2019年中國光伏技術發展報告(3)

中國可再生能源學會光伏專業委員會

(中國可再生能源學會，北京 100190)

1.4.2 CZTS基薄膜太陽電池研究的國際進展

1.4.2.1 研究進展

2018年CZTS基太陽電池仍受到持續關注，在基礎研究和電池轉換效率方面都有較大進展。新南威爾士大學通過對CZTS/CdS異質結進行退火處理，獲得轉換效率為11.01%的純硫化物CZTS太陽電池，同時在超過1.113 cm2的面積上實現了10.04%的轉換效率，大幅提高了純硫化物CZTS太陽電池的世界紀錄[58]。另外，南洋理工大學采用Cd/Ag共摻也制備了轉換效率為10.1%的硫化物CZTS太陽電池[59]。在硫硒化物CZTSSe太陽電池方面，韓國仁川大學表示其基于濺射后兩步硒硫化法制備出轉換效率為12.04%的CZTSSe太陽電池，該效率已通過KIER機構的認證[60]。IBM采用聯氨溶液后硒化法制備吸收層，通過引入10 nm厚 Se層做背表面鈍化，以MoO3/Au作為背接觸層制備出轉換效率為12.2%的CZTSSe太陽電池[61]。

2018年CZTS基薄膜太陽電池在基礎研究和技術創新方面主要取得的進展如下：

1)吸收層的性能優化。Cd與Ag共摻雜調節CZTS吸收層性能。2018年南洋理工大學(NTU)與德國亥姆霍茲國家研究中心(HZB)合作，研究Cd與Ag共摻雜對CZTS吸收層性能的影響[60]。

南洋理工大學之前的研究工作表明，在CZTS中以Cd替代部分Zn可適當減小CZTS的帶隙，同時顯著改善吸收層的結晶質量和電學性能，獲得效率達9%以上的CZCTS電池。其最新研究表明，在適當摻雜Cd (25%)的基礎上，進一步摻雜5%的Ag可以顯著改善吸收層的電學性能，延長少子壽命，提高開路電壓；并最終在面積為0.16 cm2的電池上獲得10.1%的轉換效率，開路電壓為650 mV，短路電流密度為23.4 mA/cm2，填充因子為66.2%[59]。

CMZTSSe吸收層中摻雜Mn。南洋理工大學采用Mn摻入CZTSSe吸收層中，發現能提高并聯電阻，減少CdS/CMZTSSe界面的缺陷濃度，制備出效率為7.59%的CMZTSSe太陽電池[62]。

以Co和Mg替代Zn的Cu2(Zn1-xCox)SnS4和Cu2(ZnxMg1-x)SnS4多晶薄膜。考慮到Cu和Zn的陽離子尺寸相似導致Cu-Zn替位，限制了太陽電池的性能，因此選用尺寸相差較多的Co和Mg代替Zn可以減少陽離子無序性。伊利諾伊大學采用溶液法后退火成功合成Cu2(Zn1-xCox)SnS4多晶薄膜，該學校后續還將繼續研究其形貌和電學性能用來制備器件[63]。另外，韓國KOPTI采用脈沖沉積后退火技術成功制備出CZMTS薄膜，實驗表明，CZMTS薄膜表面致密、均勻光滑且其有助于形成有益的MoS2層；此外，該薄膜有較高的電導率和合適的光學帶隙，有制備出高效太陽電池的潛力[64]。

2)異質結界面的優化。CZTS/CdS異質結界面復合是制約CZTS電池開路電壓和器件性能的主要因素之一。由于CZTS表面具有較高的缺陷態密度，且CZTS與CdS緩沖層之間的導帶位置關系為“cliff-like”，易引起嚴重的界面復合。新南威爾士大學深入研究了CZTS/CdS異質結在空氣中退火對異質結界面及器件性能的影響[59]。研究結果表明，CZTS/CdS異質結在空氣中退火可使Na離子在異質結界面附近聚集，從而鈍化異質結附近的缺陷，改善此處的非輻射復合。同時，由于退火導致的Cd、Zn擴散會使異質結界面處形成摻雜相Cu2CdxZn1-xSnS4、ZnxCd1-xS，以及Cu2–xNaxZnSnS4等新物相。這些界面處的新物相改善了異質結界面處的導帶匹配，從而進一步減少了界面復合。經過這些優化，新南威爾士獲得了轉換效率為11.01%的純硫CZTS電池，開路電壓為730 mV，短路電流密度為21.74 mA/cm2，填充因子為69.27%[58]。

