第三代半導體之GaN

從目前第三代半導體材料及器件的研究來看，較為成熟的第三代半導體材料是SiC和GaN，而ZnO、金剛石、氮化鋁等第三代半導體材料的研究尚屬起步階段。

換言之，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是目前最為成熟的，商業化程度最高的第三代半導體材料，資本市場就是如此，有的時候很浪漫，比如酒的故事可以說上200年，有的時候的確很現實，沒有盈利模式就一無是處，薄膜光伏電池、第三代半導體都是如此。

GaN是一種III/V直接帶隙半導體，通常用于微波射頻、電力電子和光電子三大領域。受電信基礎設施和國防兩個方向應用推動，加上衛星通信、有線寬帶和射頻功率的需求增長，根據中信建投的測算，GaN射頻市場將從2018年的6．45億美元增長到2024年的約20億美元。在GaN RF領域內，美日廠商遙遙領先，而相關專利領域的新進入者主要是中國廠商，例如 HiWafer(海威華芯)，三安集成、華進創威。

現行汽車的特點和功能是耗電和電子驅動，給傳統的12V配電總線帶來了額外負擔。對于48V總線系統， GaN 技術可提高效率、縮小尺寸并降低系統成本。綜合來看，GaN 在汽車電子方面擁有豐富的應用場景。

由于GaN充電器具有體積小、發熱低、功率高、支持PD協議的特點，GaN充電器有望在未來統一筆記本電腦和手機的充電器市場。隨著中國OEM廠商OPPO在其65W快速充電器中采用 GaN HEMT，功率 GaN 正在進入主流消費應用。

GaN 是藍光LED 的基礎材料，在 Micro LED、紫外激光器中也有重要應用。Micro LED被認為是下一代顯示技術，而硅襯底GaN 基技術的特性是制造 Micro LED 芯片的天然選擇。 (網易號)