新型磁存儲器件有望解決AI“內存瓶頸”

美國西北大學和意大利墨西拿大學的研究人員合作開發出一種基于反鐵磁材料的新型磁存儲器件，其具有體積小、耗能低的特點。研究團隊使用了柱狀反鐵磁材料，研究表明，生長在重金屬層上的、直徑低至800nm 的反鐵磁鉑錳（PtMn）柱，通過極低電流后可以在不同的磁態之間進行可逆轉換。通過改變寫入電流的振幅，即可實現多級存儲特性。基于反鐵磁鉑錳柱制成的存儲器件僅為現有的基于反鐵磁材料存儲設備的1/10，且新型器件的制造方法與現有的半導體制造規范兼容。該新型磁存儲器件很小，耗能很低，有望使反鐵磁存儲器走向實際應用，并幫助解決AI 的“內存瓶頸”問題。