3)新型無鎘緩沖層。CdS是CIGS、CZTSSe薄膜太陽電池的傳統緩沖層材料，在CIGS太陽電池中已經證明了其優異的性能。然而對于禁帶寬度較大的CZTS太陽電池而言，CdS并不是一種理想的緩沖層材料，主要是由于：① Cd元素有毒，與CZTS綠色低成本吸收層并不兼容；②CdS在短波段(350～500 nm)的光吸收導致嚴重的短路電流密度的損失；③CdS與CZTS的導帶位置不匹配，導致嚴重的界面復合。因此，尋找綠色無毒的寬帶隙緩沖層材料一直是CZTS太陽電池的重要研究方向之一。

新南威爾士和南洋理工大學合作，利用原子層沉積(ALD)技術在高質量CZTS吸收層上制備Zn1-xSnxO新型緩沖層[65]。研究結果表明，在制備Zn1-xSnxO緩沖層過程中，CZTS表面外延生長形成一層超薄的Zn(O,S)隧穿層(1～2 nm)。結合Zn(O,S)的界面鈍化作用及高的Na摻雜濃度對吸收層的鈍化，顯著提高CZTS/Zn(O,S)/ZnSnO電池的開路電壓，獲得9.3%的轉換效率，開路電壓為720 mV，短路電流密度為20.4 mA/cm2，填充因子為63.5%[65]，刷新無鎘緩沖層CZTS電池的最高效率。

4)背接觸工程。在CIGS中，Mo與CIGS接觸的界面能形成一層較薄的MoSe2，構成一個良好的歐姆接觸。而在CZTSSe中，CZTSSe與Mo接觸的界面分解較為嚴重，且形成的MoSe2層較厚，導致背界面復合和電流損失都較為嚴重，所以需要引入一層鈍化層來減少光電流復合且增強載流子的輸運，從而提高電池效率。一般選用高功函的金屬氧化物如Al2O3、MoO3、TiO2和V2O5作為鈍化層，其性能穩定且適宜形成電子勢壘。美國IBM之前的研究表明，在剝離的鋅黃錫礦電池背部沉積MoO3/Au可以提高器件性能。其最新研究表明，采用原子層沉積Al2O3來鈍化剝離薄膜的背表面，再沉積MoO3/Au，器件效率可提高到11.6%；再用10 nm厚的Se取代Al2O3做鈍化層，器件效率可提高到12.2%[61]。

5)堿金屬元素摻雜。此前研究表明，在CZTSSe吸收層中摻入堿金屬(Li、Na、K、Rb和Cs)可有效提高CZTSSe電池的效率。瑞士國家聯邦實驗室EMPA之前的研究表明，這些堿金屬對器件的處理效果是Li>Na>K>Rb>Cs，原因是由于從Li到Cs對器件進行處理時，吸收層中Sn的流失逐漸增加，故其認為摻Li的效果最好且制備出了效率為11.5%的CZTSSe電池[66]。其最新的研究表明，Li是通過部分取代Cu的方法提高了CZTSSe吸收層帶隙，從而改善了吸收層的性能[57]。Li摻雜量從零增加到7%時，XRD峰位有明顯移動，證明Li離子替代Cu進入晶格；隨著Li摻雜量從零增加到12%時，吸收層帶隙從1.05 eV增加到1.18 eV。研究結果表明，當Li摻雜量為7%時具有最優的器件性能，在0.3 cm2面積上獲得轉換效率為11.6%的電池，禁帶寬度為1.13 eV，開路電壓為531 mV，短路電流密度為33.7 mA/cm2，填充因子為64.8%[56]。1.4.2.2 國外公司的研發進程

在CZTS薄膜太陽電池產業化研究方面，美國AQT Solar宣布，其CZTS薄膜太陽電池的轉換效率接近10%，其指出，這項原用于CIGS太陽電池的工藝同樣適用于CZTS電池。與CIGS電池一樣，AQT Solar的CZTS電池設計是用來代替標準單晶硅光伏組件中的單晶硅太陽電池[67]。

1.4.3 CZTS基薄膜太陽電池研究的國內進展

國內一些高校和科研院所在CZTS 基薄膜電池方面開展了進一步研究，取得了突飛猛進的進展，很多電池的效率已突破世界紀錄。

1)南京郵電大學辛顥課題組于2018年，在夏威夷舉辦的第7屆世界光伏能源轉換會議(The 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion)上報道了前驅體溶液中Sn價態對CZTS器件性能的影響。他們通過使用四價錫前驅體化合物成功制備出有效面積效率高達13.6%的CZTSSe器件，其電流密度為36.45 mA/cm2，開路電壓為 0.522 V，填充因子為71.5%；電壓損失僅0.558 V，遠低于當時前世界紀錄的0.617 V。會議報道的I-V曲線和外量子效率(EQE)如圖18所示。該電池效率為當時報道的CZTS基電池的最高值[53]。

