本報訊 記者陳炳欣報道:隨著臺積電不斷推進7納米、5納米、3納米等先進工藝,業界對其的關注度不斷提升。在8月26日舉辦的2020世界半導體大會期間,臺積電(南京)有限公司總經理羅鎮球介紹了該公司在先進工藝以及3D封裝等技術上的規劃布局。
羅鎮球表示,臺積電在7納米節點上進行了3個細分節點劃分,包括7納米、7納米的強化版N7+和6納米。在這個節點上,臺積電的芯片產量非常大,到目前為止已經生產了超過10億顆芯片,應用領域包括CPU、GPU、通信芯片以及AI。
目前,臺積電的5納米已經進入量產階段。臺積電仍然會采用小步快走的研發模式,在功耗上、性能上、面積上持續不斷做提升。5納米節點也將規劃3個細分節點,包括5納米、5納米的強化版N5+和4納米。根據羅鎮球的介紹,從5納米生產的情況來看,它的良率推進遠遠好于三年前的7納米。4納米預計在2021年開始正式批量生產。
隨著工藝的持續推進,業界有人擔心摩爾定律能不能繼續往下走。“目前為止,我們看到3納米、2納米、1納米都沒有什么太大問題。臺積電在3納米性能上可以再提升10%~15%,功耗可以再降低25%~30%。預計可以看到3納米的產品在2022年進人大批量生產階段。”羅鎮球說道。
在先進封裝方面,羅鎮球認為,先進封裝是使摩爾定律持續演進的主要助力。臺積電將3D封裝分成前段3D封裝和后段3D封裝。前段3D封裝采用SoIC技術,包括CoW即ChiponWafer封裝方式和WoW即WaferonWafer的封裝方式進行;后段3D封裝采用InFO封裝和Co-WoS封裝技術,將不同功能的芯片整合到一個系統級的產品當中,這是非常有效而且成本更低的方式。