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Sn 基鈣鈦礦太陽電池界面缺陷密度的模擬與研究

2020-05-08 08:52:56周理想
科學技術創新 2020年8期
關鍵詞:界面效率影響

周理想

(浙江師范大學固體光電器件省級重點實驗室,浙江 金華321004)

1 概述

鈣鈦礦太陽能電池(PSCs)自薄光太陽能電池誕生以來就受到了人們極大的關注,尤其是Kojima 等人于2009 年開始研制的有機無機雜化鈣鈦礦,與硅基太陽能電池相比,這種電池具有生產成本低和簡單的制備工藝技術,并且這些材料具有優異的傳輸性能[1],可調帶隙[2],高吸收系數[3],低溫處理等特性。用于收集太陽能的主要材料是太陽能電池光學吸收層和鈣鈦礦層,2016 年具有CH3NH3PbX3PSCs 的電池效率(PCE)從3.8%顯著提高到22.1%[4],它得到了人們極大的關注。因為含Pb 鈣鈦礦太陽能電池在整個光伏行業有著巨大的應用潛力,然而(Pb)的大量使用造成了環境污染,使得人們不得不尋找其他元素代替Pb,最近的研究表明,元素Pb 可以被包括鉍(Bi)或銻(Sb)的幾種元素代替,其中鈣鈦礦層顯示出A3B2X9的二聚體結構(例如,(CH3NH3)3Bi2I9,Cs3Sb2I9)[5]。

雖然這些材料已實現完全無鉛,但其器件的光伏性能很差,以至于這些材料仍需要優化[6]。另一種替代鉛的合適元素是錫(Sn),雖然Sn 的毒性和對環境的影響研究較少,但目前的數據表明,Sn 比Pb 更容易從體內清除(少于400 天),Pb 的半衰期長達20~30 年[7]。Sn 基鈣鈦礦太陽能電池仍處于研究階段,與Pb 基PSCs 相比,這種太陽能電池的文獻數量較少,這是由于甲基碘化錫(CH3NH3SnI3)中錫(Sn2+)的二價氧化態不穩定,可以很容易地被氧化成更穩定的Sn4+,這個過程稱為自摻雜[8],其中Sn4+充當p 型摻雜劑導致太陽能電池效率降低。但近年來,隨著制造和封裝工藝的進步,CH3NH3SnI3基電池的穩定性已經通過在系統中添加SnF2來解決,以減少由Sn2+氧化引起的Sn4+[10]。(HC(NH2)2SnI3PSCs 具有高復制性,用SnF2作為Sn4+的抑制劑制備,封裝器件在100 天內表現出穩定的性能,并且保持了98%的初級效率[11]。實驗和理論研究還表明,CH3NH3SnI3具有1.3 eV[12-13]的較窄帶隙,這使得可以覆蓋比Pb 基PSCs(1.55 eV)更寬的可見光譜范圍。

此外,鈣鈦礦吸收層在所有CH3NH3BX3(B=Sn,Pb;X=Cl,Br,I)化合物中具有高光學性能和最寬的光吸收范圍[14]。經過模擬研究,通過優化吸收層厚度,吸收層摻雜濃度等基本參數,獲得了效率超過20%的CH3NH3SnI3PSCs。太陽能電池模擬器(SCAPS)是一種基于三個基本半導體方程的通用太陽能電池模擬程序,它非常適合各種異質結和同質結電池的模擬,是基于肖特基勢壘器件的建模[15]。

因為電池內界面缺陷態密度的影響的研究論文較少,所以本文利用SCAPS-1D 在AM1.5 光照下進行一維器件模擬,研究了影響無鉛CH3NH3SnI3PSCs 效率的因素,并詳細研究了界面缺陷密度的影響。

2 電池結構

模型使用的CH3NH3SnI3太陽能電池具有TCO 玻璃基板/TiO2(ETM)/ CH3NH3SnI3(吸收層)/ Spiro-OMeTAD(HTM)/金屬背接觸的結構,其示意圖為如圖1 所示。