2)中科院物理所孟慶波課題組針對溶液法制備的CZTSSe薄膜中殘留大量有機碳，導致器件效率變差這一問題進行研究，指出可通過調控前驅體薄膜的退火溫度，實現對薄膜中碳殘留的有效控制。結果表明，在350～400 ℃的退火溫度下，有效控制前驅體中的碳含量，才能制備出致密、平整的薄膜。進一步研究表明，此退火溫度范圍內制備的吸收層具有較低的缺陷態密度，能有效降低電荷損失，實現較高的開路電壓，并在退火溫度為380 ℃的條件下可獲得10.04%的最高轉換效率[68]。

圖18 南京郵電大學辛顥課題組報道的CZTSSe電池的I-V和EQE曲線Fig.18 I-V and EQE curves of CZTSSe solar cell reported by Xin Hao's group at Nanjing University of Posts and Telecommunications

3)濺射后硒化的CZTSSe電池。清華大學材料學院的莊大明課題組在2018年圍繞CZTSSe類電池開展了較為豐富的探索。采用磁控濺射CZTS靶材獲得預制膜后硒化處理得到的CZTSSe電池效率突破11%，退火前預沉積CdS薄膜可有效提高Sn元素分布的均勻度，減少該元素在CZTSSe/Mo界面處的富集，在有效提高開路電壓的同時也提高了短路電流，因此電池效率大幅提升[68-70]。此后的探索方向為堿金屬摻雜對CZTSSe的影響。目前，實驗室自測的CZTSSe電池的效率最高可超過13%，但這一結果正在申請第三方檢測，有望突破世界紀錄。

4)純硫化物薄膜太陽電池。深圳大學蘇正華課題組針對CZTS電池開路電壓偏低的問題，提出基于雙向熱處理的電池后退火技術，深入研究了電池的載流子摻雜、界面和缺陷等問題，最終獲得效率為12.3%的陽離子摻雜CZTS薄膜太陽電池(不摻雜的CZTS電池的最高效率為10.5%)，這是目前效率最高的純硫化物薄膜太陽電池的世界紀錄[71]。

5) CZTSe吸收層缺陷調控。暨南大學李建軍和麥耀華課題組通過調控硒化反應過程中的元素氧化過程和元素擴散過程，優化了CZTSe的生長條件，從而顯著降低了CZTSe中的陽離子替位缺陷濃度，降低了帶尾態密度(Eg–EPL=0.01 V)，延長了少子壽命(13.8 ns)，顯著減少了非輻射復合，從而獲得具有良性晶界的CZTSe吸收層。同時，通過陽離子替位型缺陷密度的減少，激活了CZTSe中的銅空位缺陷，顯著改善了CZTSe薄膜的導電性，減小了串聯電阻，最終在0.33 cm2的面積上獲得了效率為12.39%的CZTSe電池。此外，通過背電極的進一步優化，獲得了填充因子為71.1%、轉換效率為12.47%的CZTSe電池[57]。

6) Mn摻雜的CMZTSSe太陽電池。南開大學張毅課題組通過溶膠-凝膠法摻雜離子半徑較大的Mn2+來替代離子半徑較小的Zn2+，從而減少了Cu/Zn反位缺陷，使缺陷能級由深能級Cu/Zn缺陷變成淺能級缺陷，優化了電池性能，最終制備出最高效率為8.93%的CMZTSSe太陽電池[72]。

7)嶺南師范學院邵樂喜教授團隊在國家自然基金資助下開展了熔鹽法制備CZTS單晶顆粒的相關研究，成功制備出形貌可控、帶隙可調的高質量CZTS單晶顆粒，并探索了其在太陽電池、光催化和近紅外發光領域的應用[73]。

