一維In2O3 納米材料的制備與表征

艾鵬

（昭通學院物理與信息工程學院，云南 昭通657000）

1 概述

一維半導體納米材料，例如氧化銦納米線[1，2]，二氧化錫納米管[3]，氧化鎢納米棒[4]，二氧化鈦納米帶[5]等，由于其獨特的納米結構呈現(xiàn)出了一系列新穎的物理化學特性，使它們在新器件、新技術等應用方面前景廣闊，在全球范圍內得到眾多的關注，成為近年來物理、化學以及材料科學等研究領域，尤其在寬禁帶半導體納米材料的研究中逐漸變成了一大熱點。In2O3作為一種n 型寬帶隙的透明半導體材料，其帶隙在3.55～3.75eV 之間，被廣泛應用于微電子、敏感器件等領域[6]。而因In2O3納米結構獨特的光學、化學以及電學性質，使其在場效應管和氣體傳感器方面有著巨大的潛在應用前景，也正日益受到人們的極大關注。

自2001 年王中林等[7]首次制備半導體氧化物納米帶以來，制備In2O3納米結構的方法及其在不同領域的應用研究得到了不斷發(fā)展。其中，制備In2O3納米材料的方法主要有：激光燒蝕法；溶膠- 凝膠法；CVD 法；靜電紡絲法；物理熱蒸發(fā)法；模板限制輔助法等。到目前為止，人們已經(jīng)利用了以上方法成功制備出了基于In2O3的納米線、納米帶、納米管、納米片、納米方塊以及納米鏈等納米結構，并針對它們的發(fā)光、場發(fā)射等特性進行了研究。本文采用熱蒸發(fā)法以高純的氧化銦粉末和碳粉作為原料，在真空管式加熱爐中成功制備了純凈的In2O3納米線。并通過掃描電子顯微鏡（SEM）、X 射線衍射儀（XRD）、X 射線能譜儀（EDX）對所制得的樣品進行了形貌結構表征。……