圖1 Sn 基鈣鈦礦太陽能電池的示意圖

3 初始輸入參數

材料參數選自實驗數據和其他理論結果,各層的初始模擬參數列于表1[1,12]。電子和空穴的熱運動速度為107cm/s,鈣鈦礦吸收層中的缺陷設定為中性高斯分布,特征能量為0.1eV,缺陷能級位于帶隙中心。模擬的缺陷參數如表2 所示。為了獲得吸收系數(α)曲線,通過α=Aα(hνEg)1/2計算,其中Aα 等于105。

4 模擬參數

在本文中,我們研究摻雜濃度、鈣鈦礦吸收層的體缺陷密度以及錫基鈣鈦礦層和ETM以及HTM之間的界面缺陷密度對電池的影響。最初為吸收層設定缺陷密度Nt 為4.5×1017cm-3。 因為Sn2+易被氧化成Sn4+的自摻雜行為,所以錫鈣鈦礦顯示出p 型導電行為。因此,吸收層被模擬為受主半導體,載流子密度為3.2×1015cm-3。

5 結果與討論

將鈣鈦礦層厚度設定為350nm[15],初始模擬了電池結構的一些基本參數,如鈣鈦礦層的摻雜濃度,鈣鈦礦層的體缺陷密度,以觀察它們如何影響電池的一般性能。并且通過獲得這些參數的優化值,模擬界面缺陷態密度的影響以進一步研究其對電池效率的影響。

表1 Sn 基PSCs 的模擬參數

利用表1 中的初始值,模擬了電流密度- 電壓特性,電池性能較低,開路電壓Voc 為0.65 V,短路電流Jsc 為15.29 mA/cm2,填充系數FF 為41.57%,效率η 為4.13%。

表2 界面缺陷的參數設置和吸收體中的缺陷

首先,模擬吸收層的摻雜濃度,觀察其對太陽能電池的影響。如圖2 所示,鈣鈦礦層的摻雜濃度在1014cm-3至1019cm-3之間變化。可以看出,隨著NA值增加,電池結構的效率增加,當增加到2×1016cm-3時,電池效率達到7.71%的值,隨著NA值超過2×1016cm-3而降低。還可以觀察到Voc 隨著NA的增加而增加。隨著NA增加,Jsc增加,并且在2×1016cm-3處達到最大值,當隨著NA值進一步增加時,Jsc 進一步迅速減小。填充因子隨NA 增加而增加,由圖可知適當的NA值有利于提高光吸收效率以及Jsc。

電池性能相對于NA的影響可歸因于內置電場,并且當摻雜濃度增加時這將增強電場強度,從而導致載流子分離,因此改善了太陽能電池的性能。

由于較高的俄歇復合率,進一步將NA 增加到1×1018cm-3以上會降低電池性能。復合率的增加極大地影響電池性能,應該有效地避免。

圖3 的結果對應于NA結果的變化,是在量子效率方面的解釋。在最佳值為2×1016cm-3時,可以看出更高的電池性能,與初始摻雜相比,電池的效率為7.71%,Jsc為18.94mA/cm2,Voc 為0.71V,填充因子FF 為57.64%。隨著鈣鈦礦層摻雜濃度NA的提高,鈣鈦礦層對光的反射減小,對光子的吸收增加,表明鈣鈦礦層對光子的活性利用率增加,提高了電池的效率。

圖2 鈣鈦礦層的NA 隨電池性能參數的變化

圖3 鈣鈦礦層NA 的QE 變化

接下來,當缺陷密度Nt從1×1015到1×1019cm-3之間變化,可以模擬鈣鈦礦層的缺陷密度的影響。為了更好地理解缺陷密度對電池性能的影響并達到最大電池效率,我們需要考慮電子在吸收層內的產生和復合過程。

