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交直流混合激勵下取向硅鋼片磁滯及損耗特性模擬方法

2021-07-15 11:00:32趙小軍杜振斌苑東偉杜海泉
電工技術(shù)學(xué)報 2021年13期
關(guān)鍵詞:模型

趙小軍 王 瑞 杜振斌 苑東偉 杜海泉

(1. 華北電力大學(xué)電力工程系 保定 071003 2.河北省輸變電裝備電磁與結(jié)構(gòu)性能重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 保定 071056 3.國網(wǎng)聊城供電公司 聊城 252000)

0 引言

軟磁材料因具有高磁導(dǎo)率和低損耗等特性,被廣泛應(yīng)用于電力設(shè)備和電子器件中[1]。大型電機(jī)、變壓器、電抗器等設(shè)備的鐵心,都是由硅鋼片疊制而成,工作在工頻正弦激勵下。然而隨著直流輸電技術(shù)的快速發(fā)展與電力電子器件的廣泛應(yīng)用,電力系統(tǒng)中引入了直流偏磁和大量諧波,軟磁材料的磁通發(fā)生畸變,導(dǎo)致鐵心振動加劇、局部過熱,同時危害電力系統(tǒng)安全穩(wěn)定運(yùn)行。因此較為準(zhǔn)確地模擬交直流混合等復(fù)雜激勵下的軟磁材料磁滯與損耗特性對變壓器、電機(jī)等設(shè)備的運(yùn)行特性和優(yōu)化設(shè)計(jì)具有重要意義[2-3]。

國內(nèi)外學(xué)者針對非正弦激勵下鐵磁材料磁滯及損耗特性開展了大量研究工作。劉任等提出了基于場分離技術(shù)與損耗統(tǒng)計(jì)理論的新型解析動態(tài)Energetic模型,具有較好的擬合精度,但是磁滯模型待提取參數(shù)較多[4-5]。李陽等建立動態(tài) Jiles-Atherton(J-A)模型,提出基于粒子群算法與遺傳算法的混合算法實(shí)現(xiàn)模型的參數(shù)辨識,該方法在單純的直流偏磁激勵下擬合效果較好,然而當(dāng)偏磁與2次或3次諧波均存在時,動態(tài)磁滯回線形狀擬合誤差較大[6-7]。S. Hussain等利用Preisach模型進(jìn)行高頻正弦及諧波激勵下的磁滯特性模擬,同時實(shí)現(xiàn)與數(shù)值計(jì)算相結(jié)合,模擬精度較高,但參數(shù)辨識過程較為復(fù)雜,不易掌握和實(shí)現(xiàn)[8-11]。趙志剛等結(jié)合商用電磁場數(shù)值分析軟件提出考慮畸變磁通影響的諧波磁損耗工程計(jì)算方法[12],李琳等將主磁滯回環(huán)及其內(nèi)部偏置小回環(huán)獨(dú)立考慮,推導(dǎo)了磁滯損耗和剩余損耗統(tǒng)計(jì)參數(shù)的半解析表達(dá)式,計(jì)算出含小回環(huán)的3次及5次諧波激勵下的損耗[13]。劉剛等對原始損耗分離模型中的損耗分量進(jìn)行系數(shù)校正,使其可以應(yīng)用于基波疊加單次諧波激勵下的損耗計(jì)算[14-15]。

綜上可知,針對非正弦激勵下的磁特性模擬和損耗計(jì)算的研究還不夠深入,仍然存在一系列問題:

1)磁滯模型大多要基于測定的磁滯曲線,采用優(yōu)化算法得到擬合參數(shù),當(dāng)激勵形式較為復(fù)雜時,很難得到合適的參數(shù),導(dǎo)致模型預(yù)測能力較弱。

