基于紫外光輻照條件下制備ZnSe/ZnS核殼結構量子點

張叢叢，劉連棟，夏 蕾，李 學，張曉凱*

1. 山東師范大學物理與電子科學學院，山東 濟南 250014 2. 山東師范大學化學化工與材料科學學院，山東 濟南 250014 3. 濟南大學化學化工學院，山東 濟南 250022

引 言

近十年來，Ⅱ-Ⅵ族半導體納米晶以其獨特的光電特性和半導體特性，使得制備Ⅱ-Ⅵ族半導體納米晶的研究成為跨學科研究的重要領域[1]。已經報道了從水沉淀法[2]到高溫熱注射法[3]等各種半導體納米晶的合成方法。ZnSe是一類重要的Ⅱ-Ⅵ族半導體材料，具有閃鋅礦結構，低毒，且2.7 eV寬帶隙，其發光帶在紫外和藍光范圍以外。因此，它在發光二極管、傳感器等基礎研究等方面具有巨大的應用潛力[4]。可廣泛應用于光電器件(如藍綠激光)、熒光屏器件[5-6]、熒光探針[7]、醫學成像[8]、太陽能電池[9]等領域。納米ZnSe材料由于體積小，表現出比大塊體積材料更優越的性能，但其具體應用受到形貌、尺寸、物象等因素的限制。因此，控制ZnSe納米材料的形貌、尺寸和物象一直是研究的熱點。在過去幾十年里，CdSe納米晶體一直是生物標志物領域中最活躍的發光材料，Cd基復合納米晶體在這一領域中起著重要的作用。然而，含有鎘重金屬離子的納米晶體的毒性在未來的生物學、醫學和藥學應用中存在著潛在的危險。ZnSe納米晶在基體選擇上符合綠色環保要求。本實驗借鑒了Khafajeh等光催化合成ZnSe/ZnS的試驗方法，對水熱法、巰基水相法、微波法等傳統的水相合成法進行改進，摒棄了傳統水相相合成法高溫高壓等苛刻的實驗條件、昂貴……