基于關鍵節點與關鍵路徑的專利集群網絡演進研究

潘微微，菅利榮，劉 濤

(1.南京航空航天大學 經濟與管理學院，江蘇 南京 211106；2.中國電子科技集團公司 第五十五研究所，江蘇 南京 210016)

0 引言

實證研究表明，專利信息包含著全球90%～95%的科技信息[1]，若專利知識得到有效利用，可節省40%～60%的時間和精力，而實際情況是，蘊含著海量知識的專利卻未被充分利用。專利作為技術和知識的重要載體，已成為研究機構和企業創新過程中必須借鑒的重要信息源。專利文獻記載著技術創新、工藝創新、流程創新和產品創新的核心內容，呈現了技術不同時期研發狀況，是判斷產業創新態勢的重要指標[2]，也是衡量技術演進的重要指標[3]。知識和技術溢出是集群演化的關鍵因素[4]，整個技術擴散過程亦通過專利引文網絡更加清晰地展示出來[5]，反映了產業技術演進過程，有助于梳理技術發展歷程和預測未來發展趨勢。

根據國內外對技術演進的討論，將每一個專利看作一個知識的載體，通過對知識載體傳承的引證網絡進行分析，識別出關鍵路徑和關鍵節點是技術演進研究的重要內容。學者們對專利集群網絡進行了大量理論和實證研究，驗證了關鍵節點和關鍵路徑對技術演進及網絡演化的重要性，但目前缺乏針對專利集群網絡演進過程中關鍵節點與關鍵路徑節點比較分析和可視化呈現的研究。

本文綜合利用關鍵節點和關鍵路徑研究技術演進特征，依據專利數量和專利權人數量變化特征劃分技術生命周期，構建每一階段專利集群網絡并加以可視化呈現。基于搜索路徑節點對(search path node pair，SPNP)方法識別專利集群網絡關鍵路徑，對網絡演進不同階段關鍵節點和關鍵路徑中的節點進行比較分析，從核心專利和關鍵路徑兩個層面，更全面地展現技術演進過程和特征。

本文選取碳化硅肖特基勢壘二極管(silicon-carbide Schottky barrier diode，SiC-SBD)專利為實證數據。碳化硅(Silicon carbide，SiC)作為第三代半導體產業關鍵基礎材料，是制造耐高壓、耐高溫、高頻工作、大功率半導體器件的理想材料，碳化硅半導體器件在軍事國防、電動汽車、高速鐵路、艦船驅動、光伏和風力發電等領域具有極其重要的應用前景，碳化硅半導體器件的技術創新與突破、持續優化改進以及全面推廣已成為我國亟待開展并不斷深化的工作。SiC-SBD作為一款發展較早、日趨成熟并成功商業化應用的典型產品，專利集群網絡生命周期特征顯著，研究SiC-SBD集群網絡和演進規律，為專利集群網絡分析提供一個案例和框架；同時，通過專利集群網絡識別核心技術，為我國政府、高校、研究機構和企業了解該領域前沿技術、制定研發計劃、開展專利申請等提供決策依據。

1 文獻綜述

在專利集群網絡中，存在著起點、終點、中介點和孤立點。中介中心性(Betweenness Centrality)在識別媒介角色中最早被提出，廣泛應用在組織績效評價、復雜網絡分析、論文質量分析、網站影響力評價等方面[6]。如果沒有中介節點連接，當新技術和新知識出現時，網絡中會出現結構洞并形成一個個相互獨立的小網絡，導致知識傳播和技術傳承受阻。而處在結構洞連接位置的節點，能夠通過信息過濾獲得更多競爭優勢和創新能力[7]，通常該節點揭示巨大的知識傳播潛力或令人非常感興趣的工作。如陳超美等[8]開發的文本挖掘與可視化軟件Citespace，使用節點在網絡中的中介中心度來測度結構洞和轉折點，并針對高中介中心度節點在知識圖譜中的作用作出分析和解釋；Wang等[9]發現專利引用網絡中介中心性與未來專利引用量、專利維持年限具有因果關系，能夠預測專利質量；Hung & Wang[10]在研究無線電識別網絡(FRID)的網絡特性時發現，81%的專利網絡鏈接與少數高中介中心度節點相關；Hochull Choe等[11]研究太陽能電池技術知識網絡時發現，具有高中介中心度的組織位于網絡中心并引領技術知識流動；Wang等[12]通過美國專利商標局數據庫(USPTO)檢索聯合專利分類以探討納米技術演進時發現，納米技術發展趨勢與高中介中心度專利發展趨勢具有相關性；Abbasi等[13]在研究作者合作網絡中3種中心性對潛在合作者吸引力時發現，新進入作者更傾向于與高中介中心度作者合作，協作網絡不斷發展，高中介中心度作者的合作關系越來越多，地位也變得越來越重要；Ju & Sohn[14]基于文本和數據挖掘的稀土元素專利模式，用中介中心性表示技術轉折以及劃分技術集群；Hou等[15]在研究多層次科學研究合作網絡時發現，中介中心性曲線服從Zifp-Pareto分布；Liu等[16]研究納米技術合作網絡時發現，高中介中心度節點代表著具有核心競爭力的大型組織，其發揮了重要中介作用，并吸引更多組織進行合作。Innography平臺測度專利強度參考了十余個相關指標，如專利被引頻次指標、同族專利大小、權利要求數量指標、專利申請時程、專利年齡、專利訴訟等，常被用作識別核心專利并分析專利價值，但其指標間權重確定具有一定主觀性，專利檢索式構建比較麻煩且需要專業分析。通過專利集群網絡研究技術演進，當技術路徑出現分支，下一階段技術如何發展，需要通過中介節點加以判斷，識別網絡中高中介中心度節點具有重要意義。