從下圖4 可以看出,隨著鈣鈦礦層中Nt的減少,器件的性能得到了顯著提高,可以清楚地得出,當缺陷密度值大到一定值時,則存在增加的復合速率,這將導致載流子的擴散長度減小并最終導致載流子壽命減少。因此,需要較低的缺陷密度值以減小較低的復合率,從而增加較長的載流子擴散長度。進一步模擬以較低的Nt值如1×1014cm-3時,并且觀察到電池效率的提高,但實驗上難以實現這些值。

當Nt值為1×1015cm-3時,如圖4 所示,電池性能顯著提高,得到Jsc 為30.86mA/cm2,Voc 為0.98V,FF 為80.14%,效率η為24.05%。

圖4 鈣鈦礦層的Nt 隨電池性能參數的變化

最后,研究了界面缺陷密度(Dit)對電池性能的影響。界面層的結質量對于電池性能非常重要,因為缺陷會降低效率并導致更多的復合。

在本文中,考慮了兩個界面缺陷,在ETM和吸收層(TiO2/鈣鈦礦)之間插入界面缺陷態1(Dit-1),在吸收層和HTM(鈣鈦礦/ HTM)之間插入界面缺陷2(Dit-2)。設置Dit值在1013cm-2至1021cm-2之間模擬,可以得到隨著Dit值的增加,電池性能降低,表明較低的Dit值有利于電池的性能。從圖5(a-d)可以看出,Dit-1 具有顯著的作用。

如圖5(d)所示,當Dit-1 從1×1013增加到1×1016cm-2時,電池效率略微降低并在1×1016cm-2處保持飽和,隨著Dit-1 從1×1013增加1×1021cm-2,電池效率從24.62%降低到20.37%。如圖5(b)所示,Dit-1 對Voc 的影響與效率相似,當Dit-1 從1×1013 增加到1×1021cm-2時,Jsc 從30.91mA/cm2降低(Δ ≈8.62%)至28.24mA/cm2。如圖5(c)所示,電池的Voc表現出與Jsc相似的行為。

圖5 Dit-1 和Dit-2 層與(a)Voc、(b)Jsc、(c)FF、(d)η 參數的變化關系

隨著Dit-1 從1×1013增加到1×1016cm-2,電池的填充因子也略微減少,并且進一步表明在1×1016到1×1018cm-2之間急劇下降,增加了1 倍至1018至1×1021cm-2。

在圖5(d)中還可以清楚地看出,與Dit-1 相比,Dit-2 對電池的Jsc、Voc、FF 和η 的值變化最小。兩個界面的較高缺陷密度導致更多的陷阱和復合中心[16],這對電池性能產生負面影響。Dit-1 的巨大影響可歸因于在光照射期間,TiO2/鈣鈦礦界面處產生的電子- 空穴對的數量高于在鈣鈦礦/ETM層處產生的電子- 空穴對的數量。

由于TiO2/鈣鈦礦界面處的載流子密度過大,產生了更高的復合率。考慮到兩種界面缺陷態的影響,Sn 基鈣鈦礦太陽能電池的最佳效率為24.62%,Jsc為30.91mA/cm2,Voc為0.97 eV,FF為81.48%,具有Dit-1 和Dit-2 的最佳模擬值為1×1013cm-2。

6 結論

SCAPS 仿真軟件用于模擬具有不同參數的無鉛CH3NH3SnI3PSCs。

結果表明,為了使鈣鈦礦太陽能電池具有更高的效率,Sn基鈣鈦礦的適當的載流子摻雜濃度是重要的,因為它增強了內置電場。

由于更高的復合率,過量的濃度也會降低太陽能電池的性能。鈣鈦礦的Nt 對太陽能電池的高效率具有重要意義。觀察到密度濃度為1×1015cm-3時,電池性能增加,效率從7.71%增加到24.05%。

當考慮Dit時,隨著Dit增加,電池性能降低,與Dit-2 相比,Dit-1 對電池性能具有更為顯著的影響。通過優化模擬參數,獲得了24.63%的最佳電池效率,得到的結果表明CH3NH3SnI3PSCs 具有更高效率的可能性。

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