1.4.4 CZTS薄膜太陽電池的發展趨勢展望

1)CZTSSe的制備方法可以分為真空法和非真空法2種，從取得的成果來看，2種方法各有利弊，且各自上升空間都很大。

2)考慮到CZTSSe太陽電池效率仍遠低于CIGS太陽電池，而限制其的關鍵因素就是開路電壓的損失，因此在未來幾年，相信各研究組將會在總結各自研究的基礎上，充分借鑒CIGS電池的研究成果來提高CZTSSe電池的開路電壓。該類電池的一些關鍵性難題還包括抑制Cu/Zn陽離子無序性、抑制帶尾態的產生、構建梯度帶隙優化帶階等。相信通過這些努力，近幾年內，CZTSSe電池的轉換效率有望突破15%。

3)產業化方面，已經有一些公司對CZTSSe電池的產業化開展了研究，但由于小面積電池的效率仍然很低，所以還不能進行產業化，但是其有很大的上升空間。

1.5 碲化鎘(CdTe)薄膜太陽電池的研究進展

1.5.1 CdTe薄膜太陽電池的發展概況

2018年，CdTe薄膜太陽電池的小面積器件的國際最高效率仍然保持在22.1%，組件效率為18.6%；國內小面積器件的最高效率提高到18.44%，大面積組件的平均效率提高到13%以上。基礎研究領域的研究方向主要集中在窗口層薄膜的性質研究和器件應用，提高CdTe薄膜的少數載流子濃度、少子壽命和背接觸等研究方面。

科羅拉多大學使用Zn1-xMgxO(ZMO)窗口層獲得19%的CdTe電池器件效率后，多家研究機構相繼進行與ZMO相關的基礎研究和器件制備，發現ZMO薄膜的組份、禁帶寬度、載流子濃度和ZMO/CdTe界面復合速率是影響器件性能的關鍵因素。CdSe作為拓展CdTe電池長波光譜響應的理想材料也受到了廣泛關注和研究，包括研究CdSe薄膜、Cd1-xSexTe薄膜的性質和它們在CdTe器件中的應用效果。

在提高CdTe吸收層少子壽命方面，通過研究Al2O3薄膜對CdTe薄膜前后表面的鈍化作用，發現少子壽命提高了一個數量級，達到了26 ns；若采用Al2O3對CdSeTe薄膜的前后表面進行鈍化，少子壽命可達到43 ns。另外，研究還發現，提高CdTe薄膜的晶粒尺寸可以將少子壽命提高到60 ns。在提高CdTe吸收層少數載流子濃度方面，采用P、As和Sb摻雜均能夠使CdTe多晶薄膜的空穴濃度達到1016cm-3，少子壽命約為1 ns。

背接觸方面的研究主要有：摻Bi還原氧化石墨烯、摻Cu氧化鉬和碳納米管碲化銅漿料3種背接觸對CdTe薄膜太陽電池性能的影響，以及(CuS)x(ZnS)1-x透明導電納米復合薄膜在CdTe背接觸中的應用。

1.5.2 CdTe薄膜太陽電池研究的國際進展

1.5.2.1 小面積CdTe薄膜太陽電池的研究進展

CdTe薄膜太陽電池近年來發展迅速，其小面積電池的效率可達22.1%，組件效率為18.6%[74]。這主要是因為其采用新型窗口層，相對于傳統CdS/CdTe結構電池器件，在短波和長波光譜響應方面均取得了較大突破[75]。最高效率的CdTe薄膜太陽電池的開路電壓為0.87 V，而CdTe單晶太陽電池的研究已實現了開路電壓大于1 V的電池器件[76]，CdTe薄膜太陽電池的開路電壓仍然具有很大進步空間。

研究者們認為，進一步提高CdTe薄膜太陽電池效率的后續研究需要解決以下幾個關鍵問題：1)提高吸收層的載流子濃度和壽命；2)吸收層的界面與表面鈍化；3)光學工程優化。2018年，研究者們主要圍繞上述前2個難題展開了基礎研究。

1)提高吸收層的載流子濃度和壽命的研究。CdTe由于自補償效應，其空穴濃度一直是限制器件開路電壓提高的重要因素之一[75]。NREL的COLEGROVE等[77]采用熱擴散的方法探究了P、As、Sb不同原子對CdTe的摻雜機理，結果表明，半徑大的原子通過Te的子晶格的擴散速率較小，3種原子在晶界處的擴散速率都很大；在熱擴散之前對CdTe采用CdCl2退火處理，可以降低晶粒內部缺陷，提高摻雜效率；最終采用P和As摻雜的CdTe空穴濃度均達到了1016cm-3，如圖19所示。美國特拉華大學的MCCANDLESS等[78]采用改良的氣相輸運法，沉積過程中采用淬冷工藝在原位進行P、As、Sb摻雜，實驗表明，As和Sb摻雜的CdTe空穴濃度可以達到1016cm-3，且與CdS/CdTe結構中少子壽命相當，如表2所示。