Hummon&Doreain[17]在關于關鍵路徑的應用研究中，提出路徑連接統計值(search path link count，SPLC)、搜索路徑節點對(search path node pair，SPNP)以及節點對投影計數(node pair projection count，NPPC)三種路徑統計算法，根據網絡搜索路徑中的遍歷數計算鏈路連通性，并且將權重分配給每個網絡連線；Hummon & Doreian[17]在提出關鍵路徑方法時發現，出度大于零的引文網絡節點，最后都收縮于關鍵路徑；Fontana等[18]通過較多節點網絡分析驗證了Hummom的理論，并認為所有路徑基本上收斂于關鍵路徑，全局關鍵路徑分析具有重要意義；Verspagen[19]通過計算認為，SPNP和SPLC方法計算結果相似，在運用SPNP基礎上提出關鍵路徑網絡演化(network of the evolution of top path，NETP)方法，用以揭示最優路徑隨時間變化；Choi & Park[20]提出前向引用節點對(forward citation node pair，FCNP)概念；黃魯成等[21]對前向引用關系專利進行了技術知識擴散潛力測度。研究技術演進路徑對把握技術脈絡、預測技術發展趨勢和學習先進技術具有重要意義。學者們通過專利數據對主路徑展開了大量研究，分析主要圍繞以下方面展開：關鍵路徑全局分析或局部分析，單一關鍵路徑分析或多路徑組合分析，基于關鍵路徑或起點到終點遍歷方式搜索關鍵路徑，關鍵路徑上節點或連線權重分析、多起點路徑分析、關鍵路徑成分分析等[22]。運用關鍵路徑分析技術演進具有直觀、快捷和方便等特點，但引用網絡具有一定時間滯后性，已有文獻在確定和分析關鍵路徑時，錯過了約20%的重要專利[23]。

2 基于關鍵節點與關鍵路徑的專利集群網絡演化分析方法

2.1 關鍵節點測度

根據Freeman等[24]、Ulrik等[25]學者的理論，中介中心性(Betweenness Centrality)描述的是一個點在多大程度上位于網絡中其它“點對”的“中間”，是指網絡中經過某點并連接這兩點的最短路徑占這兩點之間最短路徑總數之比，是常用的中心性測度指標之一。在專利集群網絡中，如果一個專利節點處于大量其它專利節點對的最短路徑上，則該專利節點具有較高中介中心度。

在運用過程中，常基于兩個假設：各路徑權值相等；知識從一個專利傳播到另一個專利過程中總是走最短路徑。通常中介中心度越高的節點，對知識流動促進作用越強[26]。中介中心性測度的是節點作為信息樞紐的能力，在技術演進過程中扮演著橋梁作用，連接同一網絡中的新舊知識。中介中心性分析對符合無標度(scale-free)特征的網絡尤為重要[27]，即網絡中心度分布呈現明顯“少數節點擁有大量聯結，大量節點擁有少數聯結”現象，具有高中介中心度的節點是技術知識傳播的重要來源[28]。中介中心度計算公式如下：

(1)