2)對于諧波下的研究主要針對損耗的擬合,并沒有同步實(shí)現(xiàn)動態(tài)磁滯特性的模擬,限制了應(yīng)用范圍。

3)研究的激勵形式大多為直流偏磁或諧波的單一類型,而實(shí)際工程變壓器常運(yùn)行在偏磁與多諧波共同激勵的條件下,此時鐵磁材料的磁滯回線出現(xiàn)非對稱性,并同時可能出現(xiàn)局部回環(huán),很難進(jìn)行有效且準(zhǔn)確的動態(tài)磁滯和損耗特性模擬。

本文基于BROCKHAUS 磁性能測量系統(tǒng),獲得了取向硅鋼疊片在偏磁與諧波疊加激勵下的磁滯與損耗特性,并對激勵中各變量對損耗特性的影響進(jìn)行研究。基于Preisach磁滯模型,提出了面向非對稱磁滯回線模擬的參數(shù)辨識方法,并應(yīng)用于靜態(tài)磁滯特性模擬。進(jìn)一步考慮直流偏磁磁場和諧波次數(shù)激勵各變量對異常損耗參數(shù)V0的影響,構(gòu)建適用于交直流混合激勵下磁性能模擬的動態(tài)磁滯模型。分析對比了動態(tài)磁滯回線及損耗的仿真結(jié)果與實(shí)驗(yàn)測量結(jié)果,對本文提出的方法進(jìn)行驗(yàn)證。

1 交直流混合激勵下的磁性能測量

1.1 磁性能測量系統(tǒng)

圖1所示為多功能磁性能測量平臺,包括標(biāo)準(zhǔn)愛波斯坦方圈、電源,以及軟件控制系統(tǒng)等。軟件控制系統(tǒng)負(fù)責(zé)將通過PC端輸入的控制指令(波形、直流偏磁磁場強(qiáng)度、諧波次數(shù)、交流磁通密度幅值等)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理,施加相應(yīng)激勵。一次繞組的選擇性勵磁可通過自由曲線或脈沖寬度調(diào)制信號實(shí)現(xiàn),經(jīng)由功率放大器提供。勵磁電流i(t)與磁場強(qiáng)度H(t)滿足安培定律,即

式中,N為愛波斯坦方圈的線圈匝數(shù),實(shí)驗(yàn)中一次、二次側(cè)線圈匝數(shù)均為128;i(t)為一次繞組勵磁電流;lm為等效磁路長度。

在一次繞組中通入直流電流idc,在鐵心中建立直流磁場Hdc,二者間仍有式(1)所示線性關(guān)系。同時在繞組端口施加諧波電壓u(t),磁通密度B(t)的測定是通過對二次繞組感應(yīng)電壓u2(t)的采樣、轉(zhuǎn)換和積分來實(shí)現(xiàn)的,u(t)和B(t)的表達(dá)式分別為

式中,u2(t)為二次側(cè)感應(yīng)電壓;U1m為基波電壓幅值,Ukm為第k次諧波激勵電壓幅值;f為基波頻率;kφ為第k次諧波與基波之間的相位差,本文選取kφ=0°;S為樣品等效截面積。

使用獨(dú)立的模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器并行記錄樣品H(t)和B(t)的大小,以避免相位差產(chǎn)生的誤差。測試樣品參數(shù)見表1。

表1 硅鋼疊片樣品參數(shù)Tab.1 Some key parameters of the silicon steel lamination

1.2 偏磁與諧波對磁滯及損耗的影響

直流偏磁存在時,基波疊加高次諧波時測量得到的動態(tài)磁滯回線分別如圖2a、圖2b所示。由圖2可知,激勵中直流偏磁和諧波的同時存在,會導(dǎo)致磁滯回線不對稱并可能出現(xiàn)局部回環(huán),磁化特性更加復(fù)雜。因此要基于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)預(yù)先進(jìn)行損耗特性分析。

圖2 實(shí)驗(yàn)測量的動態(tài)磁滯回線Fig.2 Dynamic hysteresis loop of experimental measurement

