(ν4)和F2g(ν5)振動(dòng)模,對(duì)應(yīng)于NbO6八面體彎曲振動(dòng)模[21]。所以ν1和ν2為NbO6八 面體的伸縮 振 動(dòng) 模,ν4和ν5為NbO6八面體的彎曲振動(dòng)模。具有明顯離子半徑、電負(fù)性差異的Sr2+和Zr4+離子進(jìn)入K0.5Na0.5NbO3的晶格,K0.5Na0.5NbO3晶格振動(dòng)模式被改變。因此隨著SrZrO3含量的增加,在拉曼位移為400～800 cm-1范圍內(nèi)對(duì)應(yīng)NbO6八面體伸縮振動(dòng)模的ν1和ν2都向低波數(shù)方向偏移,說明Nb—O 鍵的振動(dòng)強(qiáng)度受到削弱[22]。另外,中心拉曼位移為675 cm-1的ν3模,振動(dòng)強(qiáng)度為零,是由于NbO6八面體的傾斜非常弱,晶體結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)程鐵電有序被破壞,因此(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3的極化強(qiáng)度極低。隨著SrZrO3含量增加,離子占位取代增加導(dǎo)致極化位移極減弱。

圖3 (a1)-(a4)分別表示(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3( x=0.11,0.13,0.15,0.17)陶瓷拉曼光譜,每條藍(lán)色線條代表分峰擬合的一個(gè)峰;(b) ν1和ν2隨著SrZrO3含量增加的拉曼位移;(c) ν3隨著SrZrO3含量增加的拉曼位移;(d) ν4和ν5隨著SrZrO3含量增加的拉曼位移Fig.3 (a1)-(a4) Raman spectra of (1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3( x=0.11,0.13,0.15,0.17)(One blue line represents one peak of the fitting);(b) The Raman shifts of ν1 and ν2 with increasing SrZrO3 content;(c) The Raman shifts of ν3 with increasing SrZrO3 content;(d)The Raman shifts of ν4 and ν5 with increasing SrZrO3 content

2.4 介電性能分析

(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3陶瓷樣品在1 MHz的介電溫譜,如圖4 所示。隨著SrZrO3摻雜量增加,介電常數(shù)呈減小趨勢(shì)。說明(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3陶瓷樣品中總極化率與SrZrO3含量呈負(fù)相關(guān)。1 MHz 介電常數(shù)實(shí)部分別在高溫和低溫區(qū)域出現(xiàn)兩個(gè)介電異常,這是核殼結(jié)構(gòu)的典型介電溫譜特征。250 K左右介電常數(shù)峰值為殼區(qū)域?qū)殡姵?shù)貢獻(xiàn)的特征溫度;隨著溫度的升高,出現(xiàn)一個(gè)穩(wěn)定的介電平臺(tái);450 K附近出現(xiàn)一個(gè)來源于核區(qū)域?qū)殡姵?shù)貢獻(xiàn)的高溫介電峰[23-24]。所有陶瓷樣品在很寬的溫度區(qū)間內(nèi)均具有很低的介電損耗,隨著SrZrO3摻雜量增加,介電損耗進(jìn)一步降低。這種低介電損耗和高介電常數(shù)(400 ≤ε′≤1600)特點(diǎn)表明(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3是很具有前景的高溫MLCC 備選材料。

圖4 (1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3陶瓷介電常數(shù)和損耗隨溫度的變化Fig.4 Temperature dependence of dielectric perittivity and tanδ for (1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3 ceramics

在改性的BaTiO3基固溶體中,由于非鐵電的殼區(qū)域和弱鐵電核區(qū)域的元素分布不均勻而出現(xiàn)核殼結(jié)構(gòu),從而具有介電彌散相變峰和優(yōu)異介電的溫度穩(wěn)定性能[25-26]。為了描述(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3介電常數(shù)核殼貢獻(xiàn)關(guān)系,采用Lichtenecker 混合介電模型表示[27]:

式中:Vc、Vs、εc和εs分別表示核區(qū)域的體積分?jǐn)?shù)、殼區(qū)域的體積分?jǐn)?shù)、核區(qū)域介電常數(shù)的貢獻(xiàn)和殼區(qū)域介電常數(shù)的貢獻(xiàn);C為常數(shù)。弛豫鐵電體的納米極性微區(qū)均在Burns 溫度以下凍結(jié),因此會(huì)在介電溫譜上初選介電峰值(Tm)。Lorentz-type 公式能描述整個(gè)介電行為,并且得到與探頭頻率無關(guān)的本征介電弛豫。采用Lorentz-type 公式對(duì)εc和εS分別進(jìn)行描述[28-29]。