其中，s、t和v表示節點，σst表示專利節點s和專利節點t間最短路徑的數量，σst(v)表示最短路徑經過專利節點v的數量。在實際運用中，中介中心度計算方法一般分為兩步：計算所有節點對的最短路徑數和最短路徑長度；針對單個節點，加總其所有節點對的依賴值。

2.2 關鍵路徑識別

專利引文網絡具有較高的復雜性，比單鏈基本專利引用復雜得多，蘊含著知識傳播、流轉、擴散、重組等過程，是知識的傳播網絡，為識別核心技術演進提供原理。根據Hummon等[17]學者的基本理論，判斷節點是否為重要節點，應該考慮網絡中整體連接結構。基于搜索路徑節點對(Search path node pair，SPNP)的關鍵路徑識別方法如下：

SPNP(Suv)=N(u)×N'(v)

(2)

其中，Suv表示由引用專利指向施引專利的有向邊，SPNP為節點對數目，SPNP(Suv)表示含有節點對和有向邊的專利引用頻數。N(u)表示被專利u引證的節點數目，包括u本身及直接或間接被專利u引用的節點數。N'(v)表示引證專利v的節點數目，包括v本身及直接或間接引證專利v的節點數。計算每一個路徑的SPNP值，統計值越大，其在連通網絡中的重要性越高，SPNP方法考慮了中介節點在關鍵路徑中的作用。

2.3 基于關鍵節點與關鍵路徑的專利集群網絡演進思路

識別基于路徑依賴的媒介專利節點，對中介中心度進行測量，只研究網絡中少量連接點而不是整個網絡，為技術演進提供了一種分析方法，為多維度和多角度研究技術演進提供了新思路。

基于關鍵節點與關鍵路徑的專利集群網絡演進具體分析步驟如下：

(1)數據下載和清洗。確定專利集群網絡演進研究所使用專利數據庫和檢索條件，根據專利檢索表達式搜索和下載數據。通常來說，專利信息為公開數據，專利數據庫選取不但要考慮合理性和易獲取性，更重要的是盡量考慮綜合性和全面性。

(2)統計分析。對專利技術領域、專利增長變化等基本信息進行分析，確定最終數據集，檢索專利量和專利權人數量變化特征，并按時間進行統計，采取程序語言進行數據處理、清洗及矩陣構建。本文采用Matlab編程對數據進行處理、清洗和分類以保證數據的真實有效性，并構建專利引用關系矩陣。

(3)專利集群網絡模型構建和結果輸出。構建基于技術生命周期的專利集群網絡演進模型，對專利集群網絡進行關鍵節點、關鍵路徑分析以及可視化呈現，從兩個層面分析專利集群網絡演進。

3 碳化硅肖特基二極管專利集群網絡演進實證分析

3.1 碳化硅肖特基二極管專利集群分析

3.1.1 數據來源

本文數據來源于德溫特數據庫(Derwent Innovation Index，DII)，該數據庫收集了自1963年以來全球40多個專利機構1 300萬項基本專利和3 000萬項專利，每周增加約4萬項專利，是世界上收錄專利數據最全和最權威的專利數據庫之一。運用高級檢索中布爾運算符輸入TS=("silicon carbide") AND TS= Schottky，檢索時間為1963-2017年，檢索日期為2017年10月27日，共檢索到1 238個專利族，涉及671個國際專利代碼(International Patent Code，IPC)。

3.1.2 技術領域分類

《國際專利分類表》(international patent classification，IPC分類)是根據1971年簽訂的《國際專利分類斯特拉斯堡協定》編制的，是目前惟一國際通用專利文獻分類和檢索工具，為世界各國普遍使用，結合專利數據分析能夠較為全面揭示技術發展領域基本狀況。目前，IPC是對專利進行技術分類的重要方法，幾乎涵蓋了與發明創造相關的全部領域，一般分部、大類、小類、主組、分組5個等級，SiC-SBD專利的IPC分類如表1所示。碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD)專利量和主要IPC隨時間變化的總體情況如圖1所示。

圖1 碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD)專利量變化趨勢

表1 碳化硅肖特基二極管SiC-SBD主要IPC分類及含義

部大類小類組(分組)H01基本電氣原件H01L半導體器件H01L-021 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備28 用H01L 21/20至H01L 21/268各組不包含的方法或設備在半導體材料上制造電極的〔2〕329 包括1個或兩個電極的器件,例如二極管〔5〕H01L-029 適用于整流、放大、振蕩或切換的器件06 按其形狀區分的;按各半導體區域的形狀、相對尺寸或配置區分的〔2〕12 按其構成材料的特征區分的〔2〕16 除摻雜材料或其他雜質外,只包括以游離態存在的周期系中Ⅳ族元素的〔2〕47 肖特基勢壘電極〔6〕66 按半導體器件的類型區分的〔2〕78 由絕緣柵產生場效應的〔2〕861 二極管〔6〕872 肖特基二極管〔6〕