圖3給出了不同直流偏磁作用下,基波疊加7次諧波激勵時的損耗曲線。當(dāng)直流磁場強(qiáng)度Hdc不變,損耗會隨著交流磁通密度峰值Bacm的增大而明顯升高;當(dāng)Bacm不變,伴隨著Hdc每增長25A/m,損耗也會增大,但增長速率越來越緩慢。因此直流偏磁磁場的存在會使損耗增大,同時對于損耗特性的影響具有飽和性。Hdc=75A/m,基波疊加不同高次諧波時的損耗曲線如圖4所示。損耗隨著所疊加諧波次數(shù)的升高而增大,并且次數(shù)越高,增長速率越快。因此激勵中諧波的存在會促使損耗升高,并且其頻率對損耗特性的影響較為顯著。當(dāng)直流偏磁磁場與諧波次數(shù)均發(fā)生改變時的損耗曲線如圖5所示。k=3,Hdc=25A/m的損耗曲線和k=5,Hdc=0A/m的損耗曲線在A點(diǎn)相交,可見當(dāng)外加激勵中直流偏磁作用增強(qiáng),但基波疊加的諧波次數(shù)降低(亦可視為諧波作用減弱)時,損耗的變化將會與交流磁通密度峰值Bacm直接相關(guān),若Bacm較低,直流偏磁磁場 作用更明顯,損耗升高;反之,則諧波作用更明顯,損耗降低。究其原因,當(dāng)鐵磁材料交流磁通密度較低,對應(yīng)的磁場強(qiáng)度隨之降低,此時施加Hdc對損耗的升高作用顯著,k減小對損耗的降低效果則相對而言較弱;反之材料在交流磁通密度比較高時已經(jīng)趨于飽和,而實(shí)驗(yàn)中所施加的直流偏磁磁場強(qiáng)度Hdc最大僅為100A/m,遠(yuǎn)小于飽和磁場強(qiáng)度,偏磁影響不明顯,諧波則成為影響損耗變化的主要因素。

圖3 基波疊加7次諧波在施加不同直流偏磁時的 損耗曲線Fig.3 Loss curves under different DC bias when the seventh harmonic is superposed on the fundamental component in the hybrid excitation

圖4 Hdc=75A/m,基波疊加不同的高次諧波時的 損耗曲線Fig.4 Loss curves when different frequency of harmonic is superposed on the fundamental component in the hybrid excitation with Hdc=75A/m

圖5 無偏磁作用和Hdc=25A/m時,基波疊加3次或5次諧波的損耗曲線Fig.5 Losses curves when third or fifth harmonic is superposed on the fundamental component in the hybrid excitation with Hdc=0A/m or Hdc=75A/m

由以上結(jié)果及分析可知,在交直流復(fù)合激勵條件下,硅鋼片的磁滯及損耗特性較為復(fù)雜,需要結(jié)合激勵特征建立有效且準(zhǔn)確的磁滯模型。

2 交直流混合激勵下的動態(tài)磁滯模型

根據(jù)G. Bertotti提出的損耗統(tǒng)計(jì)理論[16],直流偏磁與諧波相疊加的混合激勵下單位時間內(nèi)每單位體積硅鋼片的總損耗由磁滯損耗Ps,hy、渦流損耗Ps,cl和異常損耗Ps,ex三部分組成,即

式(4)中Ps,cl為直流偏磁與諧波疊加激勵下的渦流損耗,假設(shè)磁場沿磁性材料內(nèi)部均勻分布,基于麥克斯韋方程得到其表達(dá)式為

式中,σ為材料電導(dǎo)率;d為疊片厚度;Ws,cl為時間周期T范圍內(nèi)的渦流損耗。需要注意的是,本文激勵所疊加的諧波頻率較低(小于500Hz),故趨膚效應(yīng)可以忽略不計(jì)[17]。

式(4)中Ps,ex為直流偏磁與諧波疊加激勵下的異常損耗。異常損耗是由于磁疇壁的移動在其附近感應(yīng)出的微觀局部渦流而產(chǎn)生,與動態(tài)磁化過程緊密相關(guān),目前難以利用實(shí)驗(yàn)手段對其物理機(jī)理進(jìn)行準(zhǔn)確測量。因此基于磁疇理論推導(dǎo)得到異常損耗的數(shù)學(xué)模型為[18]

