文 武,劉傳浩
(1. 重慶郵電大學 通信與信息工程學院,重慶 400065;2. 重慶郵電大學 通信新技術應用研究中心,重慶 400065;3.重慶信科設計有限公司,重慶 401121)
聲表面波(SAW)器件作為一種無源器件,因其尺寸小,諧振頻率高,穩定高等特點而被廣泛應用于手機射頻濾波器和電視中頻濾波器[1]中。隨著通信技術的發展,頻譜間的間隔越來越小,因此,對SAW器件溫度穩定性提出了更高的要求。為了補償環境溫度對SAW器件帶來的影響,國內外學者提出了很多方法。這些方法大致分成兩種類型:
1) 有源溫度補償[1]。由于有源補償法大多需要復雜的補償電路,且還會影響聲表面波器件在無源無線傳感方面的應用[2],因此,有源溫度補償法未得到廣泛的應用。
2) 無源溫度補償法。其主要包含晶片鍵合法(如將藍寶石襯底和壓電材料結合到一起實現溫度補償[1])和二氧化硅(SiO2)溫度補償法(如將SiO2與壓電材料(鈮酸鋰或鉭酸鋰)結合實現溫度補償[3-4])。近年來,除SiO2外,還有AlN和TeO2[5]等具有正溫度系數的薄膜被用來實現溫度補償。
在所有的材料中,金剛石具有最高的SAW波速(約11 000 m/s),滿足高頻SAW器件的要求。但由于金剛石不具有壓電特性,因此,以金剛石和壓電薄膜(如ZnO、AlN)相結合的多層結構已有很多研究。Maouhoub.S等報道了AlN/金剛石結構的頻率溫度系數TCF=0,聲速v=10 800 m/s,機電耦合系數k2=0.5%[5],Sean Wu報道了(100)ZnO/(111)金剛石結構比(002)ZnO/(111)金剛石結構具有更高的v和更大的k2,但未說明TCF[6]。文獻[7]報道,(0°,90°,0°)ZnO/SiO2/金剛石結構在TCF=0時,k2=3.26%,且v=3 126 m/s。此外,文獻[8]還報道, 在TCF=0 時, 與ZnO/SiO2/Si相比,ZnO/AlN/Si具有更大的k2和v。

牛頓定律、壓電本構方程為
Tij=cijklskl-ekijEk
(1)

(2)
式中:cijkl,ekij,εij分別為壓電材料的彈性常數、壓電常數和介電常數;Tij為張量;Ek為電場矢量;skl為應變矢量;Di為電位移。
常用式(1)、(2)及麥克斯韋方程來對壓電設備進行建模。將這些方程和壓電設備的形狀、邊界條件和材料常數結合可得到壓電設備的仿真模型,從而得到壓電設備的SAW的波動方程[9]為

(3)
(4)


圖金剛石溫度補償結構的三維模型的XZ平面圖

表1 仿真模型中的邊界條件


表2 金剛石、ZnO和AlN的材料常數
續表

金剛石ZnOAlN密度/(kg·m-3)ρ351256653260彈性常數溫度系數/(10-4℃-1)cT110.140-1.1200.800--1.800-0.570-1.6101.600-0.140-1.2301.000-0.125-0.7000.500密度溫度系數/(10-6℃-1)rT-3.6-10.1-14.6
通過有限元軟件COMSOL可得到溫度補償結構的諧振頻率fr和反諧振頻率fa。溫度補償結構的v[5]為
v=λ(fr+fa)/2
(5)
溫度補償結構的TCF[5]為

(6)
式中:fr(T)為溫度T時的諧振頻率;fr(T0)為溫度T0時的諧振頻率。
在計算fr(T)和fr(T0)時,式(1)~(4)中的材料參數會發生改變,其cijkl變為cijkl(T),即
cijkl(T)=cijkl(T0)[1+T(cijkl)(T-T0)]
(7)
ρ變為ρ(T),即
ρ(T)=ρ(T0)[1+Tρ(T-T0)]
(8)
溫度補償結構的k2[4]為

(9)

圖2 溫度補償結構中ZnO取不同厚度時Love波模式0、1下TCF相對hAlN/λ變化


圖3 溫度補償結構中ZnO取不同厚度時Love波模式0、1下的v相對hAlN/λ變化

圖4 溫度補償結構中ZnO取不同厚度時Love波模式0、1下的k2相對hAlN/λ變化


聲速v是SAW在基底中的傳播速度,v越大表明SAW器件的工作頻率越高。因此,根據數值仿真得到的結果并結合式(5)對溫度補償結構的v進行分析。
由圖3可知,與模式0相比,模式1的v較高,且隨著hZnO的增加v減小。從模式0的v隨著hAlN/λ的變化可知,當hZnO>1 μm時,hAlN/λ的改變對于v的影響很小。從模式1的v隨hAlN/λ變化可知,當hZnO=1 μm時,hAlN/λ對于v的影響較大,且隨著hAlN/λ的增加先快速減小,然后逐漸減??;hZnO>2 μm時,v隨著hAlN/λ增加始終緩慢變化。表明hAlN/λ很小時,Love波的振動能量會穿透到金剛石基底,該結構表現出很高的v,而當Love波的能量集中在ZnO和AlN中,即使存在金剛石基底,Love波的v不會比文獻[10]報道的v(約3 400 m/s)高很多。
結合第2.1節的分析可知,當hZnO=1 μm,hAlN/λ=0.235和hZnO=2 μm,hAlN/λ= 0.405 時,Love波模式1的v分別為9 208 m/s和6 614 m/s,相對于ZnO/AlN/Si結構[8]和ZnO/SiO2/金剛石結構[7]具有可觀的聲速,能夠滿足高頻器件的需要。
機電耦合系數k2是表征電能和機械能的轉化效率,k2越大,表明能量轉換效率越高,對于SAW器件是一個重要的參數。因此,使用有限元法并結合式(9)對溫度補償結構的k2進行分析。
根據圖4可得,溫度補償結構模式0的k2大于模式1的k2,且hZnO每增加1 μm,k2約減小2%。結合SAW傳播理論,Love波模式0的能量主要集中在ZnO中,因此,模式0的k2由hZnO決定。當hZnO=1 μm、2 μm時,Love波模式1的能量主要集中在AlN中,由此可得,在模式1中AlN成為影響k2的主要因素,而在hZnO=3 μm時,Love波又被限制在ZnO中,表現出和模式0相同的變化規律。通過進一步計算可知,當hZnO=1 μm、hAlN/λ=0.235和hZnO=2 μm、hAlN/λ=0.405時,該結構的k2分別為3.84%和4.08%。與AlN/金剛石結構[5]及ZnO/SiO2/金剛石結構[7]相比,該溫度補償結構具有較好的k2。