從主要IPC構成可以看出，SiC-SBD發展主要涉及專業性強的半導體器件(H01L)領域。依據IPC代碼含義，排名前列的IPC主要為肖特基二極管材料制備和加工技術、二極管制造工藝、勢壘電極分析、絕緣柵產生場效應研究等。

3.1.3 專利集群網絡演進生命周期

專利技術生命周期是指在技術發展過程中，專利申請量和申請人/發明人/專利權人數量的一般性周期規律，可以判斷專利所處技術發展階段，預測技術未來發展方向。依據專利最早優先權日對專利數據進行按年統計，通過專利申請量和專利權人數量可將SiC-SBD專利演化過程劃分為萌芽期、成長期、成熟期和衰退期，如圖2所示。

圖2 碳化硅肖特基二極管專利數量及申請人歷年分布情況

(1)萌芽期。1999年以前，專利數量和專利權人數量很少，且年增長量變化幅度小，屬于SiC-SBD專利集群網絡萌芽期。碳化硅肖特基勢壘二極管在1985年問世，由Yoshida制作在立方相碳化硅(3C-SiC)上，1986年SiC-SBD相關專利可查詢。

(2)成長期。2000-2009年，專利數量和專利權人數量總體上逐年增加，說明這一時期存在新技術的突破。2004-2005年出現了專利數量和專利權人數量的年增長量減少的狀況，SiC-SBD研究機構存在一定的調整，但隨后專利數量和專利權人數量又開始了小幅增長，一些新機構加入該領域的研究，這一階段為技術成長期。

(3)成熟期。2010-2013年為技術規模達到頂峰前的快速發展期，專利數量和專利權人數量以較快速度增長，說明技術有了重大突破，其隱含經濟價值開始顯現，眾多機構在這一時期加入該領域研究，此階段處于技術成熟期。2001年，德國英飛凌公司推出SiC-SBD產品，美國科銳和意法半導體廠商也緊隨其后推出了SiC-SBD產品。2013年9月29日，碳化硅半導體國際學會“ICSCRM 2013”年會召開，24個國家的半導體企業、科研院校等136家單位與會，科銳、三菱、羅姆、英飛凌和飛兆等在會議上均展示了最新量產化的SiC-SBD器件。

(4)衰退期。2014年至今，SiC-SBD專利量和專利權人量年增長量均下降，說明經過30多年的發展，SiC-SBD技術處于成熟期末期并開始進入衰退期。目前為止，具有低損耗、耐高溫和耐高壓等特性的SiC-SBD已經從實驗室進入實用器件生產階段。

3.2 碳化硅肖特基二極管專利集群網絡演進核心專利識別

通過SiC-SBD發展趨勢分析，可以將該技術發展分為4個時期，分別為1986-1999年、2000-2009年、2010-2013年，2014-2017年。根據技術發展不同階段，識別每一階段關鍵節點作為核心專利。

(1)萌芽期專利集群網絡及核心專利。1986-1999年是SiC-SBD萌芽階段，技術多為基礎工藝，此階段核心專利體現原創性和無法替代性，是后續研究的基礎。此階段專利集群網絡包含346個節點，1 755條邊，中介中心度越大的點顏色越深，如圖3a所示。

圖3a 萌芽期專利集群網絡

圖3b 萌芽期核心專利構成技術路徑

運用網絡中介中心性識別出核心專利，值大于零的7個專利分別為US4897710-A、US5216264-A、US5635412-A、US5612547-A、US5135885-A、JP63047983-A、US5389799-A，是本階段核心專利，核心專利授權國為美國(US)和日本(JP)。如表2所示，所列7件專利值相差較大。其中，部分專利值較小，而值越大越能夠體現知識快速傳播和技術再創新。圖3b為核心專利間引用關系網絡，核心專利間引用關系較簡單，知識傳播途徑為由US4897710-A到US5216264-A和JP63047983-A，由US5135885-A到US5635412-A兩條路徑。