式中,S為疊片的橫截面積;G為無量綱系數(shù),G=0.135 6;V0為表征局部磁場分布的統(tǒng)計(jì)參數(shù),用來描述材料的微觀結(jié)構(gòu)特征;Ws,ex為時間周期T范圍內(nèi)的異常損耗。

式(4)中Ps,hy為直流偏磁與諧波疊加激勵下的磁滯損耗。傳統(tǒng)損耗模型并未對其給出解析表達(dá)式或有效求解方法,因此復(fù)雜激勵形式下磁滯損耗的計(jì)算是損耗分離模型存在的重點(diǎn)問題。一般正弦激勵下磁滯損耗計(jì)算表達(dá)式為

式中,Psin,hy為正弦激勵下的磁滯損耗;kh和α為磁滯損耗系數(shù);fm為激勵頻率;Bm為磁感應(yīng)強(qiáng)度峰值。為了拓寬該式的適用范圍,M. Popescu等提出將磁滯損耗系數(shù)用Bm的多項(xiàng)式進(jìn)行擬合,有效地改善了精度[19]。然而單純的損耗擬合無法考慮磁滯效應(yīng),不能與有限元方法相結(jié)合,應(yīng)用在鐵磁材料的局部磁特性研究時具有明顯局限性。綜上可知,應(yīng)利用有效準(zhǔn)確的磁滯模型對交直流混合激勵下的磁滯特性進(jìn)行模擬。

基于場分離技術(shù),可將直流偏磁與諧波相疊加激勵下的動態(tài)磁場強(qiáng)度Hs,t分為三個部分[20-21],即

式中,B為直流偏磁與諧波疊加激勵的磁感應(yīng)強(qiáng)度;Hs,hy、Hs,cl和Hs,ex分別為磁滯損耗、渦流損耗和異常損耗對應(yīng)的磁場強(qiáng)度。Hs,cl、Hs,ex與損耗的關(guān)系為

根據(jù)場量和能量之間的關(guān)系,渦流損耗Ws,cl和異常損耗Ws,ex在極小時間段dt內(nèi)的微小增量dWs,cl和dWs,ex分別為

將式(11)與式(13)、式(12)與式(14)結(jié)合,可推導(dǎo)得到

式中,δ= sign(dB/dt) = ±1,取決于磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時間變化的曲線是上升還是下降。

3 靜態(tài)磁滯模型及其參數(shù)辨識

用于軟磁材料磁滯特性模擬的磁滯模型有Jiles-Atherton(J-A)模型、Preisach模型、Energetic模型及E&S模型等[4-11,22-25]。本文選擇具有較高求解精度的Preisach模型,建立模型的基本步驟為:①生成一階回轉(zhuǎn)曲線;②利用一階回轉(zhuǎn)曲線辨識如式(17)所示的Everett函數(shù);③由式(18)計(jì)算得到磁場強(qiáng)度H的輸出值[10]。

式中,B和b分別為上升和下降的磁感應(yīng)強(qiáng)度局部極值;以起始于上升支的一階回轉(zhuǎn)曲線為例,Hforc(B)為位于上升支輸入值為B的點(diǎn)所對應(yīng)的輸出值,Hforc(B,b)為起始于上升支為B的點(diǎn)的一階回轉(zhuǎn)曲線,輸入減小到b點(diǎn)時對應(yīng)的輸出值。

式中,E(Bk,bk-1)為對應(yīng)于上升的局部極值k=1,2,…,n處的逆Everett函數(shù)值;E(Bk,bk)為對應(yīng)于下降的局部極值k=1, 2, …,n處的逆Everett函數(shù)值;E(B0,b0)為正向飽和狀態(tài)時對應(yīng)的逆Everett函數(shù)值。

