IBM混搭出低功耗硅基器件

近日，IBM歐洲研究中心和洛桑聯邦理工學院的研究人員研發出一種混合硅基器件。該器件結合了三五族場效應晶體管和金氧半場效晶體管的優勢，能夠在不同電壓條件下實現較低的功耗，未來或可用于減少信通行業的碳足跡。新研究已發表于國際學術期刊《自然—電子學》，論文名稱為《集成在硅上的混合三五族場效應晶體管和金氧半場效晶體管技術平臺》。