表2 萌芽期值大于零的專利

(2)成長期專利集群網絡及核心專利。 2000-2009年SiC-SBD專利增長速度較快，雖然年申請量在2004-2006年間基本保持不變，但專利量和專利權人數量總體呈現同步增長趨勢，本階段為成長期，這一時期專利的經濟價值有所體現。該階段申請或獲得核心專利所在國家、地區或組織主要為美國(US)、日本(JP)、歐洲(EP)以及世界知識產權組織(WO)。此階段專利集群網絡包含5 233個節點，73 732條邊，如圖4a所示。

圖4a 成長期專利集群網絡

如表3所示，值排名前20的專利中，US6313482-B1、US6573128-B1、US6673662-B2、US7026650-B2、EP1349202-A2、JP2004221513-A的值均大于3 000，說明以上專利具有顯著技術延續性，對后續技術演進起到必不可少的作用。圖4b為核心專利之間引用關系圖，說明核心專利間引用比較頻繁，知識傳播途徑多樣且傳播路徑短，有利于知識快速傳播。

圖4b 成長期核心專利構成技術路徑

表3 成長期值排名前20的專利

專利號中介中心度(值)專利號中介中心度(值)US6313482-B112 959.4US6979863-B22 033.9US6573128-B19 605.4US7902054-B21 910.2US6673662-B26 112.6JP2008541459-W1 854.7US7026650-B24 855.4WO2006122252-A21 854.7EP1349202-A24 065.7US6686616-B11 759.2JP2004221513-A3 796.9WO2005076365-A11 543.0US7199442-B22 820.0EP1204145-A21 487.2EP1315202-A12 578.5US6320205-B11 148.0EP1111688-A12 418.6US7262434-B21 097.0US6936850-B22 321.9JP2004515080-W981.0

(3)成熟期專利集群網絡及核心專利。 2010-2013年，專利數量和專利權人數量增長速度較快，SiC-SBD技術發展迅速，2013年專利增長量達到峰值。如圖5a所示，本階段專利集群網絡包含5 553個節點，41 065條邊。如表4所示，值排名前20的專利中，核心專利授權國增加了加拿大(CA)和中國(CN)。如圖5b所示，排名前20的核心專利間引用關系較弱。

圖5a 成熟期專利集群網絡

圖5b 成熟期核心專利構成技術路徑

表4 成熟期值排名前20的專利

專利號中介中心度(值)專利號中介中心度(值)US8106487-B2672.0WO2010131569-A1199.5US7851881-B1603.5JP2011165856-A196.0EP2432001-A1576.0US7919403-B2180.0JP2011096757-A564.0JP2010186991-A168.0CN102163627-A431.0JP2011176015-A164.0WO2010131568-A1378.3CN102437201-A150.0JP2010050267-A270.0US8664665-B2144.0CA2735975-A1258.3WO2012128934-A1139.5CN101887854-A234.0JP2011171551-A108.0WO2010119491-A1220.0CN101923906-A108.0

(4)衰退期專利集群網絡及核心專利。2014-2017年，專利數量和專利權人數量增長幅度較第三階段有所下降，且一直呈現下降趨勢，可以看出，SiC-SBD技術研究增長速度放緩，這一時期核心專利價值體現為其經濟價值。如圖6a所示，本階段專利集群網絡包含3 609個節點，11 974條邊。如表5所示，值大于零的10個專利分別為US9214458-B2、JP2014192352-A、KR2014035594-A、P2015046500-A、JP2014060276-A等，是本階段核心專利。如圖6b所示，核心專利間引用關系非常弱，短期內技術延續性較差。

圖6a 衰退期專利集群網絡

圖6b 衰退期核心專利構成技術路徑

表5 衰退期值大于零的專利

專利號中介中心度(值)專利號中介中心度(值)US9214458-B284.0JP2015185617-A42.0JP2014192352-A80.0US9006746-B215.0KR2014035594-A65.0CN103681883-A13.0JP2015046500-A50.0US9105557-B212.0JP2014060276-A44.0WO2014038225-A17.0

3.3 SiC-SBD專利集群網絡關鍵路徑分析

將提取的1986-2017年專利引用關系矩陣數據導入Gephi進行格式轉換，利用Pajek軟件對引用網絡進行關鍵路徑分析，通過對專利進行關鍵路徑分析，獲取SiC-SBD專利集群網絡關鍵路徑。網絡中連線由施引專利指向被引專利，技術演進方向與引用方向相反。

1986-2017年，SiC-SBD專利集群網絡包含12 781個節點，128 264條邊，依據搜索路徑節點對方法，關鍵路徑合并同族專利后包含12個節點，可以看出技術演進基本狀況，如圖7所示。

