一種選擇性檢測分子的硅基反射干涉?zhèn)鞲衅骷捌渲苽浞椒?/h1>
2021-03-27 18:37:27
傳感器世界 2021年10期
申請?zhí)? 202110491003.X
【公開號(hào)】CN113049542A
【公開日】2021.06.29
【分類號(hào)】G01N21/45
【申請日】2021.05.06
【申請人】蘇州大學(xué)
【發(fā)明人】吳紹龍;王杰;李劉晶;秦琳玲;張程;李孝峰
【摘 要】本發(fā)明公開了一種基于反射干涉光譜技術(shù)的硅基光學(xué)傳感器及制備方法，屬光學(xué)傳感技術(shù)領(lǐng)域。沿著復(fù)合光入射方向依次包括有序硅納米線陣列層、無序多孔硅層、平面硅基底，每根納米線內(nèi)部設(shè)置有隨機(jī)分布的納米孔，無序多孔硅層處于有序硅納米線陣列層下方，該層設(shè)有呈樹枝狀隨機(jī)分布的納米孔。用于反射干涉?zhèn)鞲袦y試時(shí)，小分子可以滲透到無序多孔硅層，而目標(biāo)小分子和干擾大分子可同時(shí)滲入有序硅納米線陣列層。與雙層無序多孔硅結(jié)構(gòu)相比，本方案不僅明顯增強(qiáng)了待測液的流通性和傳感器靈敏度，還降低了響應(yīng)時(shí)間；與單層有序硅納米線陣列結(jié)構(gòu)或單層無序多孔硅結(jié)構(gòu)相比，具有同時(shí)檢測目標(biāo)小分子和干擾大分子的優(yōu)勢。
申請?zhí)? 202110491003.X
【公開號(hào)】CN113049542A
【公開日】2021.06.29
【分類號(hào)】G01N21/45
【申請日】2021.05.06
【申請人】蘇州大學(xué)
【發(fā)明人】吳紹龍;王杰;李劉晶;秦琳玲;張程;李孝峰
【摘 要】本發(fā)明公開了一種基于反射干涉光譜技術(shù)的硅基光學(xué)傳感器及制備方法，屬光學(xué)傳感技術(shù)領(lǐng)域。沿著復(fù)合光入射方向依次包括有序硅納米線陣列層、無序多孔硅層、平面硅基底，每根納米線內(nèi)部設(shè)置有隨機(jī)分布的納米孔，無序多孔硅層處于有序硅納米線陣列層下方，該層設(shè)有呈樹枝狀隨機(jī)分布的納米孔。用于反射干涉?zhèn)鞲袦y試時(shí)，小分子可以滲透到無序多孔硅層，而目標(biāo)小分子和干擾大分子可同時(shí)滲入有序硅納米線陣列層。與雙層無序多孔硅結(jié)構(gòu)相比，本方案不僅明顯增強(qiáng)了待測液的流通性和傳感器靈敏度，還降低了響應(yīng)時(shí)間；與單層有序硅納米線陣列結(jié)構(gòu)或單層無序多孔硅結(jié)構(gòu)相比，具有同時(shí)檢測目標(biāo)小分子和干擾大分子的優(yōu)勢。
