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文/飛丞

翱翔青藏高原，“云雀”銜來更多科考數據

近日，由中國科學院沈陽自動化研究所自主研制的“云雀”自主飛行機器人在青藏高原開展高海拔冰川與湖泊智能化科考工作，實現了機器人化高海拔環境科考。

青藏高原海拔高，氧氣稀薄，氣候惡劣多變，尤其是極高海拔區，科考活動難度大，危險系數高，人類難以開展工作甚至無法到達，制約了青藏科考全面深入持續開展。為此，在國家重點研發計劃項目支持下，中國科學院沈陽自動化研究所、中國科學院青藏高原研究所等國內技術團隊，圍繞高海拔極端環境下的機器人移動與作業技術開展聯合攻關。

據介紹，“云雀”突破了“稀薄大氣中的高效升力系統設計”“高原強風干擾下的自主控制”等技術瓶頸，實現了空氣稀薄、強風干擾等極端環境下的自主起降、定點或航跡飛行、動靜態障礙物避碰等自主功能。

在海拔6000米的西藏廓瓊崗日冰川區，“云雀”完成了冰面溫度熱紅外影像監測、冰川三維地形勘測與建模、高空大氣溫濕壓與黑碳通量垂直廓線監測工作，并在海拔4730米的納木錯湖完成了深部水體樣品自動化采集和湖水溫度垂直剖面實時監測工作。本次應用充分驗證了“云雀”的自主作業能力可覆蓋青藏高原所有野外科考站和絕大部分冰川區，有望形成全新的精細化、智能化科考作業力量。

小麥育種“骨干親本”找到突破口

中國農業科學院作物科學研究所小麥基因資源發掘與利用創新團隊，從我國育成的3000多個小麥品種中精選145份代表性品種進行重測序，揭示了其基因組重塑和優化的過程，為解析小麥育種“骨干親本”找到了突破口。

中國農業科學院作物科學研究所研究員張學勇介紹，目前基于規模化品種的重測序，成為系統解析優異種質資源以及重大品種形成和演變的重要技術與方法。團隊對145份小麥的代表性品種進行了重測序，構建了高密度的基因組變異圖譜。研究發現，20世紀50～60年代的品種基因組組成以我國地方品種的貢獻為主，而70～80年代則以引進品種的貢獻為主，80年代中后期引進品種的貢獻達到頂峰。引進種質貢獻了一些我國地方品種中缺乏的單倍型區段，這從基因組學層面客觀地反映了我國小麥育種的歷史。

進一步研究發現，在人工選擇育種進程中，小麥的A、B、D三個基因組間和共線區域的同源基因之間表現出強烈的非對稱選擇規律。同時，研究人員以育種進程中小偃6號小麥及其衍生品種為例，系統研究了雜交選育過程中強連鎖單倍型區段的形成和演化規律，明確了一些單倍型區段所控制的性狀。這為以系譜為基礎，以基因組學為手段，解析每一個“骨干親本”所攜帶的優良區段提供了很好的思路和樣板，也為小麥基因組選擇育種提供了重要依據和理論指導。

全國首條“超級電容+鈦酸鋰電池”有軌電車工程完工

近期，由中鐵二十二局集團有限公司承建的國內首條采用“超級電容+鈦酸鋰電池”儲能供電裝置的有軌電車工程——廣東省廣州市黃埔區有軌電車1號線完工。

該項目負責人胡文濤介紹，黃埔區有軌電車1號線全長約14.4公里，有軌電車的車身長37米，寬2.65米，高3.68米，為100%低地板有軌電車線路，方便乘客上下車。

據了解，這條線路在全國首次采用“超級電容+鈦酸鋰電池”混合儲能供電裝置技術。線路系統超級電容單體容量達9500法拉。車輛達到站點時，在乘客上下車間隙，可自動完成充電，用時不到30秒，實現車輛能耗和補給動態平衡，確保車輛全程不間斷運行。同時，車輛配置鈦酸鋰電池可在突發狀況和緊急狀態下為車輛補償供電，高度提升了車輛運行的應急能力。由于采用“超級電容+鈦酸鋰電池”作為儲能裝置牽引供電，區間無接觸網，減少了城市空中“蜘蛛網”。此外，車輛制動時將80%以上的制動能量回收至超級電容形成電能儲存，實現能量循環利用，做到了高效節能。

我國半導體抗光腐蝕研究取得新進展

內蒙古大學化學化工學院研究員王蕾帶領的科研團隊在半導體抗光腐蝕研究方面取得新進展，得到國家自然科學基金等多個項目的認可支持。“鈍化層助力BiVO4抗光腐蝕研究”的相關成果已于近日在國際化學期刊《德國應用化學》發表，將有助于提高太陽能制氫的光電轉換效率。

據王蕾介紹，新型潔凈能源氫能素來是新能源的研究熱點，光解水制氫是獲得氫能的主要技術之一，而太陽能制氫轉換效率是光解水主要性能指標。半導體較低的光吸收率和較高的載流子復合率是影響轉換效率的首要因素，因此，如何提高光電轉換效率是當前光電催化研究領域的重中之重。

BiVO4半導體因具有2.4電子伏特的合適帶隙寬度、良好的光吸收性能以及適合的低電位下進行水氧化的導帶位置，成為太陽能光電催化制氫領域的重要材料之一。然而，由于BiVO4材料的電子與空穴相復合，嚴重影響了光生電荷傳輸，使其太陽能光電催化性能低于理論值，同時由于光腐蝕，使其無法適用長期光解水反應。科研團隊通過改善材料制備工藝以及恒電位光極化測試方法，提高了BiVO4活性及穩定性。

研究表明，無表面助催化劑修飾下的BiVO4在間歇性測試下，可以達到100小時的穩定性，表現出超強的“自愈”特性。電化學測試顯示，半導體表界面產生的鈍化層和氧空位協助作用，有效減小了半導體電子與空穴復合，提高了表面水氧化動力學，從而抑制了光腐蝕。