圖19 CdCl2退火前、后不同摻雜原子的有效空穴濃度[77]Fig.19 Effective hole concentration of different doping atoms before and after annealing of CdCl2 [77]

伊利諾伊大學芝加哥分校等機構通過探究CdCl2高溫退火后的處理工藝，分別在CdSe、ZMO和CdS不同窗口層上獲得了柱狀生長、大晶粒、長壽命的CdTe多晶硅薄膜。高溫退火使窗口層與吸收層界面處細小晶粒發生再結晶與生長，少子壽命均可達到60 ns[79]。

表2 不同摻雜原子的有效空穴濃度及其少子壽命[78]Table 2 Effective hole concentration and minority carrier lifetime of different doping atoms[78]

2)吸收層的界面與表面鈍化的研究。科羅拉多州立大學采用Zn1-xMgxO(ZMO)窗口層鈍化CdSeTe/CdTe吸收層，加入金屬氧化物減反層后，獲得短路電流密度為28 mA/cm2、效率為19%的CdTe薄膜太陽電池[80]。探究采用不同金屬氧化物鈍化CdTe表面和界面后發現，相對于 TiO2、Ta2O3、SiO2等其他氧化物，Al2O3表現出更加良好的鈍化作用，吸收層的少子壽命大幅提升[81]。考慮到鈍化層的絕緣性會對載流子輸運形成阻礙，將金屬氧化物的圖形化技術應用于CdTe太陽電池中，如圖20所示[82]。雖然金屬氧化物鈍化層大幅提升了吸收層的少子壽命，也成功實現了多種氧化物的圖形化，但是基于這些氧化物的CdTe薄膜電池的開路電壓和效率并不理想。

圖20 氧化物前電極圖形化示意圖[82]Fig.20 Schematic diagram of rhenium oxide front electrode [82]

NREL的理論模擬說明，界面性質是影響制備高效ZMO/CdTe結構電池的關鍵，通過調控ZMO和CdTe薄膜載流子濃度、能帶差和界面復合速率等，得到了開路電壓大于1 V、效率為25%的CdTe薄膜太陽電池[83]。NREL研究了Al2O3鈍化的機理，對比電場和PL測試Al2O3/CdSeTe/Al2O3結構的結果說明，此界面鈍化是場效應機制[84]。通過XPS測試Al2O3/CdTe在后續有氧氣氛進行CdCl2退火過程，表明此界面鈍化為化學機制，如圖21所示[85]。

圖21 CdTe表層氧化物重構示意圖[85]Fig.21 Schematic diagram of CdTe surface oxide reconstruction [85]

德克薩斯大學埃爾帕索分校等研究機構通過分子動力學模擬研究了(Cu)ZnTe/CdTe界面中Cu團簇的生長機理及Cu團簇對(Cu)ZnTe/CdTe互擴散的影響，結果表明，(Cu)ZnTe的化學計量比對Cu團簇的形成有重要影響，高濃度的Cu、Zn原子不占據CdTe晶格位置，而是成為間隙原子或者占據缺陷位置[86]。托萊多大學的WATTHAGE等[87]采用甲胺碘異丙醇溶液腐蝕CdTe表面形成富Te層，相比濕法腐蝕，該方法更安全環保。科羅拉多州立大學的SITES團隊采用SCAPS-1D軟件模擬得出合適厚度的Te背接觸，可以將CdTe和背電極間的高勢壘分成2個較低的勢壘[88]。托萊多大學的SUBEDI等[89]將p型(CuS)x(ZnS)1-x空穴傳輸層添加到CdTe層和Cu/Au背接觸之間，使量子效率在550～820 nm之間有所提升，器件短路電流密度增加了2.3 mA/cm2。

1.5.2.2 CdTe薄膜太陽電池的產業化國際進展

1)美國第一太陽能(First Solar)。目前，First Solar仍掌握著全球最先進的CdTe薄膜光伏組件的產業化技術，產業化平均效率已從S4組件的17%提升到S6組件的18%，標稱功率達到445 W，其組件生產成本僅為0.05美元/W。2017年9月，First Solar發布其S6組件產品已于2018年在越南工廠投產。在其發布的S6組件產品的數據資料中披露：高性能的S6產品面積為2.47 m2，平均效率已達到18%，組件功率達到420 W以上。