鐵磁材料的一階回轉(zhuǎn)曲線(FORCs)是利用Preisach模型解決靜態(tài)磁滯特性模擬問題的關(guān)鍵。E. Dlala提出了基于對稱的極限磁滯回線生成一階回轉(zhuǎn)曲線的數(shù)值方法[8],但該方法具有局限性,即要求用于生成一階回轉(zhuǎn)曲線的極限磁滯回線必須具有對稱性。而在交直流混合激勵下,由于偏磁的影響,通過實(shí)驗(yàn)測量得到的是非對稱極限磁滯回線。S. E. Zirka等提出了另一種數(shù)值方法,并將其應(yīng)用于無偏磁作用下軟磁材料的磁滯與損耗特性模擬[26]。事實(shí)上,這種新的一階回轉(zhuǎn)曲線的數(shù)值生成方法具有更佳的泛化能力和更廣的適用范圍,能夠用于非對稱一階回轉(zhuǎn)曲線的生成。本文將采用該方法構(gòu)造交直流混合激勵下非對稱極限磁滯回線的一階回轉(zhuǎn)曲線。

通過實(shí)驗(yàn)可測量得到Bacm=1.88T,不同直流磁場強(qiáng)度Hdc時的靜態(tài)極限磁滯回線。由于測量系統(tǒng)不能直接獲取硅鋼片中磁通密度的直流分量,本文采用迭代法[27]計(jì)算得到不同偏磁情況下磁通密度直流分量。利用上文提到的數(shù)值方法分別生成起始點(diǎn)位于上升支的下降的一階回轉(zhuǎn)曲線和起始點(diǎn)位于下降支的上升的一階回轉(zhuǎn)曲線,如圖6所示。進(jìn)而可以得到考慮了磁滯特性非對稱特征的逆Everett函數(shù)E(bu,bv),如圖7所示。

圖6 一階回轉(zhuǎn)曲線Fig.6 The FORCs

圖7 逆Everett函數(shù)Fig.7 Inverted Everett function composed from FORCs

基于非對稱的逆Everett函數(shù)建立Preisach磁滯模型,對不同交直流混合激勵情況下的靜態(tài)磁滯回線進(jìn)行擬合,圖8給出了工況a(k=5,Bacm=1.0T,Hdc=50A/m)及工況b(k=5,Bacm=1.3T,Hdc=100A/m)仿真結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果對比。可以看出磁滯回線主回環(huán)擬合效果良好,但部分局部回環(huán)擬合效果欠佳。究其原因,受到實(shí)驗(yàn)條件的制約,無法通過測量得到真正的靜態(tài)磁滯回線,實(shí)驗(yàn)中只能用較低頻率下(基頻3Hz)的交直流混合激勵來近似獲得靜態(tài)磁滯回線。通過式(2)和式(3)可知,交流磁通密度基波部分的實(shí)驗(yàn)激勵頻率為3Hz,滿足近似條件;而諧波部分的實(shí)驗(yàn)頻率會隨著諧波次數(shù)k的升高而增大,在7次諧波時達(dá)到了21Hz。雖然和動態(tài)實(shí)驗(yàn)的基頻50Hz相比并不高,且當(dāng)諧波含量較低時,諧波在磁滯回線生成過程中的作用明顯小于基波作用,不會對主回環(huán)產(chǎn)生很大影響,但是卻會直接影響局部回環(huán)的測量結(jié)果,導(dǎo)致局部回環(huán)的測量值與其實(shí)際值存在一定偏差。

圖8 靜態(tài)磁滯回線測量與擬合對比Fig. 8 Comparison between measured static hysteresis loops with simulated ones

