純國產DDR4 3000內存實戰體驗

馬宇川

光威弈PRO系列DDR4臺式機內存解析

我們此次收到的是光威弈PRO系列DDR430008GB臺式機內存，與光威的國產SSD類似，其產品包裝采用了中國紅的配色、霸氣的龍頭LOGO，無一不彰顯出它的中國元素。不過在內存方面，盡管頻率已經達到DDR43000，但內存的外觀設計比較簡單，沒有裝配散熱片，內存顆粒全部裸露出現，也就是俗稱的“裸條”，這也讓我們能仔細看看它的顆粒。相對SSD，內存的結構更簡單，主要由PCB與內存顆粒、SPD芯片，以及一些輔助供電元件構成。因此內存顆粒就是內存中最為重要的部分，而光威弈PRO系列內存采用的顆粒全部由我國長鑫存儲技術有限公司生產、制造。長鑫存儲公司位于“創新之都”—安徽合肥。作為一體化存儲器制造商，公司專業從事動態隨機存取存儲芯片即內存顆粒的設計、研發、生產和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產。

光威弈PRO系列DDR430008GB內存采用了單面8顆粒設計，單顆8Gb組成8GB的容量。顆粒表面有“CXMT”的標識，這就是合肥長鑫的LOGO，顆粒上的“2016”則應該是2020年第16周生產的意思。這款內存顆粒是長鑫通過收購奇夢達的專利技術，并在奇夢達的46nm工藝上進行改進，研發出具有自主產權的10nm級（實際生產工藝為19nm）內存顆粒，其生產工藝水平已接近同樣在使用10nm級生產工藝的國外內存顆粒廠商三星、美光。在延遲設定上，這款內存在DDR43000下的工作延遲為16-18-18-38@2T，延遲設定并不高，達到了同類產品的較好水平。當然要工作在DDR43000這一頻率下，需要主板支持英特爾XMP或AMDD.O.C.P一鍵超頻技術。

其他方面，這款內存還采用了8層PCB設計，采用多層PCB可以讓設計人員更從容地控制線長、線路分布更加合理，線間的干擾與發熱也能得到減小，為內存帶來更好的電氣性能。接下來我們特別搭建基于第十代酷睿處理器、Z490主板、GeForceRTX2060Super顯卡的第十代酷睿平臺對內存的性能進行了測試，測試中我們采用了兩根光威弈PRO系列DDR430008GB內存，組成雙通道系統。

性能表現較好可穩定超頻到DDR4 3400

首先從默認狀態下的性能表現來看，這款內存發揮出了DDR43000內存的正常水準—在雙通道配置下，AIDA64的內存讀寫帶寬均突破了43000MB/s，同時得益于較低的延遲設置，內存的總體訪問延遲不到50ns，內存延遲控制得比較好。同時在專業的SiSoftwareSandra內存測試中，其內存帶寬也達到了29GB/s，內存訪問延遲只有27.2ns。而在普通用戶常用的《魯大師》5.20的內存性能測試中，這款內存的得分也突破了11000分，擊敗全國99%的用戶。同時，內存也發揮出了酷睿i7-10700K處理器的性能，其CINEBENCHR20處理器渲染性能達到4964pts，WinRAR壓縮性能突破28000KB/s，可在1080p分辨率下流暢運行游戲大作。

接下來我們還測試了光威弈PRO系列DDR430008GB內存的超頻能力。經多次嘗試，我們發現在保持延遲設置為16-18-18-38@2T，內存電壓仍維持在1.35V的設置下，這款內存的最高可工作頻率為DDR43400。超頻后，其內存性能有了進一步提升，如AIDA64內存讀寫帶寬均突破48000MB/s，內存復制帶寬從39158MB/s提升到43959MB/s，提升幅度達12.2%，延遲則降低到46.8ns。同時在SiSoftwareSandra內存帶寬測試中，成績也提升到了32GB/s，內存整體性能提升幅度也在10%以上，內存延遲則從27.2ns降低到25.9ns。

內存性能的提升也小幅帶動了處理器性能的提升，如WinRAR壓縮性能從28188KB/秒提升到29059KB/秒，CINEBENCHR20處理器渲染性能也從4964pts小幅提升到4969pts。此外在游戲《僵尸世界大戰：部落模式》的1080p分辨率、最高畫質設定下，其平均運行幀速也增加了2fps。

最后我們還測試了光威弈PRO系列DDR430008GB內存超頻到DDR43400下的穩定性。測試中運行了AIDA64內存烤機測試，當運行時間達到半小時后，內存沒有出現任何不穩定或藍屏的現象。從FLIR紅外熱像儀偵測來看，雖然內存沒有配備散熱片但得益于先進的生產工藝，內存的發熱量并不高，即便在DDR43400下滿載運行，內存顆粒的表面最高溫度只有53.5℃，內存表面平均溫度在43.8℃左右。

國產自主內存進步神速

綜合以上體驗來看，光威弈PRO系列DDR430008GB內存已經達到了國外同類產品的水平，它不僅可在默認頻率下，提供能夠滿足大部分用戶的性能，更具備可“免費”提升400MHz穩定超頻到DDR43400的能力，為用戶帶來明顯的性能提升，而且內存在超頻后的發熱量也不大。當然，我們也希望光威能為這款內存加上散熱片，一方面可以降低內存的工作溫度，提高內存的散熱效率，一方面也可以提升內存的外觀形象，給用戶更好的觀感。

值得稱贊的是，采用19nm顆粒的光威弈PRO系列DDR4內存只是國產內存的第一步，根據長鑫存儲的產品規劃圖顯示，預計在今年底長鑫還會量產更加先進的17nm顆粒，在未來2～3年還將完成低功耗、高速率LPDDR5內存、GDDR6顯存的研發、生產，以及14nm、15nm生產工藝的研發，進一步追上國外廠商的技術水平。顯然與國產SSD一樣，國產內存的問世時間盡管不早，但其發展速度卻疾如雷電，更多的驚喜還將接踵而至。