對SiC-SBD關鍵路徑中節點對應的專利進行分析發現，SiC-SBD技術最早由夏普、富士電機、羅姆和科銳等電子設備公司掌握。SiC-SBD專利量在萌芽期較少，主要是基礎性研究，成長期技術發展方向為SiC-SBD不同結構研究，目前以完善和設計器件結構、改進二極管性能為主要研究方向。

圖7 1986-2017年的專利集群網絡關鍵路徑

3.4 基于關鍵節點與關鍵路徑的SiC-SBD專利集群網絡演化結果分析

綜合核心專利和關鍵路徑可以得出：

(1)萌芽期技術發展方向由US4897710-A到US5216264-A和US5614749-A，其中，US4897710-A和US5216264-A是最初的核心專利。此階段，具有高中介中心度的專利在技術演進過程中是重要知識傳播途徑，尤其是時間久遠且被多次引用的核心專利。

(2)成長期技術發展軌道延續了專利US5614749-A，依次增加了US6313482-B1、US6673662-B2、US7262434-B2(同族專利JP2004221513-A)等專利。其中，US6313482-B1、US6673662-B2、JP2004221513-A、US7902054-B2和US7262434-B2是成長期排名前20的高中介中心度核心專利。

(3)成熟期技術發展軌道增加了JP5926893-B(同族專利JP2012231019-A)。

(4)衰退期技術發展軌道通過WO2014045550-A1(同族專利JP2014060276-A)和WO2016002058-A1延續，其中WO2014045550-A1是衰退期核心專利。通過關鍵節點和關鍵路徑分析得到的專利節點重合率約為58%。

4 結論與啟示

本文運用中介中性測度關鍵節點，運用搜索路徑節點對(SPNP)識別關鍵路徑，提出了基于關鍵節點與關鍵路徑的專利集群網絡演進分析方法。以德溫特數據庫收錄的碳化硅肖特基二極管專利資料進行實證研究，應用統計分析方法，結合專利生命周期劃分、中介中心度計算和關鍵路徑提取等方法，對SiC-SBD集群網絡進行系統分析，并對專利集群網絡演進過程中每一階段核心專利和整體網絡的關鍵路徑中節點進行比較和可視化呈現。

通過分析可以得出，隨著時間推移，SiC-SBD專利量變化呈現一般性周期規律，依據技術生命周期可以判斷專利所處技術發展階段以及預測技術發展方向。碳化硅肖特基二極管專利涉及的主要研究內容為材料制備和加工技術、二極管制造工藝、勢壘電極分析、絕緣柵場效應等。該技術先后在美國、日本、歐洲快速發展，我國對該領域技術的研究從技術成熟期開始迅速發展，但從關鍵技術路徑來看，關鍵技術仍然以美國和日本專利為主。目前SiC-SBD已經開始商業量產，成熟期專利主要研究方向是完善和設計器件結構、改進二極管性能等。技術生命周期劃分及技術演進分析與SiC-SBD發展歷史基本吻合，研究框架和分析方法具有一定實踐意義。

通過SiC-SBD專利集群網絡研究，得到幾點重要啟示：專利集群網絡中介中心度高的關鍵節點在技術演進和再創新中起著重要作用，識別技術發展過程中的關鍵路徑和高中介中心度節點，有利于發現技術演進規律和未來發展方向；在運用引用網絡研究技術演進時，關鍵路徑上的專利節點與高中介中心度的核心專利重合度高，高中介中心度節點間關系體現著技術演進方向，在研究短間隔或近期核心專利以及預測技術演進時，運用中介中心性分析比關鍵路徑分析更具先導性；利用專利集群網絡特征評估核心專利，具有快速、低成本、直觀等特點，方便對基礎技術和技術前沿進行分析。

本研究也存在一些不足之處：為盡量得到最全面的引用關系網絡，提取數據時保留了同族專利，引用關系更為全面但集群網絡也更為復雜；對專利關系矩陣的構建依賴于直接引用關系，并未對專利共現和共被引進行比較分析；對專利集群網絡的復雜網絡特性進行實證分析，發現高中介中心度節點與關鍵路徑節點重合度較高，其計算理論基礎都涉及網絡中的最短路徑和節點對，但未從關系假設檢驗和數學運算角度進行驗證與計算，中介中心度值的高低未給出具體界定范圍，這也是未來研究可以拓展的方向。