為了更好地評價擬合效果,應(yīng)從損耗的角度對圖8兩組工況的靜態(tài)磁滯模擬進(jìn)行誤差分析,結(jié)果見表2,P0、P1~P4分別表示主回環(huán)和局部回環(huán)1~4的磁滯損耗;Ps,hy表示靜態(tài)磁滯損耗;Δr代表擬合值的相對誤差。可以看出,主回環(huán)的損耗相對誤差控制在10%以內(nèi),擬合效果很好;局部回環(huán)的擬合效果欠佳,相對誤差在20%以內(nèi)。由于局部回環(huán)損耗遠(yuǎn)小于主回環(huán)損耗,前者誤差對靜態(tài)磁滯損耗的計(jì)算影響較小,總的磁滯回線對應(yīng)的損耗誤差依舊小于10%,說明本文提出的基于非對稱極限磁滯回線生成FORCs,進(jìn)而構(gòu)建Everett函數(shù)的方法可以用于硅鋼疊片在交直流混合激勵下的靜態(tài)磁滯特性的準(zhǔn)確模擬。

表2 靜態(tài)磁滯損耗誤差分析Tab.2 Error analysis of static hysteresis loss

總體來說,可以通過提升實(shí)驗(yàn)條件,降低激勵的基頻,同時優(yōu)化Preisach模型,改進(jìn)Everett函數(shù)的生成方法等舉措進(jìn)一步提高靜態(tài)磁滯特性的模擬精度。

4 動態(tài)模型參數(shù)提取與磁滯模擬

針對本文施加的交直流混合激勵,渦流損耗對應(yīng)的磁場強(qiáng)度Hs,cl與直流偏磁磁場Hdc無關(guān),只與瞬時磁通密度B(t)隨時間的變化率有關(guān),可以直接由式(15)計(jì)算。通過式(16)可知,計(jì)算異常損耗對應(yīng)的磁場強(qiáng)度Hex的關(guān)鍵在于準(zhǔn)確擬合異常損耗統(tǒng)計(jì)參數(shù)V0。在直流偏磁激勵情況下,V0不僅與交流磁通密度峰值Bacm有關(guān),還與直流偏磁磁場強(qiáng)度Hdc相關(guān)[21]。由于本文激勵中含有諧波成分,需要考慮諧波次數(shù)k可能對V0產(chǎn)生的影響。

4.1 異常損耗的模擬與參數(shù)提取

借助動態(tài)磁滯實(shí)驗(yàn)及靜態(tài)磁滯模型,得到異常損耗Ps,ex的實(shí)驗(yàn)值并提取一系列的V0值,在分析V0隨Bacm、Hdc及k變化規(guī)律的基礎(chǔ)上,通過數(shù)值擬合的方法確定函數(shù)V0(Bacm,Hdc,k),從而為軟磁材料在不同交直流混合激勵下的異常損耗預(yù)測奠定基礎(chǔ)。

在不同交流磁通密度峰值Bacm及諧波次數(shù)k下參數(shù)V0的變化曲線如圖9所示。

圖9 Hdc=50A/m,基波疊加高次諧波的V0提取值 變化曲線Fig.9 Extracted value of V0 when higher order harmonic is superposed on the fundamental component in the hybrid excitation with Hdc=50A/m

由圖9中V0提取值的變化趨勢可以看出,當(dāng)磁感應(yīng)強(qiáng)度交流分量峰值Bacm不變時,參數(shù)V0值會隨基波所疊加諧波的次數(shù)k升高而增大;而當(dāng)諧波次數(shù)k一定時,V0會隨著磁感應(yīng)強(qiáng)度交流分量峰值Bacm增大而降低,并呈現(xiàn)出類似冪指數(shù)的變化規(guī)律。當(dāng)直流偏磁磁場強(qiáng)度Hdc變化時,仍存在相似的規(guī)律,故不再贅述。根據(jù)以上特點(diǎn),本文選用高斯函數(shù)作為V0的函數(shù)擬合公式,V0的函數(shù)表達(dá)式為

式中,ip為關(guān)于Hdc的函數(shù),可基于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)擬合得到,i=1, 2, …, 8。

