電子材料

美國研發用于三維電子器件制造的新型3D打印技術

美國加利福尼亞大學洛杉磯分校研發出一種新型3D打印技術，通過電荷將材料引導至特定位置，可滿足三維電子器件復雜結構和多種材料的制造需求。

該方法的打印速率為26 000mm2/h，遠高于“氣溶膠噴射”的5 600mm2/h和“直接書寫”的113mm2/h。

目前，新型3D打印技術所實現的特征尺寸僅為10μm，還不能滿足超高精度集成電路的制造需求，接下來，研究人員計劃進一步縮小制造的特征尺寸、擴展材料種類。（國家工業信息安全發展研究中心）

日本大幅提升氮化鎵無接觸光輔助電化學刻蝕工藝速率

近日，日本SCIOCS公司、日本法政大學、日本Koganei公司以及日本北海道大學通過采取提升過硫酸根（S2O82-）離子溶液溫度和254nm波長紫外線（UVC）照射等措施，將基于硫酸根氧化的氮化鎵（GaN）非接觸式光輔助電化學（CL—PEC）蝕刻速度提高了10倍。研究人員分別采用濃度為0.25和0.025mol/dm3的過硫酸銨進行實驗，實驗過程中使用熱板控制溫度，使用高壓汞燈發射波長為254nm的紫外光，其功率密度為2mW/cm2。實驗結果表明，加熱至80℃和高過硫酸銨濃度能使蝕刻速率達到25nm/min。研究人員稱該速度比以前報道的速度大高10倍。（國家工業信息安全發展研究中心）

新加坡開發出制備二維藍磷材料的新工藝技術

新加坡國立大學開發出制備二維藍磷材料的新工藝技術，首次證明了通過硅原子插層到藍磷—金（Blue P—Au）材料中，可以制備二維藍磷材料。

二維藍磷材料具有較寬的帶隙，在光電器件領域應用廣泛。……