專利名稱：銅銦鎵硒薄膜太陽能電池銅鉬合金背電極及其制備方法

專利申請?zhí)枺篊N201810934638

公開號：CN109119494A

申請日：2018.08.16

公開日：2019.01.01

申請人：蚌埠興科玻璃有限公司; 中建材蚌埠玻璃工業(yè)設(shè)計研究院有限公司

本發(fā)明公開一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池銅鉬合金背電極，包括由下至上依次層疊設(shè)置的襯底、雜質(zhì)阻擋層、金屬導(dǎo)電層與硒阻擋層；雜質(zhì)阻擋層為硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、Ti、Zr、Cr、V、Nb、Ta或Ni；金屬導(dǎo)電層為Cu或Cu合金；硒阻擋層為單阻擋層或復(fù)合阻擋層，單阻擋層為鉬、氧化鉬或氮化鉬，復(fù)合阻擋層由鉬、氧化鉬、氮化鉬的兩種或兩種以上層疊構(gòu)成；采用磁控濺射在襯底上依次沉積各個結(jié)構(gòu)層即完成制備；在以銅或銅合金為金屬導(dǎo)電層的背電極中引入雜質(zhì)阻擋層與硒阻擋層，雜質(zhì)阻擋層能夠阻止襯底中的雜質(zhì)向銅銦鎵硒薄膜光吸收層擴散；硒阻擋層能夠阻止硒元素向金屬導(dǎo)電層的擴散，避免了硒和金屬導(dǎo)電層之間的反應(yīng)，確保金屬導(dǎo)電層的穩(wěn)定性。