雷電沖擊對(duì)一二次融合成套開(kāi)關(guān)電磁干擾研究

程 顯，朱劍鵬，趙海洋，袁曉東，賀 翔，徐銘銘

(1．鄭州大學(xué) 電氣工程學(xué)院，河南 鄭州 450001；2．國(guó)網(wǎng)河南省電力公司 電力科學(xué)研究院，河南 鄭州 450000；3．河南省輸配電裝備與電氣絕緣工程技術(shù)研究中心，河南 鄭州 450000)

0 引言

隨著一二次融合配電開(kāi)關(guān)一體化發(fā)展，設(shè)備的智能化成為當(dāng)今電網(wǎng)發(fā)展的主要趨勢(shì)，一次高電壓設(shè)備與二次測(cè)控設(shè)備的集成化，增加了二次設(shè)備對(duì)瞬態(tài)干擾的敏感性和脆弱性[1]。相比于傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)設(shè)備，將二次設(shè)備放置到現(xiàn)場(chǎng)一次設(shè)備附近可能使其受到雷電過(guò)電壓干擾，破壞設(shè)備的絕緣特性[2-3]。

配電開(kāi)關(guān)一二次設(shè)備一體化進(jìn)程不斷加快，融合產(chǎn)品的電磁兼容性能問(wèn)題日益突出，國(guó)內(nèi)研究者主要對(duì)高壓開(kāi)關(guān)操作引起的二次設(shè)備瞬態(tài)電磁特性進(jìn)行了研究，并提出了相應(yīng)的抗干擾措施[4]。文獻(xiàn)[5-8]通過(guò)10 kV柱上開(kāi)關(guān)及開(kāi)關(guān)柜開(kāi)斷過(guò)程對(duì)二次智能設(shè)備的電磁干擾進(jìn)行研究，得到干擾信號(hào)的頻帶及能量分布情況；文獻(xiàn)[9]在252 kV智能氣體絕緣金屬封閉開(kāi)關(guān)(gas insulated switchgear，GIS)開(kāi)合母線充電電流試驗(yàn)中，對(duì)二次設(shè)備上產(chǎn)生的電磁干擾進(jìn)行了測(cè)量，耦合電壓超過(guò)1 kV；文獻(xiàn)[10]中對(duì)變電站隔離開(kāi)關(guān)及斷路器操作引起的二次回路干擾電壓測(cè)量表明其主頻為1～4 MHz，且幅值不高于1 kV；文獻(xiàn)[11-13]中研制了瞬態(tài)電磁干擾測(cè)量系統(tǒng)，得到開(kāi)關(guān)動(dòng)作引起的二次設(shè)備電磁干擾特征，試驗(yàn)表明最大共模干擾幅值接近2 kV。國(guó)內(nèi)外對(duì)一二次融合配電開(kāi)關(guān)二次設(shè)備電磁兼容的研究較少，且主要是針對(duì)高壓開(kāi)關(guān)操作對(duì)二次回路產(chǎn)生的電磁場(chǎng)進(jìn)行測(cè)量[14-15]?！?br>