2)美國Reel Solar Power(下文簡稱“RS”)公司。該公司采用溶液電鍍法生產CdTe薄膜光伏組件的技術路線，2018年底，RS公司生產的CdTe組件效率可以達到15%，產品面積為1.54 m2(1.1 m×1.4 m)，組件功率可以達到230 W。

1.5.3 CdTe薄膜太陽電池研究的國內進展

1.5.3.1 小面積CdTe電池的研制

1)2018年，四川大學太陽能材料與器件研究所主要開展了高效率CdTe薄膜太陽電池的研究：

①窗口層方面主要是探索高透過率、低電阻率的Cd2SnO4透明導電薄膜制備工藝[90]。設計出新型復合窗口層，采用CdS/CdSe鈍化層改善ZMO/CdTe結構界面缺陷，降低界面復合速率和增強內建電場[91-92]；CdS/CdSe/CdTe間相互擴散有利于提高器件短波和長波光譜響應[92-93]。采用快速熱處理方法降低了高Mg含量ZMO薄膜內部和表面缺陷態，提升了薄膜結晶度和電導率，深入分析了其費米能級位置對器件性能的影響[94]。使用TO/ZMO復合氧化物緩沖層，優化了前電極能帶結構，增強了光生電子收集效率[95]。應用溶膠凝膠法制備疊層SiO2減反膜，CdTe太陽電池短路電路密度提高了1.1 mA/cm2[96-97]。

②吸收層方面主要是通過掃描開爾文探針顯微鏡探究CdTe晶界電子學性質，CdCl2退火處理使晶界勢壘降低，促進載流子輸運[98]。采用CdSeTe/CdTe吸收層的器件的QE積分電流密度達到了28.3 mA/cm2，該工作仍在探索過程中。

③背接觸方面主要是研究了摻Bi還原氧化石墨烯、摻Cu氧化鉬和碳納米管碲化銅漿料3種背接觸對CdTe薄膜太陽電池性能的影響[99-101]。這3種材料均可實現CdTe與金屬電極之間的歐姆接觸，提升器件性能，都是有潛力的背接觸。基于以上研究，最終獲得轉換效率達18.44%的CdTe太陽電池器件。

2)中國科學技術大學王德亮團隊采用ZMO/CdSe作為CdTe薄膜太陽電池窗口層，制備出轉換效率為14.4%的器件；另外，他們還研究了超薄CdTe薄膜太陽電池中吸收層厚度對器件性能的影響[102]；通過對CuI/CdTe、MoOx/CdTe界面的能帶結構研究，他們發現CuI和MoOx均能與CdTe薄膜能帶匹配，并分析了載流子在背界面的輸運機理，表明這2種材料是很具前景的緩沖層材料[103]；他們還提出了空間電荷限制電流理論，解釋了吸收層和TCO層直接接觸導致器件性能降低的原因[104]。

3)暨南大學針對寬光譜響應CdTe薄膜太陽電池的結構設計和器件制備，采用全濺射工藝制備復合前電極緩沖層，采用近空間升華法制備梯度能帶結構吸收層，有效拓寬了電池的光譜響應，同時保持優異的 p-n結特性，最終獲得了認證轉換效率為 17%的CdTe薄膜太陽電池。

1.5.3.2 CdTe組件的產業化開發

龍焱能源科技(杭州)有限公司(下文簡稱“龍焱公司”)高度重視環保，已建立起成套CdTe薄膜組件生產的環保技術和規范，做到了生產者安全、使用者放心。投產以來，“三廢”處理全部達到了國家標準，2016年通過國家環保驗收；7年連續監測員工體內鎘含量遠低于國家標準；2017年完成14001環境體系認證；公司已研發出廢舊組件回收和再利用技術，并成功申請中國專利，用此專利已建成一條廢舊組件回收中試線。

目前，龍焱公司已實現：1)第一條生產線實現滿產。2)產品供不應求。公司盈利后，龍焱公司進行了理性而科學的產能擴張：2017年成立合資企業“山西陽泰龍焱科技公司”，建立了CdTe薄膜組件封裝線，并已經正式投產(見圖22)；2016年底成立了合資企業“深圳賽格龍焱科技”，已建成一條CdTe組件生產線，并實現一次聯調成功，于2018年底前正式投產(見圖23)。2018年，龍焱公司在繼續提高產業化生產水平上又跨出一大步，全力將薄膜太陽電池技術的產業化進行到底。

圖22 CdTe組件封裝線Fig.22 CdTe component packaging line

圖23 CdTe組件生產線Fig.23 CdTe component production line