VDMOS電離輻射效應(yīng)快速評估方法

崔 帥王義元李 彩盧 健陳 斌

1（中國科學(xué)院微小衛(wèi)星創(chuàng)新研究院 上海 201044）

2（上海宇航系統(tǒng)工程研究所 上海 201109）

VDMOS（Vertical Double-diffused MOSFET，垂直雙擴(kuò)散金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）器件具有輸入阻抗高、驅(qū)動功率低、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好的特點(diǎn)，而被廣泛應(yīng)用在航天飛行器中［1］。但在復(fù)雜空間環(huán)境作用下，形成的電離輻射效應(yīng)，引起器件參數(shù)及性能退化，甚至功能失效。為此，國內(nèi)外對半導(dǎo)體器件的航天應(yīng)用均開展了地面試驗(yàn)，確?？闺婋x輻射能力滿足在軌環(huán)境的要求。衛(wèi)星用電子器件的輻射可靠性試驗(yàn)及評估工作，是通過在地面模擬空間輻射條件下進(jìn)行的。如射線的能量、劑量率、輻射偏置、測量方法、測試參數(shù)的選擇以及評判標(biāo)準(zhǔn)的差異，都會產(chǎn)生不同的結(jié)果［2-3］。由于這種差異的存在而把抗輻射能力差的產(chǎn)品用于衛(wèi)星，將極大地危害衛(wèi)星的高可靠性。

如何在地面實(shí)驗(yàn)室條件下來預(yù)估器件在空間輻射損傷規(guī)律，獲得衛(wèi)星用電子器件在空間輻射環(huán)境下的行為，建立和完善衛(wèi)星用電子器件空間輻射可靠性評估技術(shù)，準(zhǔn)確評估衛(wèi)星用電子器件的輻射可靠性，建立衛(wèi)星用功率器件實(shí)驗(yàn)室輻射效應(yīng)模擬試驗(yàn)評估方法，形成技術(shù)規(guī)范，是保證在軌衛(wèi)星電子系統(tǒng)可靠運(yùn)行亟待解決的問題［3-5］。目前國內(nèi)外關(guān)于電離輻射效應(yīng)主要標(biāo)準(zhǔn)中GJB548B、MIL-STD-883方法1019電離輻射測試程序、ESCC-22900電離輻射輻射測試方法均提出了高溫輻照的試驗(yàn)方法，但對其使用對象、具體試驗(yàn)細(xì)節(jié)未做規(guī)定，不具備大規(guī)模應(yīng)用的基礎(chǔ)?！?br>