在兩種直流偏磁磁場下,基波疊加不同諧波激勵時,Ps,ex的擬合值與實(shí)驗(yàn)值的對比如圖10所示。可以看出,異常損耗的擬合效果良好,具有較高的 計(jì)算精度。由此說明V0的函數(shù)表達(dá)式可以滿足要求。此外,異常損耗Ps,ex隨交流磁通密度峰值Bacm和諧波次數(shù)k的增大而明顯增大,但受直流偏磁磁場強(qiáng)度Hdc的影響很小:在相同的Bacm和k下,隨著Hdc從最小值25A/m增長到最大值100A/m,Ps,ex增長非常緩慢,甚至在個別工況時略有下降。

圖10 異常損耗實(shí)驗(yàn)值與擬合值對比Fig.10 Comparison between measured and fitted excess loss

4.2 動態(tài)磁滯特性與損耗特性的模擬及分析

利用前述得到的動態(tài)磁滯模型,對型號為B27ZH95的硅鋼片在交直流混合激勵情況下的動態(tài)磁滯回線進(jìn)行模擬。圖11給出三種工況下的動態(tài)磁滯回線擬合結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果對比。

圖11 動態(tài)磁滯回線測量與擬合對比Fig.11 Comparison between measured dynamic hysteresis curves with simulated ones

可以看出,基于損耗分離辨識動態(tài)磁滯模型參數(shù),進(jìn)而得到的動態(tài)磁滯回線與測量結(jié)果較為一致,說明本文算法可以對硅鋼疊片在交直流混合激勵情 況下的動態(tài)磁滯特性進(jìn)行較為準(zhǔn)確的模擬。表3和表4分別給出了硅鋼疊片在Hdc=25A/m,k=5與Hdc=50A/m,k=7兩種不同激勵下的鐵損計(jì)算值Ps,t-cal,并將其與實(shí)驗(yàn)測量結(jié)果Ps,t-mea對比,發(fā)現(xiàn)相對誤差Δr在10%以內(nèi),損耗計(jì)算較為準(zhǔn)確,進(jìn)一步驗(yàn)證了本文模型的準(zhǔn)確性和有效性。

表3 Hdc=25A/m, 基波疊加5次諧波激勵下鐵損測量值與計(jì)算值對比Tab.3 Comparison between calculated iron losses Ps,t-mea and measured ones Ps,t-calwhen fifth harmonic is superposed on the fundamental component in the hybrid excitation with Hdc=25A/m

表4 Hdc=50A/m, 基波疊加7次諧波激勵下鐵損測量值與計(jì)算值對比Tab.4 Comparison between calculated iron losses Ps,t-mea and measured ones Ps,t-calwhen seventh harmonic is superposed on the fundamental component in the hybrid excitation with Hdc=50A/m

5 結(jié)論

1)交直流混合激勵下,直流磁場增大或諧波次數(shù)升高均會使損耗增加。不同之處在于,激勵中諧波階數(shù)升高對損耗的影響更為顯著,而直流磁場增大導(dǎo)致的損耗增大,會受到鐵心中磁通密度飽和特征的影響。

2)基于實(shí)驗(yàn)測量得到直流偏磁極限磁滯回線,基于兩組非對稱的一階回轉(zhuǎn)曲線得到Everett函數(shù),實(shí)現(xiàn)了Preisach磁滯模型參數(shù)辨識,該模型能夠準(zhǔn)確地計(jì)算靜態(tài)磁場強(qiáng)度和磁滯損耗。

3)依據(jù)直流磁場、交流磁通密度和諧波次數(shù)對異常損耗統(tǒng)計(jì)參數(shù)的影響規(guī)律,構(gòu)造相關(guān)函數(shù)并進(jìn)行參數(shù)提取,以此得到的動態(tài)磁滯模型能夠?qū)崿F(xiàn)交直流混合激勵條件下動態(tài)磁滯特性及總損耗的準(zhǔn)確模擬。

4)本文提出的方法適用于含多個高次諧波的交直流疊加情況,但由于目前實(shí)驗(yàn)室儀器等條件的限制尚無法對其模擬精度進(jìn)行驗(yàn)證,有待于進(jìn)一步開展深入研究。

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