式中:TA(TA≠Tm)和εA分別是介電峰的溫度和介電常數(shù);δA代表與探頭頻率無關(guān)的弛豫度,介電弛豫行為越強(qiáng),δA值越大。用Lorentz-type 公式描述鐵電弛豫體Ba(ZrxTi1-x)O3和(1-x)Pb(Mg2/3Nb1/3)O3-xPbTiO3取得顯著的效果[28-29]。如圖5,(1-x) K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3的介電溫譜采用Lichtenecker 方程和Lorentztype 公式結(jié)合描述核區(qū)和殼區(qū)的介電弛豫度差異及介電常數(shù)貢獻(xiàn)。隨著SrZrO3摻雜量增加,特征溫度均向溫度低的方向移動(dòng)且弛豫度增加,如表2 所示。這說明納米極性微區(qū)在高溫下出現(xiàn),隨著溫度的降低逐漸形核,長(zhǎng)大形成弛豫鐵電相;當(dāng)溫度進(jìn)一步下降,納米極性微區(qū)凍結(jié)形成核區(qū)域;溫度更進(jìn)一步下降,順電相形成殼區(qū)域。同時(shí),核殼結(jié)構(gòu)的形成和多離子取代的數(shù)量也密切相關(guān)。表2 為(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3陶瓷樣品與其他文獻(xiàn)獲得的無鉛高溫陶瓷電容器材料的介電性能對(duì)比。

表2 (1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3陶瓷以及一些無鉛高溫陶瓷電容器材料的介電性能Tab.2 Dielectric properties of the (1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3 and some ceramic materials for high-temperature capacitors

圖5 (1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3陶瓷介電常數(shù)隨溫度的變化用Lichtenecker 結(jié)合Lorentz-type 公式擬合結(jié)果Fig.5 Temperature dependence of dielectric perittivity plots for (1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3 ceramics.The relaxor dielectric behaviors contribution from duplex core and shell are distinguished by the combination Lichtenecker function and Lorentz-type law

表1 (1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3陶瓷的介電溫譜的Lorentz 雙峰擬合參數(shù)Tab.1 Lorentz fitting parameters of the temperature dependence of dielectric permittivity for the (1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3

2.5 阻抗譜圖分析

交流阻抗譜常用來描述高溫弛豫過程以及缺陷對(duì)電學(xué)響應(yīng)機(jī)制。圖6 是(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3陶瓷樣品阻抗虛部歸一化曲線。每個(gè)溫度下阻抗虛部曲線對(duì)應(yīng)一個(gè)特征頻率(f)的介電弛豫峰。隨著溫度的變化載流子呈現(xiàn)不同的弛豫時(shí)間,因此介電弛豫峰存在明顯差異[30]。隨著溫度的升高,(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3陶瓷阻抗虛部的峰向高頻方向移動(dòng),這說明陶瓷中載流子的跳躍頻率加快,具有熱激活行為。另外,隨著SrZrO3含量增加(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3陶瓷介電弛豫峰隨著溫度的升高向高頻方向的移動(dòng)幅度降低,表明陶瓷由弛豫相變向彌散相變轉(zhuǎn)變提高了介電常數(shù)的溫度穩(wěn)定性。注:La-BCT-BMT 的組分為0.15La2O3-0.4(Ba0.8Ca0.2)TiO3-0.6Bi(Mg0.5Ti0.5)O3;BT-NBT-Nb 的組分為0.9BiTiO3-0.1Na0.5Bi0.5TiO3-0.02Nb2O5;BT-NBT-Nb-Ni 的組分為BaTiO3-Na0.5Bi0.5TiO3-Nb2O5-NiO;BNT-Yb 的組分為Bi0.5Na0.5TiO3-0.03Yb2O3;BT-NBT-Nb-Fe 的組分為0.9BiTiO3-0.1Na0.5Bi0.5TiO3-0.02Nb2O5-0.005Fe2O3;a 表示在Tm溫度下的相對(duì)介電常數(shù)和損耗;b 表示溫度區(qū)間內(nèi)Δε′/ε′mid≤±10%。

圖6 (1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3陶瓷不同溫度下阻抗虛部歸一化圖譜Fig.6 Normalized imaginary part for impedance of the (1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3 ceramics at different temperatures

(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3陶瓷介電弛豫峰頻率隨溫度倒數(shù)的變化關(guān)系符合阿侖尼烏斯公式[31]:

式中:kB是波爾茲曼常數(shù);ω0是前置因子;T是開爾文溫度;ω為速率常數(shù);Erel是弛豫激活能。公式(3)可以轉(zhuǎn)換成[32]:

如圖7 所示,在(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3陶瓷中,Erel分別為0.71,0.78,0.69 和0.58 eV。隨著SrZrO3含量增加,氧空位濃度增加導(dǎo)致Erel減小,這說明氧空位濃度與不同原子占位元素取代密切相關(guān)。由于K+/Na+揮發(fā)和Zr4+占位取代Nb5+形成氧空位,可通過Kroger-Vink 缺陷描述表達(dá)式(5)～(7)如下[33-34]:

圖7 (1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3陶瓷中溫度隨弛豫時(shí)間的變化符合阿倫尼烏斯公式Fig.7 Arrhenius plots of temperature dependence of the relaxation time for (1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3 ceramics

單電離氧空位激活能和雙電離氧空位激活能分別為0.3～0.5 eV 和0.6～2 eV[32]。(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3陶瓷中氧空位激活能均大于0.5 eV,為雙電離氧空位。綜上所述,此高溫介電弛豫與缺陷誘導(dǎo)有密切關(guān)系。

圖8 為不同溫度下(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3陶瓷樣品的交流電導(dǎo)率實(shí)部隨頻率的變化關(guān)系。由于缺陷(局部載流子和氧空位)輸運(yùn)受熱激活的貢獻(xiàn),因此交流電導(dǎo)率隨著溫度的增加而逐漸增加[35]。交流電導(dǎo)率隨頻率的變化關(guān)系通常用普適介電響應(yīng)定律描述[36-38]:

圖8 (1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3陶瓷的交流電導(dǎo)率隨頻率的變化Fig.8 Frequency dependence of real part of AC conductivity for(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3 ceramics

式中:σdc是塊體的直流電導(dǎo)率;σ0fs是用來描述偶極子、電子或離子傳輸機(jī)制的經(jīng)驗(yàn)表達(dá)式,s是一個(gè)常數(shù)(0 ≤s≤1)。通過從高頻至低頻擬合交流電導(dǎo)率可獲得直流電導(dǎo)率,同時(shí)該定律描述電荷和偶極子相互耦合行為。

在熱激活的電導(dǎo)中,直流電導(dǎo)率和溫度的關(guān)系同樣遵從阿侖尼烏斯公式,該公式為[32]:

式中:σ0為前置因子;Econ為直流電導(dǎo)的激活能(電荷遷移和跳躍自由能總和)。在(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3陶瓷中,Econ分別為0.51,0.50,0.57 和0.63 eV。隨著SrZrO3含量的增加,電導(dǎo)激活能Econ呈現(xiàn)出增大趨勢(shì)。直流電導(dǎo)激活能與空間電荷長(zhǎng)程的遷移或者跳躍的自由能之和有關(guān)[39]。結(jié)果表明,隨著SrZrO3摻雜量增加,系統(tǒng)具有更深的勢(shì)阱,從而導(dǎo)致載流子長(zhǎng)程遷移受阻,這與圖2 中晶粒尺寸變小和孔隙增加結(jié)果一致。在高溫下,(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3陶瓷的雙電離氧空位可能會(huì)失去1～2 個(gè)電子,缺陷化學(xué)方程式表示為:

式中:VO代表晶格氧缺失;V′或者V″代表氧空位;e′代表釋放或者捕獲的電子。氧空位促進(jìn)相鄰偶極子的出現(xiàn),并且擴(kuò)展偶極子振動(dòng)空間,形成了短程的離子跳躍,進(jìn)而產(chǎn)生弛豫現(xiàn)象[34]。綜上所述,高溫越高,熱激活載流子濃度越大,隨著SrZrO3摻雜量增加,晶格間載流子長(zhǎng)程遷移或者跳躍變得更加困難。

3 結(jié)論

通過固相反應(yīng)法制備了具有“核-殼”結(jié)構(gòu)的(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3(0.11 ≤x≤0.17)陶瓷。隨著SrZrO3摻雜量增加,晶體的長(zhǎng)程鐵電有序被破壞,介電常數(shù)和損耗都有所下降,介電相變峰逐漸寬化。通過Lichtenecker 方程和典型的洛倫茲公式結(jié)合分析介電溫譜,探討了核和殼區(qū)域?qū)殡姵?shù)的貢獻(xiàn),發(fā)現(xiàn)了氧空位濃度的降低和K/Na/Nb 離子從“殼”到“核”的擴(kuò)散有關(guān)。(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrZrO3交流電導(dǎo)率滿足普適介電響應(yīng)定律,且隨著SrZrO3含量增加系統(tǒng)勢(shì)阱加深,晶界間長(zhǎng)程遷移載流子受阻。“核-殼”結(jié)構(gòu)有利于陶瓷電容器減小介電損耗和擴(kuò)展使用溫區(qū),因此,0.86K0.5Na0.5NbO3-0.14SrZrO3陶瓷是非常具有前景的高溫MLCC 無鉛材料。